Электронно-лучевая трубка памяти

Авторы патента:

H01J31/40 - с сетчатым записывающим изображение экраном, через который проходит электронный луч, воспринимающий влияние этого экрана на участке до попадания на выходной электрод, т.е. по принципу действия аналогичные триоду

Класс 2lg, 13;, ¹ 125318 ССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ к здвисимому вто ском свидетельств

Г. В. Брауде

ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВАЯ ТРУБКА ПАМЯТИ

Заявлено 13 октября 1958 г. за ¹ 609- .52/26 в Комитет ио лелам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Оп -бликовано в «Бюллетене изобретений.: ¹ 1 за 1960 г.

Основное авт. св. ¹Ъ !23263 от 12 августа !058 г. !„! имя 1 . Ь Брауне

В известной электронно-лучевой трубке памяти (авт. сз. № 123263) фу.нкцию барьерной сетки и мишени выполняют соответстве!шо полупрозрачный фотокатод и фотоэлектрическая мозаика, которые располагаются друг перед другом на малом расстоянии. Это расстояние для получения высокой разрешающей способности трубки должно быть не более диаметра светового пятна, которое одновременно просвечивает фотокатод и фотоэлектрическу1о мозаику. трудно расположить полупрозрачный фотокатод и фотоэлектрическую мозаику на малом расстоянии.

В описываемом изобретении для устранения указанной технологической трудности между полупрозрачным фотокатодом и фотоэлектрической мозаикой трубки памяти размещают мелкоструктурную металлическую нли диэлектрическую сетку, которая своей толщиной фиксирует расстояние между фотокатодом и мозаикой, На чертеже изображена барьерная сетка и мишень трубки памяти в разрезе. Здесь: 1 вЂ” сигнальная пластинка; 2 вЂ” диэлектрическая пластинка; 8 вЂ” фотоэлектрическая мозаика; 4 вЂ” мелкоструктурная сетка;

5 вЂ” фотокатод; б вЂ” прозрачная пластинка; 7 вЂ” катодолюмннисцирующий экран; 8 вЂ” слой алюминия, прозрачный для электронного луча большой энергии.

Первоначально, при очувствлении поверхностей полупрозрачного катода и фотоэлектрической мозаики нссущис их диэлектрическая пластинка и прозрачная пластинка располагаются на достаточно большом расстоянии. Это необходимо для беспрепятственного поступления паров цезия к очувствляемым поверхностям. После очувствления обе пластинки прижимаются к мелкоструктурной сетке механической силой электростатического поля, которое создается постоянным напряжением, приложенным между слоями 1 и 8. Мелкоструктурная сетка служит также преградой между отдельными элементами мозаики, делая невозможным обмен фотоэлектронами между объемами, ограниченными ячейками сетки. Это улучшает разрешающую способность трубки памяти. № 125318

Предмет изобретения

ЭлектроЪМо-лучевая трубка памяти по авт. св. № 123263, о тл ивЂ” ч а ющ а я с.и,тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и улучшения параметров трубки, между полупрозрачным фотокатодом и фотоэлектрической мозаикой размещена мелкоструктурная сетка.

1 2 б 7

Комитет по делам изобретений и открытий прн Совете Министров СССР

Редактор H. С. Кутафина Гр. 97

Подп. к печ. 21.ХП-59 г.

Тираж 750 Цена 25 коп.

Информационно-издательский отдел, Объем 0,17 п. л. Зак. 10714

Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Петровка, 14