Способ изготовления фотошаблонов

 

Изобретение относится к технологии изготовления фотошаблонов для микросборок, устройств функциональной электроники и печатных плат. Целью изобретения является повьшение качества и износостойкости фотошаблона. На стеклянную пластину наносят первый маскирующий слой с формированным в нем рисунком топологии устройства функциональной электроники. Для устранения дефекта типа прокол по второму нанесенному слою из светочувствительного негативного материала производят избирательное экспонирование в зонах дефектов и по контуру рамки сформированным излучением . При этом над дефектами создаются непрозрачные для актиничного излучения области в виде локальных маскирующих покрытий. В качестве светочувствительного слоя можно использовать негативно работающие диазосоединения с различными механизмами образования изображения . 1 з.п. ф-лы, 6 ил. S (Л СП о сх

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК

„,SU,» 1215081 A

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ /7 -, К АВТОРСКОМ,Ф СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3784793/24-10 (22) 28.08.84 (46) 28.02.86. Бюл. ¹ 8 (72) Г.П.Суслов и Г.В.Попова (53) 771.45(088.8) (56) Патент США № 3804623, кл. 96-47, опублик. 1974. щий слой с формированным в нем рисунком топологии устройства функциональной электроники. Для устранения дефекта типа "прокол" по второму нанесенному слою из светочувствительного негативного материала производят избирательное экспонирование в зонах дефектов и по контуру рамки сформированным излучением. При этом над дефектами создаются непрозрачные для актинично— го излучения области в виде локальных маскирующих покрытий. В качестве светочувствительного слоя можно использовать негативно работающие диазосоединения с различными механизмами образования изображения. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОШАБЛОНОВ (57) Изобретение относится к технологии изготовления фотошаблонов для микросборок, устройств функциональной электроники и печатных плат. Целью изобретения является повышение качества и износостой— кости фотошаблона. На стеклянную пластину наносят первый маскирую(5И 4 G 03 С 11/04, Н 01 L 21/00

1215081

Изобретение относится к технологии изготовления фотошаблонов для микросборок, устройств функциональной электроники (УФЭ ), включая ИС, и печатных плат.

В производстве микросборок, УФЭ и печатных плат широко применяется фотолитография, главным инструментом которой является фотошаблон. От качества и износостойкости фотошаблонов зависит производительность труда и качество готовой продукции.

Цель изобретения — повьппение качества и износостойкости фотошаблона.

На фиг. 1-6 условно показана последовательность формирования изображения на фотошаблоне предлагаемым способом.

На стеклянную пластину 1 (фиг.1) наносится известным способом первый маскирующий слой 2 (хром, окись хрома+хром, окись железа), в котором сформирован рисунок топологии 3 УФЭ. В виде узких прозрачных окон в слое 2 показаны места дефектов 4 типа "прокол". Далее наносится (фиг. 2) второй слой 5 из светочувствительного негативного материала. По этому слою производят (фиг. 3) избирательное экспонирование в зонах дефектов 6 и по контуру рамки 7 сформированным излучением, например излучением ультрафиолетового лазера. Облучение может производиться как со стороны подложки, так и со стороны светочувствительного слоя. После облучения и соответствующей обработки (проявления) второго светочувствительного слоя над дефектами создаются непрозрачные для актиничного излучения области в виде локальных маскирующих покрытий 6 (фиг. 4, 5), причем фиг. 4 относится к случаю применения светочувствительных материалов с образованием вымывного рельефа, а фиг. 5 — к случаю образования локального маскирующего слоя внутри полимерного слоя.

Локальное экспонирование зон дефектов может осуществляеться на операции контроля дефектов топологии рисунка фотошаблона или после нее с использованием установки ретуши фотошаблонов.

Общий вид фотошаблона с условным изображением топологии устройства показан на фиг. 6. Толщина второго светочувствительного покрытия не превьппает нескольких микрон.

Образуемый вторым слоем гарантированный зазор между фотошаблоном и подложкой УФЭ не приведет к искажениям из обр ажени я при по следующих фотолитографических операциях.

В качестве светочувствительного слоя можно использовать негативно работающие диазосоединения с различными механизмами образования изображения. Например, такие диазосоединения, которые, разрушаясь под действием УФ света, образуют продукты взаимодействия с оставшимися диазосоединениями с образованием красителя.

В качестве негативно работающих материалов можно предложить материалы, дающие везикулярное изображение. Диазосоединения являются светочувствительной составной частью этих материалов.

При экспонировании слоя светочувствительное вещество под действием лучистой энергии разлагается с выделением некоторого количества газа, который при нагревании слоя собирается в микроскопические пузырьки, рассеивающие свет. Получение изображения на везикулярных материалах состоит из трех операций: экспонирование, проявление, фиксирование. Таким образом, процесс обработки достаточно прост.

Высокой разрешающей способностью обладают металдиазониевые материалы, а также материалы на основе диазосульфонатов и диазосульфидов.

Металлдиазониевые фотографические материалы содержат в светочувствительном слое диазониевую соль и соль какого-либо металла, способную легко восстанавливаться до металлического состояния. При достаточной дозе лучистой энергии и достаточном количестве в слое диазониевой соли и соли металла можно непосредственно получать видимое изображение, но возложен процесс с образованием скрытого изображения и последующим физическим проявлением.

Диазосульфонаты (и диазосульфиды) под действием УФ облучения

3 1 переходят в активную форму.При экспонировании в слое образуется скрытое изображение, состоящее из металлических зародышей серебра или ртути. Это изображение становится видимым в результате физического проявления.

Помимо диазосоединений простотой использования отличаются фотохромные соединения. При получении изображений на фотохромных слоях используется явление фотохроизма.

Сущность фотохроизма заключается в том, что при воздействии лучистой энергии фотохромное вещество мгновенно меняет свой цвет без дополнительной обработки. К достоинствам этих материалов относятся высокая скорость получения изображения, высокая разрешающая способность, возможность многократного использования фотохромного материала.

Локальное маскирующее покрытие второго слоя обеспечивает устранение дефектов типа "прокол" и защиту рабочей поверхности фотошабло215081 4 на в процессе его эксплуатации за счет гарантированного зазора между фотошаблоном и подложкой изготавливаемого УФЭ. Локальные покрытия

5 легко снимаются в случае их износа и восстанавливаются, что позволяет реставрировать фотошаблоны.

Формула изобретения

1. Способ изготовления фотошаблонов, включающий формирование изображения в маскирующем слое, экспонирование и проявление с последующей локальной ретушью фотошаблона с помощью кроющего материала, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и износостойкости фотошаблона, в качестве кроющего материала ис— пользуют светочувствительный негативный материал, а локальную ретушь осуществляют путем избирательного экспонирования в зонах дефектов.

2. Способ по п. 1, о т л и ч аю шийся тем, что экспонирование кроющего материала осуществляют по контуру рамки фотошаблона.

1215081

Заказ 906/55

Тираж 437 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4

Составитель А. Добрыднев

Редактор О.Колесникова Техред А.Бабинец Корректор М.Демчик

Способ изготовления фотошаблонов Способ изготовления фотошаблонов Способ изготовления фотошаблонов Способ изготовления фотошаблонов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля толщины слоев при изготовлении полупроводниковых приборов

Изобретение относится к микроэлектронике и радиоэлектронике и позволяет повысить точность ретуширования фоторезистивных слоев
Наверх