Состав для ретуширования фоторезистивных слоев фотошаблонов

 

Изобретение относится к микроэлектронике и радиоэлектронике и позволяет повысить точность ретуширования фоторезистивных слоев. Состав, основанный на растворе парафина и воска в органическом растворителе, дополнительно содержит бутилкаучук при следующем массовом соотношении компонентов, мас.%; парафин 6,6-30; воск 2,8-27,6; бутилкаучук - 0,6-2,4; растворитель - остальное. При изготовлении состава в углеводородном растворителе (бензин марки БР-1),растворяют парафин, воск и бутилкаучук при указанном соотношении. Полученную смесь перемешивают до получения однородной массы, после чего состав наносят на экспонированную и проявленную заготовку фотошаблона. После ретуширования, травления маскирующего слоя и снятия фоторезистивного слоя вместе с ретуширующик слоем контролировали полученные фотошаблоны на количество дефектов типа прокол . Состав обеспечивает возможность точного нанесения капли на прокол, не закрывая близлежащие пробельные участки. 1 з.п. ф-лы, 1 табл. g (Л Zt о 00 со 00 :с

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОИИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИК (59 4 G 03 С 11 04

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н ABTOPCHOMY СВИДКТКЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТНРЫТИЙ (21) 3979155/24-10 (22) 18. 11.85 (46) 15.04.87. Бюл. Р 14 (71) Ярославское научно-производственное объединение "Электронприбор" (72) В.В.Смирнов, И.П.Макарычева— и А.Н.Чебунин (53) 655.22(088.8) (56) Авторское свидетельство СССР

ll 761531, кл. С 09 G 1/00, 1978. (54) СОСТАВ ДЛЯ РЕТУШИРОВАНИЯ ФОТОРЕЗИСТИВНЫХ СЛОЕВ ФОТОШАБЛОНОВ (57) Изобретение относится к микроэлектронике и радиоэлектронике и позволяет повысить точность ретуширования .фоторезистивных слоев. Состав, основанный на растворе парафина и воска в органическом растворителе, дополнительно содержит бутилкаучук при следующем массовом соотношении компонентов, мас.7: парафин 6,6-30; воск 2,8 27,6; бутилкаучук — 0,6-2,4; растворитель — остальное. При изготовлении состава в углеводородном растворителе (бензин марки БР- 1),растворяют парафин, воск и бутилкаучук при указанном соотношении. Полученную смесь перемешивают до получения однородной массы, после чего состав наносят на экспонированную и проявленную заготовку фотошаблона ° После ретуширования, травления маскирующего слоя и снятия фоторезистивного слоя вместе с ретуширующим слоем контролировали полученные фотошаблоны на количество дефектов типа прокол. Состав обеспечивает возможность точного нанесения капли на прокол, не закрывая близлежащие пробельные участки. 1 з.п. ф-лы, 1 табл.

Суммарная концентрация раст" ворителя, мас.%

Выход годных фотошаблонов,%

Состав, мас.%

Парафин марки П1

МиниМакси- СредБутилкаучук

Воск мальный мал ьный неарифметическое

Беэ ретуши

7 5 (церезин)

2,8 {церезин)

2,8 (церезин)

2,8 (пчелиный)

2,8 (пчелиный)

6,5 {церезин)

6,5 (церезин) 30 40

34 42

43 52

41 49

42 48

40 48

54 59

2,0 !

6,6

90,5

О, 6 (марки А) 90

0„6 (БК-1045) 90

6,6

6,6

0„6 (марки А)

О, 6 (БК-1045)

1, 1 (макри А)

1, 1 (БК-1045) 90

6,6

82,0

56

10,4

82,0 52 58

1 13039

Изобретение относится к микроэлектронике и радиоэлектронике, а именно к состава для ретуширования фоторезистивных слоев для устранения в них дефектов типа прокол при изготовлении, например, фотошаблонов, печатных плат, тонкопленочных и толстопленочных микросхем, а также различных изделий, изготавливаемых с применением фотохимических процессов: химического фрезерования, гальванопластики и т.д °

Цель изобретения — повышение точности ретуширования для снижения трудоемкости изготовления фотошаблонов.

Сущность изобретения заключается в том, что состав представляет собой раствор воска, парафина и бутилкаучука в органическом растворителе при следующем весовом соотношении компонентов, мас.%:

Парафин 6,6-30

Воск 2,8-27,6

Бутилкаучук 0,6-2,4

Органический растворитель Остальное

Состав для ретуширования готовят следующим образом.

В углеводородном растворителе (бензин марки БР-1) растворяют пара. фин, воск и бутилкаучук при их определенном соотношении. Используют

89 2 парафин ГОСТ 13577-71, воски — природный (пчелиный) и ископаемый (церезин) по ГОСТ 2488-74 марки 67, бутилкаучук по ТУ 38103-20-70 марки А или по МРТУ 38-3 11 - 232-69 марки БК1045.

Полученную смесь тщательно перемешивают до получения однородной массы, Полученный ретуширующий состав наносят на экспонированную и проявленную заготовку фотошаблона. После ретуширования, травления маскирующего слоя и снятия фоторезистивного слоя вместе с решутирующим слоем контролируют полученные фотошаблоны на количество дефектов типа прокол.

В качестве заготовок фотошаблонов используют стекла с железоокисным маскирующим покрытием марки IIMC ФП группы Б1. Фотошаблоны контролируют на микроскопе типа МБС-9.

Каждый состав испытывают на партии из десяти фотошаблонов, определяют среднеарифметический процент выхода годных фотошаблонов для партии. Полученные результаты сравнивают с процентом выхода годных фотошаблонов, изготавливаемых без применения ретуширования и с применением ретуширующего состава по известному способу.

Результаты испытаний ретуширующих составов сведены в таблицу.

1303989

Выход годных фото» шаблонов ° %

Суммарная концентрация растворителя, мас.%

Состав, мас.X

Парафин марки П1

МиниМаксиСреднеарифметиВоск

Бутилкаучук маль" ный ческое

1, 1 (марки А)., 1, 1 (БК-1045)

1,4 (марки А)

1,4 (БК-1045) 10,4

82,0 51

54

10,4

82 0 48 54

65

13,7

76,3

60 68

76 3 57 65

13,7

1,4 (марки А)

1, 4 (ГК-1045) 76,3

13,7

55 60

51 67

40 46

38 45

13,7

76,3

30

40,0

2,4 (марки А)

2,4 (БК-1045)

2,4 (марки А)

2,4 (БК-1045) 42

40,0

40,0

36 44

40

40,0

36 43

6, 5 (пчелиный)

6, 5 (пчелиный)

8, 6 (церезин)

8,6 (церезин)

8,6 (пчелиный)

8,6 (пчелиный)

27,6 (церезин)

27,6 (церезин)

27,6 (пчелиный)

27,6 (пчелиный) Из таблицы видно, что оптимальным является состав с концентрацией

76,3 мас.%, при котором выход годных максимальный °

Определены граничные концентрации 40 состава, эа пределами которых ретуширующий раствор не дает положительного эффекта. При большем содержании растворителя ретуширующий раствор имеет значительную растекаемость, 4 при меньшем раствор становится слишком вязким.

Состав позволяет повысить выход годных фотошаблонов от 4 до 30%.

Состав для ретуширования фоторезистивного слоя дает возможность точно наносить каплю на прокол, не закрывая близлежащие пробельные участ ки, хорошо защищает от травителя нижележащий маскирующий слой, легко удаляется на операции снятия фотореэиста, имеет хорошую адгезию к поверхности фотошаблона, позволяет варьированием соотношения компонентов и

Продолжение таблицы

I их концентрацией в растворителе в широких .пределах изменять вязкость и растекаемость раствора, что дает возможность проводить ретуширование фоторезистивного слоя на элементах самой различной величины. Все это снижает трудоемкость изготовления фотошаблонов и увеличивает процент ,выхода годных.

Формула из обре те ния

1. Состав для ретуширования фоторезистивных слоев фотошаблонов,включающий раствор воска и парафина в органическом растворителе, о т л и- . ч а ю шийся тем, что, с целью повышения точности ретуширования, в него введен бутилкаучук при следующем соотношении компонентов, мас.%:

Парафин 6,6-30,0

Воск 2,8-27,6

Бутилкаучук 0,6-2,4

Органический растворитель Остальное

1303989, 2. Состав по п. 1, о т л и ч аю щ и Й с я .тем, что в качестве растворителя используется бензин

Бр-1 .

Составитель Л.Безпрозванный

Техред И.Попович Корректор А.Обручар

Редактор М.Петрова

Заказ 1308/47

Тираж 421 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д.4/5.Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная,4

Состав для ретуширования фоторезистивных слоев фотошаблонов Состав для ретуширования фоторезистивных слоев фотошаблонов Состав для ретуширования фоторезистивных слоев фотошаблонов Состав для ретуширования фоторезистивных слоев фотошаблонов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии изготовления фотошаблонов для микросборок, устройств функциональной электроники и печатных плат

Изобретение относится к микроэлектронике и позволяет повысить качество восстановленных фотошаблонов, Облучсчют дефектное место фотошаблона сфокусированным лазерным излучением со стороны маскирующего слоя и со стороны основания а Осаждают продукт фоторазложения со стороны основания фотошаблона до уменьшения мощности лазерного излучения на 70- 85%, а со стороны маскирующего слоя - до получения оптически плотного слоя Показателем качества ремонта дефектов является интегральная оптическая плотность дефектного места после осаждения , определяемая фотометрированием

Изобретение относится к фотографии, в частности к составу для ретуширования фотошаблонов, применяемых при изготовлении гибридных интегральных схем с размерами элементов 50 мкм и более, и для печатных плат

Изобретение относится к фотографии, в частности к составу для ретуширования фотошаблонов
Наверх