Способ изготовления пластин

Авторы патента:

H01L21/304 - механическая обработка, например шлифование, полирование, резка

Способ изготовления пластин, включающий крепление пластин на планшайбе и поочередные шлифование и полирование сторон пластин, отличающийся тем, что, с целью улучшения геометрических параметров пластин, их крепление после полирования одной стороны осуществляют нанесением на полированную сторону прозрачной плоскопараллельной планшайбы слоя прозрачного клеящего вещества и притиранием пластин по этому слою к планшайбе, причем неплоскопараллельность слоя клеящего вещества между планшайбой и пластиной, которую измеряют через другую сторону планшайбы интерференционным методом, после притирания пластины не должна превышать величины, соответствующей одному интерференционному кольцу.

Устройство для изготовления фаски на круглых пластинах // 1123474

Изобретение относится к механической обработке твердых хрупких тел и может быть использовано для формирования фаски на круглых полупроводниковых пластинах и кристаллах

Устройство для шлифования микрокристаллов // 1116913

Способ получения полупроводниковых приборов с переменной емкостью // 510059

Способ шлифовки монокристалловс алмазоподобной кристаллическойрешеткойвп тбфонд 3hoileptq8i // 435925

Способ удаления выступающих дефектов с поверхности эпитаксиальных слоев // 433570

Патент 355758 // 355758

Способ механической обработки слитка полупроводникового материала // 307445

Устройство для стабилизации положения алмазных отрезных кругов // 255386

Установка для разламывания проскрайбированных полупроводниковых пластин // 233104

Устройство для обработки кромок пластин // 2109370

Способ резки полупроводниковых монокристаллов на пластины // 2137251

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при изготовлении полированных пластин из полупроводниковых материалов

Способ одновременной обработки кромок пластин и устройство для его осуществления // 2143156

Устройство для снятия фаски при финишной обработке полупроводниковых пластин // 2163408

Устройство для снятия фаски при финишной обработке полупроводниковых пластин // 2168796

Абразив из оксида церия и способ полирования подложек // 2178599

Изобретение относится к абразиву из оксида церия и способу полирования подложек

Способ резки объемных монокристаллов карбида кремния // 2202135

Изобретение относится к технологии электронного приборостроения

Способ позиционирования пластин из полупроводниковых материалов в координатной системе отсчета установки для абразивной резки пластин на "чип"ы // 2220474

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологиях изготовления как дискретных полупроводниковых приборов, так и интегральных микросхем в процессе позиционирования исходных полупроводниковых пластин-подложек (например, на основе монокристаллического кремния) перед операцией их разделения на отдельные структуры ("ЧИП"ы)

Способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин // 2224330

Изобретение относится к микроэлектронике

Способ получения пластин для солнечных элементов из мультикристаллического кремния // 2231867

Изобретение относится к области полупроводниковых преобразователей солнечной энергии, в частности к получению пластин из мультикристаллического кремния для изготовления солнечных элементов (СЭ)