Способ отжига монослойных эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок для создания автосмещения

 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Целью изобретения является упрощение получения эпитаксиальных феррит-гранатовых шIe- нок (ЭФГП) с автосмещением. Подложку с ЭФПГ помещают в вакуумную отжиговую камеру, производят откачку камеры , поднимают температуру в камеру до 505-520°С и вьщерживают ЭФГП в изотермическом режиме в течение времени , необходимого для получения заданной величины автосмещения, производят стабилизирующее охлаждение образца со скоростью 5-10°С/мин до температуры 150 С, выключают нагреватель отжиговой камеры и ожидают охлаждения ЭФГП внутри камеры. Способ позволяет получать дешевые доменосодержащие пленки с малыми размерами ЦЩ и низким требуемым полем смещения. 1 з.п. ф-лы. с S (Л

СОЮЗ СО8ЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19) (11) (504 С 11 С 11 14

ЬИЗЛМ01КК;, ГОСУДАРСТЗЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ (21) 4038991/24-24 (22) 19.02.86 (46) 30.09.87. Бюл. Р 36 (71) Донецкий государственный университет и Макеевский инженерностроительный институт (72) Ф.Л.Вайсман, В.С.Гераснмчук, О.В.Ильчишин, К.М.Семенцов и А.А.Хома (53) 681.327.066 (088.8) (56) Патент США У 3529303, кл. 340-174, опублик. 1970.

Патент США У 3714640, кл. 340-174, опублик. 1973. (54) СПОСОБ ОТЖИГА МОНОСЛОЙНЫХ .

ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ФЕРРИТ-ГРАНАТОВЫХ

ПЛЕНОК ДЛЯ СОЗДАНИЯ АВТОСМЕЩЕНИЯ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (1ЩЦ). Целью изобретения является упрощение получения эпитаксиальных феррит-гранатовых пле нок (ЭФГП) с автосмещением. Подложку с ЭФПГ помещают в вакуумную отжиговую камеру, производят откачку камеры, поднимают температуру в камере до 505-520 С и выдерживают ЭФГП в изотермическом режиме в течение времени, необходимого для получения заданной величины автосмещения, производят стабилизирующее охлаждение образца со скоростью 5-10 С/мин до о температуры 150 С, выключают нагреватель отжиговой камеры и ожидают охлаждения ЭФГП внутри камеры. Способ позволяет получать дешевые доменосодержащие пленки с малыми размерами ЦМД и низким требуемым полем смещения. 1 з.п. ф-лы.

Предлагаемый способ отжига монослойных ЭФГП позволяет получать доменосодержащие пленки с малыми размерами ЦМД и низким требуемым полем смещения. Он значительно проще и дешевле способа получения доменосодержащих пленок с автосмещением на основе многослойных ЭФГП.

Составитель Г.Аникеев

Техред A.Kðàâ÷óê Корректор И.Муска

Редактор Л.Пчолинская

Заказ 4439/54 Тираж 589 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений и открытий

113035, Москва Ж-35, Раушская наб., д.4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г.Ужгород, ул.Проектная, 4

1 13416

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитб ных доменах (ЦМД).

Цель изобретения — упрощение технологии получения эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок с. автосмещением. 1Р

Способ осуществляется следующим образом.

Подложку с нанесенной на нее эпитаксиальной феррит-гранатовой пленкой (ЭФГП) помещают в вакуумную отжиговую камеру, обеспечивающую градиент температуры по поверхности пленки не более двух градусов. Производится безмасляная откачка объема камеры до величины давления порядка 20

10" мм рт.ст. Включают нагреватель камеры и температуру поднимают до заданной со скоростью, не превышаюо щей 150 С/мин. После достижения тема пературы в диапазоне 505-520 С под- 25 ложку с ЭФГП выдерживают в изотермическом режиме в течение времени, необходимого для получения заданной величины автосмещения. После этого производится стабилизирующее охлаж- Зд о дение образца со скоростью 5-10 С/мин до t50 С, Затем нагреватель отжиговой камеры выключают и остывание. образца происходит вместе с медленным остыванием камеры. Откачка вакуумной камеры производится в течение. всего процесса термообработки.

Время вьдержки ЭФГП в изотермическом режиме для конкретного типа пленки с заданными параметрами определяется экспериментально, Например, величина поля автосмещения кальцийгерманиевой ЭФГП толщиной 3 мкм при

79 2 изотермической вьдержке 10 ч и Н=40Ж от поля смещения пленки, а для пленки толщиной 5 и 7 мм при изатермической выдержке 15 и 20 ч величина ьН соответственно равна 30 и 20Х.

При этом способ обеспечивает разброс параметров образцов равных по толшике ЭФГП не более 27. При увеличении а скорости охлаждения до 20-30 С мин разброс параметров возрастает до

10-15Х.

Формула изобретения

1. Способ отжига монослойных эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок для создания автосмещения, основанный на жидкофазной эпитаксии, о тл и ч а ю шийся тем, что, с целью упрощения получения эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок с автосмещением, феррит-гранатовую пленку подвергают низкотемпературному вакуумному отжигу при 505-520 С с газотермической выдержкой и последующим стабилизирующим охлаждением.

2. Способ по п.1, о т л и ч а юшийся тем, что, с целью уменьшения разброса параметров эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок после отжига, стабилизирующее охлаждение ее производят со скоростью 5-10 град/мин.

Способ отжига монослойных эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок для создания автосмещения Способ отжига монослойных эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок для создания автосмещения 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в запоминающих устройствах вычислительных машин

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на плоских магнитных доменах (ПМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминаюш.их устройств на цилиндрических магнитных доменах

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЗУ ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для контроля накопителей информации на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (НМД)

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть ис-

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении устройств хранения дискретной информации на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Изобретение относится к вычислительной технике

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)
Наверх