Способ регистрации вторичных электронов

 

Изобретение относится к энергоанализу пучков вторичных электронов и может быть использовано в растровой спектроскопии . Но способу регистрации вторичны.х электронов образец, исследуемая поверхность которого совмещена с осью симметрии цилиндрического зерка,льного анализатора и находится под потенциалом, сканируют электронным пучком, регистрируют вторичные электроны и анализируют их энергетические спектры. В процессе сканирования образца потенциал его поверхности изменяется по закону U(t) - k V 6(1), где U(t) - потенциал , подаваемый на поверхность образца; k - коэффициент, выбираемый из соотношения 0,18 k 0,22; V - потенциал, соответствующий кинетической энергии анализируемых электронов; 6(t) 0,3 - смещение сканирующего электронного пучка вдоль оси симметрии анализатора. Способ позволяет увеличить исследуемую поверхность за счет определенного изменения потенциала , подаваемого на исследуемую поверхность . о СО оо N3 ОО 00 О5

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)4 Н01 J4948

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

К А BTOPCHOMV СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 3848483/24-21 (22 ) 04. 02. 85 (46) 07.07.87. Бюл. № 25 (7! ) Инст .T ò ядерной физики АН КазССР (72) В. В. Зашквара, В. С. Редькин, В. Ф. Маковский и В. E. Масягин (53) 539.211 (088.8) (56) Зандерна А. Методы анализа поверхности изделий. — М.: Мир, 1979, с. 213 — 215.

Заявка Японии № 58-30698, кл. Н 01 J 49, 48, 1983. (54) С(1ОСОБ РЕГИСТРАЦИИ ВТОРИЧHhlX ЭЛЕКТРОНОВ (57) Изобретение относится к энергоанализу пучков вторичных электронов и мокнет быть использовано в растровой спектроскопии. If() спи обу регистрации вторичных электронов образец, исследуемая поверхSU 1322386 А 1 ность которого совмещена с осью симметрии цилиндрического зеркального анализатора и находится под потенциалом, сканируют электронным пучком, регистрируют вторичные электроны и анализируют их энергетические спектры. В процессе сканирования образца потенциал его поверхности изменяется по закону U(I)= — k V 6(1), где U(I) потенциал, подаваемый на поверхность образца; k — коэффициент, выбираемый из соотношения 0,18(k (0,22; Y — потенциал, соответствующий кинетической энергии анализируемых электронов; 6(I)(0,3 — смещение сканирующего электронного пучка вдоль оси симметрии анализатора. Способ позволяет увеличить исследуемую поверхность за счет определенного изменения потенциала, подаваемого на исследуемую поверхность.!

322386

Формула изобретения

t.() (,I(tIt(н.(ь Н Ки

Р<;I;tt n)II . < г.((б() Г(!, I)(л I !. <3(I!< (:3;It;tн 2874 з! I и !)((н(бяк

l3l I IlI ill! I (.1 t ;ð((н(t(ft(JI() I (, "It I(l, (:«, ..I ии .(н (I Н<,<б, Ч ) i

1)Ь,(и()Ь

I<()pI)t t l(,Н <. tI< Иии

I1<) и(и(н и.

) )! и (()()I)(I (!. и)(II () r Ilt . I ни

II It), л 4 З ,t н< ()II(l;I, I 11Г н! н

11зобретение относится к энергоанализу пучков вторичных электронов и может быт(, использовано в растровой спектроскопии.

Цель изобретения — увеличение исследуемой поверхности за счет опр деленного изменения потенциала подаваемого на исследуемую поверхность.

Способ заключается в следующем.

Образец, исследуемая повер. ность I<>торого совмещена с осью симметрии цилиндрическогo зеркального анализатора (ЦЗА) и находится под потенциалом, сканируют электронным пучком, регистрируют вторичные электроны и анализируют их энергетические спектры. Причем в процессе сканирования образца потенциал его поверхности изменяется по следующему закону:

U (1= — t V б(1), где И (t) — потенциал, подаваемый на поверхность образца, В;

k — безразмерный коэффициент, выбираемый из соотношения 0,18<

< It<0,22;

Ъ потенциал, соответствуюгций кинетической энергии анализируемых электронов, В; (х (!) <0,3 — смещение сканируюгцего электронного пучка, вдоль оси симметрии анализатора, выраженное в долях радиуса внутреннего электрода анализатора.

Пример. Исследуют образец из молибденовой фольги с пленкой углеводородных загрязнений. Образец сканируют электронным пучком с энергией 1 кэВ пятном размером 0,2 мм. Радиусы внутреннего и наружного электродов ЦЗА составляют r 25 мм и г =- 57,5 мм. Приемная диафрагма устанавлив;: .н таким образом, что е края находятся на границе мини ма II llol 0 сечения суммарного контура двух пучков, выходя-! них из крайних точек зондируемого интервала.

Способ регистрации вторичных электронов, включающий подачу потенциала на исследуемую поверхность образца, совмещенную с осью симметрии цилиндрического зеркального анализатора вторичных электронов, сканирование исследуемой поверхности электронным пучком, регистрацию и анализ энергетических спектров вторичных электронов, отличающийся тем, что, с целью увеличения исследуемой поверхности, величину потенциала подаваемого в процессе сканирования на поверхность образца изменяют согласно соотношению где U(t) — — потенциал, подаваемый на поверхность образца, В;

k — безразмерный коэффициент, выбираемый нз интервала 0,18<

< k<0,22;

V — потенциал, соответствующий кинетической энер! ии анализируемых вторичных электронов, В;

6 (t) <0,3 — смещение сканирующего электронного пучка вдоль оси симметрии анализатора, выраженное в долях радиуса внутреннего электрода анализатора.