Способ получения рисунка фотошаблона
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при литографических операциях Цель изобретения - повышение тиражеетойкости фотошаблона На стеклянную подложку наносят слой полиимида, а затем слой As Se толщиной 100 - 300 нм состава X 1-X 0.2 х 0.5 и слой Ag толщиной 15 - 20 нм. Полученные структуры локально экспонируют, например, электронным лучом с. энергией, достаточной для фотохимической диффузии Ag в слой As Se до X 1 -Х Дж/см . С неэкспонированных участков удаляют слой Ag и проявляют экспонированные участки до полного удаления слоя Аз Se реактивно-ионным 1 ,X 1-х травлением. Нанесение слоя полиимида толщиной, обеспечивающей непрозрачность слоя в диапазоне длин волн 1.15 - 470 мм, проведение операции сшивания споя полиимида путем облучения его рентгеновским излучением при температуре не более 110°С и использование в качестве резиста материала сис темы As Se уменьшает адгезию маскирующего слоя к фоторезисту при Э1 :пониро- .вании и снижает деформацию маскирующего слоя.
- и мя
СОЮЗ СОВЕТСКИХ сОцттАлистических РеспуБлик
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ
ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕЦТ СССР) К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3836517/21 (22) 02.01.85 (46) 15.11.93 Бюл. Мя 41-42 (72) Берлин ES.; Красножон АИ. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РИСУНКА ФОТОШАБЛОНА б (57) Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при литографических операциях Цепь изобретения — повышение тиражеатойкости фотошаблона. На стеклянную подложку наносят спой полиимида, а затем слой As Se толщиной 100 — 300 нм состава
1-х
0.3 х 0.5 и спой Ag толщиной 15 — 20 нм, Полученные структуры локально экспонируют, например, электронным лучом с энергией, достаточной дпя (В) SU (1Ц 13О8111 А1 (Sl) 5 Н 01 L21 312 G ОЗ F 1 00 фотохимической диффузии Ag в слой As Se до х t-x
Дж/см. С неэкспонированных участков удаляют слой Ag и проявляют экспонированные участки до полного удаления слоя As Se реактивно-ионным х 1-х травлением. Нанесение слоя полиимида толщиной, обеспечивающей непрозрачность слоя в диапазоне длин волн 115 — 470 мм, проведение операции сшивания слоя полиимида путем облучения его рентгеновским излучением при температуре не более 110 С и использование в качестве резиста материала системы As$е уменьшает адгезию х т-х маскирующего слоя к фоторезисту при экспониро.вании и снижает деформацию маскирующего слоя.
1308111
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано на литографических Операциях при изготовлении фотошаблонов длл полупроводниковых приборов и интегральных схем. Целью изобретения лвллетсл повышение тиражестойкости фотошаблона за счет уменьшения адгезии маскирую .цего слоя к фоторезисту при зксг10нировании и снижении деформации маскиру:.о1щего слоя, Сущность способа заключается в следуLOLL После, ушки пви 100 110 C в точен.,о 30 60 мин проводят радиационное сшиванио iIoflNf÷0pa, нап 1имер, рентгеновсо1м излучением с длиной волны 0,54 нм (Мо 4Г ) и поглощаемой дозой порядка 1 дж/cM . За 1 ем ва к p M I ibl м терми 1еским чп1ем из кварцевой лодочки посладовательlI О и а I I о с я т С л 0 Й А ay, S е 1-у, толщинОЙ 100-300 нм состава 0,3 х == 0,5 и слой с0ра5ра толщиной 15--20 LII I. Пол jileIII I I Io CTp"!, liI I JIOK ilbIIO aKCF10" н:IpyIOT или электронным лучом гго заданной прогрэ.:ма топологии с энергией 5-30 кэВ, или рентгеновским излучением через рентгеношабло l п диапазо IB 0,41-0,54 нм {Ag . I-, -- Mo,I Ig), или ультрафиолетом с длиной волны 100-470 нм через фотошаблон, или. на оптикомеханическом генераторе изображений с поглощаемой дозой; достаточной для фОТОхим11 IQGKQLI диффузии со РебРа в слой АвхЯе,-х Обычно ДО 1 Дж/cM После этого удаляют слой серебра с неэкспонированных участков Г1утм обработки структуры в растворителе ссраора, удобнее всего в 20-31%-ном растворе НКСз. Проявление зкспонированных участKoU до полного удаления незкспонированных участков слоя АзхЯе1.х проводят путем Формула иэобоетенил СПОСаЬ ПаЛУЧНИЯ VVCVl-ll ЭОТОШАБЛОНА, вк uочающий последовател ьное нан асан и с на и розрачнио подлОж ку слоя полиимида, наорГаничаскОГО резиста на Основе халькОГониднОГО стеклоСб 1азнОГО полупроводника,w слоя легирующого материала, литографическое формирование маски в неорганическом резисте и перекос изображония в слой полии мида путем травления его в кислородсодержащой плазме, Отличающийся тем, что, с целью увеличенил тирареактивно-ионного травленил на установке УВ П-2 в CF4 и ри давлении (3-5) .10 м м рт ст. LI удельной мощности не более 0,3 мВт/см на обрабатываемой поверхности, Затем в той же ус ановке менлют Газ СР4 на кислород и при давлении (2 — 3) 102 мм рт.ст, удаляют участки слал полиимида, немаскированные слоем АзхЯе1-x+Ag. Темные участки фотошаблона представ10 ля1ОТ собой "сендвич", нижний слой (амортизирующий) которого обеспечивает сохранение бездефектности топологии, а верхний — Основной маскирующий слой с коэффициентом поглощения до 10 см при 15 .Л< 470 нм и коэффициентом пропускания 30-50,4 в диапазоне 550-.б50 нм и низкой адгезией к слоям фоторезиста обеспечивает проведение безрефлексного (вследствие многократных отражений от маскирующего 20 и маскируемого слоев) экспонирования фоторезистивных слоев без нарушения их сплошности при разъединении с фотошаблоном, Диапазон длин волн ограничен снизу 25 .(115 нм) границей пропускания прозрачной подложки на основе кварца, а сверху (470 нм} — максимальный чувствительностью экспонируемых через фотошаблон фо"торезистов, Соединение селенида с мышьяком АэхЯО1-х фаКтИЧЕСКИ ПРЕДСтаВЛЯЕт СОбОй твердый раствор мышьяка в селене, при этом маскирующие свойства и чувствительность к фотохимической диффузии метал35 лов, преимущественно серебра или меди, сохраняетсл в. диапазоне изменения состава 0,3 х « 0,5 на приемлемом уровне. (56) ДжеЙмс T,Ó.. Теория фотографического процесса. Пер. с англ,, Л.: Химия, 1980, с. 558-559, 105-108, 581-584. Y. Vac. Sci, and Technol, 1983, B,1, N. 4, р, 1174-", 177. жестойкости фотошаблона за счет уменьшения адгезии маскирующего покрытия к фоторезисту при экспонировании: 50 и снижении деформации маскирующего покрытия, слрй полиимида наносят толщиной, обеспечивающей непрозрачность слоя в диапазоне длин волн 115 - 470 нм, а перед нанесением резиста проводят сши55 вание слоя полиимида путем облучения рентгеновскйм излучением при температура не более 110 С, причем в качестве резиста используют. материал системы As.„Se „, где 0,3 .:- х 0,5, толщиной 100 - 300 нм.
