Шихта для изготовления сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала

 

СОЮЗ СОВЕТСНИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН

„.Я0„„3463729 А1 (51)4 С 04 В 35/46 Н 01 С 4/12

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТНРЫТИЯМ

ПРИ ГННТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (54) ШИХТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КЕРАМИЧЕСКОГО КОНДЕКЕСАТОРНОГО МАТЕРИАЛА (57) Изобретение относится к радиоэлектронной технике, в частности к составам керамических диэлектриков, 1 2 1мй

Изобретение относится к радиоэлек-,: 4000-5000 см /r. Измельченные спеки, тронной технике, в частности к сос- 7 взятые в заданном соотношении, сметавам керамических диэлектриков, и шивают с требуемым количеством углеможет быть использовано для изготов- . кислого марганца, оксидов цинка, ления низкочастотных керамических ниобия и каолина (Глуховецкого месконденсаторов. торождения, включающий компоненты согласно Фсрмулы А1 Оу 2810 2HgO) 1©

Цель изобретения - ювьппение ди- Полученную смесь измельчают до, электрической проницаемости материа- удельной поверхности 5000-7000 см /г ла а и используют для получения диэлектриШихту получают следующим образом. ка конденсаторов по принятой в кераПредва ительно известным в херами- мическом конденсаторостроении техноческой. технологии способом получают логии. спеки титаната бария, цирконата каль- Конкретные примеры шихты приведеция и станната кальция, которые син- ны в табл. 1, а в табл. 2 - характетезнруют при 1220-1300 С, затем из- ристики полученных из шихты матернамельчают до удельной поверхности лов. (21) . 4199589/29-33 (62) 41436! 4/29-33 (22) 04. 01.87 (23) 03.11.86 (46) 07.03.89. Бюл. Р 9 (72) Э.И.Иамчиц, И.Г.Бертош, В.В.Самойлов, Л.И.Егоров, З.И.Давыдова, Л.Д.Подласенко и В.Ф.Ларичева (53) 666.638 (088 ° 8) (56) Авторское свидетельство СССР

11 1258825, кл. С 04 В 35/46, 1986.

Авторское свидетельство СССР

11 810643, кл. С 04 В 35/46, 1981 и может быть использовано для изготовления низкочастотных керамических конденсаторов. Для повышения диэлектрической проницаемости материала шихта сегнетоэлектрического керамического конденсаторного материала содержит в качестве добавки Са$п074 и каолин при следующем соотношении компонентов, мас.Ж: ВаТ10з 86,2188,40, CaZrO 8,0-9,0, МпСО 0,080,10е Nb

8,7 ГОм м, Е„р 4-5 ВЕ/м, Гц 20-25 Е, Щ температура спекания материала 12801300 С. 2 табл.

1463729

Таблица 1

Содержание компонентов, мас.%

CaZrO NnC0q Nba y 2пО CaSn0>

Пр ер

ВаТ101 Каолин

9,0 0 10 0 98 0,70 2,66 0 35

8,5 0,09 0,84 0,60 2,41 0,27

8,0 0,08 0,70 0,45 2,17 0,20

1 86,21

2,87,29

3i 88,40

Таблица 2 пр» о с дс/С «100% Т,„,„, в интерва- С ле 40-20 С

6 tgcPr 102

Рч E np»

ГОм м ИВ/м при 100 С ер

1300

4 20 . 83

5 20 82

5 25 84

8,7

5,6

16800+200 1,25+0,3

152001300 2, 15+0,3

15000+300 2,25+0,25

Из

1320-1370

5, 9 10-25 90

9-10

ый 10500 14000 О, 75 ст й« !

Формула изобретения

CaSn0 и каолин при следующем соотношении, мас.%:

Составитель Л.Косяченко

Техред Л.Олийнык Корректор О.Кравцова

Редактор Г.Волкова

Заказ 787/30 Тираж 589 Подписное

ВЙИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 эл с

В и .р она та для изготовления сегнетоического керамического конденого материала, включающая

СаЕгОэ» АСС » Nb 0 » ZnO вку, отличающаяся то, с целью повышения дизлектой проницаемости материала, одержит в качестве добавки

ВаТз.О

CaZrO

ЗО яьг05

Zn0

CaSn0g

Каолин

86, 21-88,40

8,0-9, 0

0,08-0,10

0,70.-0,98

0.,45-0,70

2,17-2,66

0,20-0,35