Раствор для обработки резистивных материалов
СОЮЗ СОВЕТСКИХ
СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ
РЕСПУБЛИК
„„SU„„1249071 (51)4 С 23 C 1/02
ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
К А ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР
ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 3789931/22-02 (22) 05.07.84 (46) 07.08.86. Бюл. У 29 (72) Э. И. Велихова, И. Н. Аржанникова и А. В. Лонщаков (53) 621.7.025(088.8) (56) Попилов Л. Я. и Трактирова Т. В. Химические и электрохимические способы травления поверхностей деталей и изделий в судостроении. Обзор, ЦНИИ "Румб", 1974, с. 5253 °
Авторское свидетельство СССР
В 954517, кл. С 23 F 1/02, 1980. (54)(57) 1. РАСТВОР ДЛЯ ОБРАБОТКИ
РЕЗИСТИВНЫХ МАТЕРИАЛОВ, преимущественно для удаления продуктов фотолитографической обработки, содержащий кислоту и изопропиловый спирт, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности и сохранения высокого качества поверхности, он в качестве кислоты содержит щавелевую кислоту и дополнительно — неионогенное поверхностно-активное вещество и воду при следующем соотношении компонентов, г/л:
Щавелевая кислота 80-150
Изопропиловый спирт 5-50
Неионогенное поверхностно-активное вещество 2-5
2. Раствор по и. 1, о т л и ч а— ю шийся тем, что в качестве поверхностно-активного вещества используют ПАВ на основе алкилсульфатов 6бщей формулы R-SO Изобретение относится к химической обработке резистивных материалов, в частности для удаления продуктов фотолитографической обработки с резистивных схем и может быть использовано в радиоэлектронной промьппленности. Целью изобретения является повышение эффективности и сохранение высокого качества поверхности. Изобретение может быть проиллюстрировано следующими примерами. Раст. вор готовят последовательнь|м растворением компонентов в воде. Цвет полу.ченного раствора. — прозрачный. Применение в растворе щавелевой кислоты не эатравливает резисторы, переводя неорганическиее продукты фотолитог рафической обработки в растворимое состояние. Изопропиловый спирт иПАВ "Прогресс" способствуют растворению иуцалению веществ органического происхождения е Пример 1. Для удаления "налета" продуктов фотолитографической обработки берут раствор, содержащий компоненты в следукнцих соотношениях, г/л: Кислота щавелевая 80 Иэопропиловый спирт 5 Средство "Прогресс" 2 В полученный раствор погружают готовые резистивные схемы. Длительность удаления продуктов фотолитографической обработки в таком растворе составляет 30 с, для тонкопленочных реэистивных схем и 8 мин для о фольговых при 18-25 С. Затем схемы промывают горячей, холодной дистиллированной водой и сушат при 110-140 С. Определение полноты снятия "налета" осуществляется визуально под микроскопом MBC-2, исчезает белесый пятнистый "налет", обнажается блестящая поверхность резисторов. При повторном прогреве "налет" не появляется. Пример 2. Готовят раствор со следующим содержанием ингредиентов, г/л: Кислота щавелевая 115 Изопропиловый спирт 27,5 Средство "Прогресс" 3 5 Длительность снятия .продуктов фотолитографической обработки с тонкопленочных резисторов составляет 49071 2 20 с, с фольговых — 5 мин при 1825 C. Пример 3. Готовят раствор, содержащий компоненты в следующей 5 концентрации, г/л: Кислота щавелевая 150 Изопропиловый спирт 50 Средство "Прогресс" 5 Длительность снятия продуктов фотолитографической обработки с тонкопленочных резисторов составляет 7 с, с фольговых — 3 мин при 1825 С. При уменьшении содержания щавелевой кислоты менее 80 г/л эффективность удаления продуктов фотолитографической обработки уменьшается, так как концентрация ее недостаточна для перевода всех нерастворимых, преимушественно неорганических продуктов, в растворимые. При повышении концентрации щавелевой кислоты более 150 г/л начинается перенасыщение раствора с выпадением твердого кристаллического осадка. При концентрации изопропилового спирта менее 5 г/л эффективность удаления преимущественно органических продуктов фотолитографической ЗО обработки резко уменьшается, более 50 г/л — остается на одном и -.îì же уровне. Замер номиналов всех испытуемых резисторов ампервольтметром Р386 до 35 обработки в растворах (класс точности прибора 0,1-0,04X), Обработка подложек с налетом продуктов фотолитографической обработки. Обработке подвергают подложки с 4О напыленными тонкопленочными резисторами из нихрома, РС-3710 и фольговые резисторы с реэистивным слоем нихрома в кассетах по 10 штук при 20 С. 45 Сравнительные результаты удаления в известном и предлагаемом растворах продуктов фотолитографической обработки с готовых фольговых и тонкопленочных резистивных схем (по 50 шт.) в известном и предлагаемом растворах представлены в таблице. В качестве ПАВ может быть использовано ПАВ на основе алкилсульфатов общей формулы R-$0 Na, где R — ради55 калы алкильный (СН ) или арильный (C Н ) С„Нд. Следовательно, кроме средства "11porpecc возможно использование и других ПАВ с аналогичным 3 1 спектром действия, например "Альфия" "Ладч" Ф Режим обработки Результаты обработки в растворе Составы. Температура 20 С, Время выдержки для тонкопленочных резисторов 20 с, для фольговых 3 мин Наблюдалось увеличение номинала тонкоИзвестный раст.— вор, г/л: Кислота соляная (уд. вес 1,19) 700 . Изопропиловый спирт 300 Температура 20 С. Предлагаемый раствор, г/л: На тонкопленочных и фольговых резисторах продукты фотолитографической обработки снялись полностью без изменения их номинала. Время выдержки для тонкопленочных резисторов 20 с, для фольговых 3 мнн Кислота щавелевая 115 Изопропиловый спирт 27,5 ПАВ "Прогресс" 3 5 Составитель В. Олейниченко Техред В.Кадар Корректор M. Демчик Редактор П. Коссей Заказ 4201/27 Тираж 878 ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5 Подписное Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 Могут быть использованы ПАВ с высокой растворимостью в воде, которые после эффекта удаления продуктов фотолитографической обработки, в свою очередь, бесследно и легко удаляются промывкой, не действуют на номинал резисторов и совместимы с щавелевой кислотой и нзопропиловым спиртом. 249071 4 Таким образом, предлагаемый раствор прост в приготовлении,ле ко регенерируем простым фильтрованием, не требует сложного оборудования и имеет следующие преимущества по сравнению с известным: повышается эффективность снятия продуктов фотолитографической обработкибез измененияноми— нала резисторов, процесс можновести tO групповым методом,повьппается надежность резистивныхсхем засчет исключения возможности сухого травления резисторов. пленочных резисторов в 2-3 раза. После про-) мывки и сушки остается "налет" продуктов фотолитографической обработки. Номинал фольговых резисторов увеличивается в 1,52 раза. После промывки и сушки остается "налет" продуктов фотолитографической обработки.
