Способ получения твердых растворов на основе галогенидов таллия
Авторы патента:
Способ получения твердых растворов на основе галогенидов таллия, включающий загрузку исходных компонентов, содержащих галогениды металлов твердого раствора, их нагрев до температуры выше температуры плавления получаемого твердого раствора и направленную кристаллизацию, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности процесса и его упрощения, в качестве исходных компонентов используют металлический таллий и по крайней мере один галогенид аммония, таллий берут в избытке 100 - 300 мол.% по отношению к галогенидам, помещают его сверху галогенидов и нагревают до температуры на 10 - 30oС выше температуры плавления твердого раствора, а кристаллизацию ведут перемещением таллия через галогениды.
Похожие патенты:
Монокристаллический материал для спектрометрических сцинтилляторов и способ его получения // 1362088
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из расплава, которые используют в сцинтилляционных счетчиках для регистрации и спектрометрии ионизирующих излучений
Изобретение относится к способам получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов и обеспечивает повышение производительности процесса при сохранении оптического качества кристаллов, а также одновременное получение сцинтилляционного элемента для низкофонового спектрометра, содержащего световод
Изобретение относится к области квантовой электроники, к способам создания лазерноактивных центров окраски в щелочно-галоидных кристаллах, и может быть использовано при изготовлении оптических элементов лазеров
Монокристаллический материал для спектрометрических сцинтилляторов и способ его получения // 1362088
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из расплава, которые используют в сцинтилляционных счетчиках для регистрации и спектрометрии ионизирующих излучений
Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов методом вертикально направленной кристаллизации и обеспечивает исключения перегрева ампулы в верхней зоне печи и снижение температурного градиента в расплаве
Изобретение относится к технологии полупроводниковых монокристаллов соединения CuAlSe2 и позволяет увеличить их размеры, оптическую однородность и стабильность на воздухе
Изобретение относится к способам получения сцинтилляционных щелочно-галоидных кристаллов и обеспечивает повышение производительности процесса при сохранении оптического качества кристаллов, а также одновременное получение сцинтилляционного элемента для низкофонового спектрометра, содержащего световод
Способ получения монокристаллов cds и cdse // 1279277
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов соединений AIIBVI со структурой вюрцита, применяемых в приборах оптоэлектроники и ИК-техники, и позволяет уменьшить плотность малоугловых границ и упростить ориентирование затравки, а также получать монокристаллы в виде пластин
Способ получения монокристаллов cds и cdse // 1279277
Изобретение относится к выращиванию монокристаллов соединений AIIBVI со структурой вюрцита, применяемых в приборах оптоэлектроники и ИК-техники, и позволяет уменьшить плотность малоугловых границ и упростить ориентирование затравки, а также получать монокристаллы в виде пластин
Изобретение относится к выращиванию кристаллов направленной кристаллизацией расплава и может быть использовано в электронной и полупроводниковой промышленности
Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6
