Способ определения диаметра пучка источника излучения

 

Изобретение относится к фотометрии и позволяет упростить и удешевить процесс определения диаметра пучка. Темновое сопротивление фотоприемника определяют при отсутствии освещения омметром. 5. После осве Цения фоточувствительного слоя 1 фотоприемника контролируемь1М излучением измеряют его световое сопротивление при интенсивности, соответствующей режиму работы фоторезистора на участке насыщения ег-о люксамперной характеристики. Напряжение на контактах 2 и 3 обусловлено условием , при котором электричегкое поле не вытягивает генерируемые светом носители из освещенной части 4 слоя 1, Из этих же соображений диаметр пучка излучения выбирается много большим длины диффузионного смещения неравновесных носителей. Приведено выражение , из которого определяют диаметр пучка. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСГ1УБ ЛИК

А1 (бР 4 С 02 В 27/00

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ СССР

ПО ДЕЛАМ ИЗОБРЕТЕНИЙ,И ОТКРЫТИЙ (21) 4074462/24-10 (22) 23.04,86 (46) 23 03 88, Бюл. К- 11 (71) Одесский гасударственный университет им. И, И, Мечникова (72) И.М. Викулин, Ш.Д. Курмашев, К.И. Викулина и В.А. Прохоров (53) 53.087.352(088,8) (56) Патент США Ф 4496834, кл. 250/211 R, 1985.

Литвак В.И. Фотоэлектрические. датчики в системах контроля, управления и регулирования. — M. Наука. 1966. (54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДИАМЕТРА ПУЧКА ИСТОЧНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ (57) Изобретение относится к фотометрии и позволяет упростить и удешевить процесс определения диаметра пучка.

Темновое сопротивление фотоприемника определяют при отсутствии ос".åùåíöÿ омметром.5. После освещения фоточувствительного слоя 1 фатаприемника контролируемым излучением измеряют ега световое сопротивление при интенсивности, соответствующей режиму работы фатарезистора на участке насыщения ега дюксамперной характеристики. Напряжение на контактах 2 и 3 обусловлена у . Io вием, при коТором электриче кое поле не вытягивает генерируемые светам носители из освещенной части 4 слоя

Из этих же соображений диаметр пучка излучения выбирается много большим

Ь .а длины диффузионного смещения нерав- @ навесных носителей. Приведено выражение, из которого определяют диаметр пучка. 1 ил.

1383272 действительно может быть рассчитано по приведенной формуле.

Расхождение в числах соответствует ошибке, определяемой классом точности используемых приборов. При уменьшении диаметра луча до 1 мм значение

R составляет 2,3 МОм, что также находится в удовлетворительном соответствии с формулой. Фоторезисторы ФСК изготавливаются из сульфида кадмия,длина диффузионного смещения неосновных носителей в котором порядка 10 мкм.

Поэтому увеличением размеров светового пятна на фоторезисторе за счет диффузии при указанных диаметрах луча можно пренебречь. Уменьшение интенсивности излучения лазера в 2 раза (светофильтром) не изменяло величину R, а это означает, что интенсивность излучения больше величины, .

Формула изобретения

Способ определения диаметра пучка источника излучения, заключающийся в освещении контролируемым излучением полупроводникового фотоприемника с размерами светочувствительной площадки, превышающими диаметр пучка, с последующим измерением значения одной из электрических характеристик фотоприемника, отличающийся тем, что, с целью упрощения и уде,шевления определения диаметра пучка, ! измеряют темновое и световое сопротивления фотоприемника, причем измерение светового сопротивления выполняют при величинах интенсивностей контролируемого излучения, соответствующих режиму работы, фотоприемника на участке насыщения его люкс-амперной характеристики, а диаметр пучка

d контролируемого излучения определяется иэ выражения

R=R /(1+7> сР /4Ъ1+2сР /ЗЪ1) где Ъ,1

ВНИИПИ Заказ 1293/43 Тираж 533

Подписное

Произв. — иолигр. пр-тие, r. Ужгород, ул. Проектная, 4

Изобретение относится к фотометрии и может быть использовано в измерительной технике, автоматике и оптичес— кой электронике.

Пель изобретения — расширение диапазона измерения диаметров пучка контролируемых источников излучения, На чертеже представлено устройство

4 для осуществления предлагаемого способа, Устройство содержит фоторезистор с фоточувствительным слоем 1, контакты

2 и 3, освещенная часть слоя 4, омметр 5. 15

Определение диаметра луча света производится следующим образом.

При отсутствии освещения измеряется темновое сопротивление фоторезистора Ro Затем на фоторезистор нап- 20 равляется луч и его интенсивность . увеличивается до величины Ч, при превышении которой сопротивление фоторезистора перестает зависеть от интенсивности ° После этого измеряется 25 сопротивление R. Зная размеры фоточувствительной площадки 1, диаметр луча определяется по формуле. Для убыстрения процесса измерения при известных Ь, 1 и R, у конкретного фо- 30 торезистора можно построить график

R =: Z(d), откуда и определяется Й по измеренной величине R, Напряжение на контактах 2 и 3 должно быть небольшим с тем, чтобы электрическое поле не вытягивало генерированные светом носители из освещенной части.

Из этих же соображений длина диффузионного смещения неравновесных носителей должна быть много меньше диамет-@ ра луча, Опытная проверка способа осуществлялась с использованием фоторезистора типа ФСК-1. Края полупроводникового кристалла спиливались с тем, чтобы

45 размеры световой площадки составляли

4 с4 мм.

При таких размерах темновое сопротивление R, равно 2,48 МОМ» При осве-50 щении лучом с d = 2 мм от лазера Лà — 78 (красный свет) сопротивление уменьшалось до К = 1,9 МОм. При указанном диаметре определенное по формуле R равно 1,93 МОм. Таким образом,55 ширина и длина светочувствительной площадки фотоприемника; световое и темновое сопротивление фотоприемника; диаметр пучка контролируемого излучения;

3, 14.