Ячейка устройства сверхвысокого давления
Авторы патента:
1. Ячейка устройства сверхвысокого давления, содержащая контейнер с образцом, нагревателем и термотриадой для измерения давления и температуры, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности измерения давления при высоких температурах, термотриада снабжена двумя дополнительными спаями, при этом термотриада с образцом размещена в верхней части ячейки вместе с нагревателем, дополнительные спаи размещены в нижней части ячейки и отделены от ее верхней части теплоизоляционным элементом.
2. Ячейка по п.1, отличающаяся тем, что в нижней части ячейки размещен датчик для измерения давления, а в верхней части в зоне высоких температур - термопара.
Похожие патенты:
Изобретение относится к технике высоких давлений и позволяет расширить диапазон статических давлений и температурный диапазон исследований
Изобретение относится к области обработки материалов сверхвысоким давлением и позволяет повысить надеждность устройства
Изобретение относится к технике создаиня сверхвысоких давлений и температур и позволяет повысить срок службы устройства
Изобретение относится к технике сверхвысоких давлений и температур и позволяет повысить точность поддержания температуры в реакционном объеме устройства и увеличить его работоспособность
Изобретение относится к устройствам , при)меняемым изучении защитных и химических свойств веществ при длительных вьщержках под высоким давлением
Изобретение относится к взрывному синтезу алмазов и может быть использовано для синтеза алмаза непосредственно в процессе детонации углеродсодержащего взрывчатого вещества с отрицательным кислородным балансом (BB) и дальнейшего разлета продуктов взрыва
Изобретение относится к технике для производства сверхтвердых материалов (СТМ), например алмазов, путем синтеза
Изобретение относится к технологическим приемам получения искусственных кристаллов алмаза из углеродсодержащего сырья, при высокой температуре и в атмосфере сжатого газа, относительно низкого давления
Изобретение относится к изготовлению промышленных алмазов, а точнее к способам изготовления поликристаллических алмазных слоев для электронной промышленности, точной механики, микротехнологии
Изобретение относится к области изготовления сверхтвердых материалов из углеродной массы
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов алмаза для алмазного инструмента
Изобретение относится к области неорганической химии, в частности к способам получения графитоподобного нитрида бора (ГНБ) в режиме самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС), который может быть использован в области получения керамических материалов, как исходный продукт для синтеза плотных сверхтвердых модификаций нитрида бора, в химической и абразивной промышленности
Способ получения искусственных алмазов // 2131763
