Накопитель информации

 

НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ, содержащий основание с выводами, доменосодержащий кристалл источник вращающегося магнитного поля управления, источник постоянного магнитного поля смещения и корпус, отличающийся тем, что, с целью поБыщения надежности накопителя, основание выполнено из поликристаллического диэлектрика в форме прямоугольной пластины со скосами по краям, с углублением и продольным отверстием в центральной области , доменосодержащий кристалл зафиксирован в углублении основания до совпадения его контактных площадок с продольным отверстием, выводы основания нанесены на пластину и контактные площадки доменосодержащего кристалла, источник вращающегося магнитного поля управления выполнен в виде двух групп ортогональных параллельных полос проводящего материала, нанесенных изолированно на обе стороны пластины , источник постоянного магнитного поля смещения выполнен в виде двух слоев магнитотвердого проводящего материала, нанесенных изолированно на прямоугольную пластину и полосы проводящего материала, I а корпус выполнен в виде слоя магнито (Л мягкого материала, изолированно нанесенного на слои магнитотвердого проводящего материала и пластину основания. со о со

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИН

„„SU„„1119079 з(5Р G 11 С 11/14,1

j y

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЕ/

Н ДBTOPCHOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3535223/24-24 (22) 07.01.83 (46) 15.10.84. Бюл. № 38 (72) В. Б. Соловьев, М. П. Чертов, В. Г. Козленко, И. К. Пухов и В. В. Кордубан (53) 681.327 (088.8) (56) 1. Авторское свидетельство СССР № 928403, кл. G 11 С 11/14, 1982.

2. Патент США № 3996574, кл. G 11 С 11/14, опубли к. 1976 (п рототип) . (54) (57) НАКОПИТЕЛЬ ИНФОРМАЦИИ, содержащий основание с выводами, доменосодержаший кристалл, источник вращаюшегося магнитного поля управления, источник постоянного магнитного поля смещения и корпус, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности накопителя, основание выполнено из поликристаллического диэлектрика в форме прямоугольной пластины со скосами по краям, с углублением и продольным отверстием в центральной области, доменосодержаший кристалл зафиксирован в углублении основания до совпадения его контактных плошадок с продольным отверстием, выводы основания нанесены на пластину и контактные площадки доменосодержащего кристалла, источник вращавшегося магнитного поля управления выполнен в виде двух групп ортогональных параллельных полос проводящего материала, нанесенных изолированно на обе стороны пластины, источник постоянного магнитного поля смешения выполнен в виде двух слоев»агнитотвердого проводящего материала, нанесенных изолированно на прямоугольнук1 пластину и полосы проводящего материала, а корпус выполнен в виде слоя магнитомягкого материала, изолированно нанесенного на слои магнитотвердого проводящего материала и пластину основания.

1119079

Составитель В. Костин

Техред И. Верес Корректор О. Тигор

Тираж 574 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий ! 13035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП «Патен1», г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Редактор А. Долинин

Заказ 7462/39

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах вычислительных машин.

Известен накопитель информации, содержащий основание в виде пластины с доменосодержащим кристаллом, две обмотки с взаимноортогональными витками, выводные электроды, магниты и корпус fl).

Недостатком устройства является низкая надежность, обусловленная низкой теплопередачей конструкции от кристалла к корпусу.

Наиболее близким по технической сущности к изобретению является накопитель информации, содержащий основание с доменосодержащим кристаллом, две обмотки с взаимноортогональными витками в области их перекрытия, выводные электроды, магниты, корпус и теплоотводящий наполнитель (2).

Недостатком известного устройства является также низкая надежность из-за высокой температуры нагрева кристалла за счет низкой теплопроводности материалов и зазоров между элементами конструкции.

Цель изобретения — повышение надежности накопителя информации.

Поставленная цель достигается тем, что в накопителе информации, содержащем основание с выводами, доменосодержащий кристалл, источник вращающегося магнитного поля управления, источник постоянного магнитного поля смещения и корпус, основание выполнено из поликристаллического диэлектрика в форме прямоугольной пластины со скосами по краям, с углублением и продольным отверстием в центральной области, доменосодержащий кристалл зафиксирован в утлублении основания до совпадения его контактных площадоx с продольным отверстием, выводы основания нанесены на пластину и контактные площадки доменосодержащего кристалла, источник вращающегося магнитного поля управления выполнен в виде двух групп ортогональных параллельных полос провОдящего материала, нанесенных изолированно на обе отороны пластины, источник постоянного магнитного поля смещения выполнен в виде двух слоев магнитотвердого проводящего материала, нанесенных изолированно на прямоугольную пластину и полосы проводящего материала, а корпус выполнен в виде слоя магнитомягкого материала, изолированно нанесенного на слои магнитотвердого проводящего материала и пластину основания.

На чертеже показан накопитель информациии.

Устройство содержит основание 1, доменосодержащий кристалл 2, полосы 3 проводящего материала, слои магнитотвердого проводящего материала 4, корпус 5 и выводы 6. Основание 1 выполняют из поликристаллического диэлектрического материала, например, ситалла, с углублением для установки кристалла 2 и отверстием для коммутации выводов с кон гактны ми площадками кристалла 2, с углублением и скосами по краям для последовательного сое20 динения полос 3, Кристалл 2 установлен в углублении основания так, что его контактные площадки совпадают с отверстием, через которое осуществляют соединение выводов с контактными площадками.

Функцию источника постоянного магнитного поля смещения пвыполняют слои 4 магнитотвердого проводящего материала.

Корпус 5 образован путем двухстороннего вакуумного напыления магнитомягкого материала, например пермаллоя, со всех сторон конструкции.

Таким образом, узлы накопителя изгогавливают, применяя в основном вакуумное напыление и фотолитографию, в результате чего узлы конструкции соединены друг с другом без зазоров.

Устройство работает следующим образом.

При подаче напряжения генерации и передвижения ЦМД на соответствующие выводы происходит зарождение ЦМД и передвижение их по информационному регистру

40 так же, как и в известном устройстве.

Вследствие отсутствия зазоров между уз лами устройства тепловое сопротивление конструкции значительно уменьшается, обеспечивается герметичность конструкции, в ре45 зультате чего существенно повышается надежность устройства.