Устройство для исследования диэлектриков методом фотоэлектронной спектроскопии

 

Изобретение относится к аппаратуре для физических исследований твердых тел методами вторичной эмиссии и может применяться для исследования диэлектриков методом фотоэлектронной эмиссии. Цель изобретения - повышение энергетического разрешения и точности измерения фотоэлектронных спектров. Для этого в устройство, содержащее источник 1 возбуждающего излучения, фокусирующий его на поверхность образца 3, установленного в держателе на манипуляторе 2, энергоанализатор 12 и источник 9 медленных электронов, введены измеритель 6 электростатического поля, соединенный через амплитудо-временной преобразователь 14 с дополнительным электродом 11 источника 9 медленных электронов, причем измеритель 6 электростатического поля и источник 9 медленных электронов установлены между образцом 3 и входом энергоанализатора 12 на рычагах 19, 18 из немагнитного материала, соединенных посредством шаровых шарниров с манипулятором 2, обеспечивающих после выставления поверхности образца 3 на электронно-оптическую ось энергоанализатора 12 совмещение пучков возбуждающего излучения и компенсирующих электронов на поверхности образца 3. Электронно-оптическая ось источника 9 медленных компенсирующих электронов установлена относительно электронно-оптической оси энергоанализатора 12 под углом, большим угла вхождения эмитированных из образца 3 фотоэлектронов в энергоанализатор 12. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК 1> 4 G 01 N 23/227

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К Д BTOPCHOh1V СВИДЕТЕЛЬСТВУ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР (21) 4287136/31-25 (22) 20.07 ° 87 (46) 23.04.89. Бюл. Р 15 (71) Научно-исследовательский институт ядерной физики при Томском политехническом институте им.С.М.Кирова (72) Н.А. Тимченко и А.А. Шевцов (53) 543.53(088.8) (56) Патент CIIIA N 3665185, кл. 250-49.5, 1972.

Himpsel F.J. and Stenmann W. Angle

and energy dependence of photoemission from ИаС1 and КС1 single crystals. Phys. Rev. Lett, 1975, vol. 35, У 15, р. 1085-1028. (54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИКОВ МЕТОДОМ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ

СПЕКТРОСКОПИИ (57) Изобретение относится к аппаратуре для физических исследований твердых тел методами вторичной эмиссии и может применяться для исследования диэлектриков. Цель изобрЕтения— повьппение энергетического разрешения и точности измерения фотоэлектронных спектров. Для этого в устройство, содержащее источник 1 возбуждающего из-. лучения, фокусирующий его на поверх„„SU„„1474529 А1 ность образца 3, установленного в держателе на манипуляторе 2, энергоанализатор 12 и источник 9 медленных электронов, введены измеритель 6 элек тростатического поля, соединенный через амплитудно-временной преобразователь 14 с дополнительным электродом

11 источника 9 медленных электронов.

Причем измеритель 6 электростатического поля и источник 9 медленных электронов установлены между образцом

3. и входом энергоанализатора 12 на рычагах 19, 18 из немагнитного материала, соединенных посредством шаровых шарниров с манипулятором 2,обеспечивающих после выставления поверхности образца 3 на электронно-оптическую ось энергоанализатора 12 совмещение пучков возбуждающего излучения и компенсирующих электронов на поверхности образца 3. Электроннооптическая ось источника 9 медленных компенсирующих электронов установлена относительно электронно-оптической оси энергоанализатора 12 под углом, большим угла вхождения эмитированных из образца 3 фотоэлектронов в энергоанализатор 12. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

1474529

Изобретение относится к аппаратуре для физических исследований твердых тел методами вторичнои эмиссии и может применять для исследования диэлектриков методом фотоэлектроннои спектроскопии.

Цель изобретения — повышение энергетического разрешения и точности измерения фотоэлектронных спектров.. 1О

Иа чертеже показана схема устройства для исследования диэлектриков методом фотоэлектронной спектроскопии.

Устройство содержит источник 1 15 возбуждающего излучения, манипулятор

2 с держателем (не показан) исследуемого образца 3, антимагнптпый экран

4 вокруг манипулятора 2 с образцом 3, на который падает сфокусированный 2О пучок 5 возбуждающего излучения источника 1, измеритель 6 электростатического поля образца 3 с измерительным электродом 7 и электромагнитом 8, компенсирующий источник 9

25 медлепных электронов с катодом 10 и ,управляющим (дополнительным) электродом 11, энергоанализатор 12. Все эти элементы находятся в вакуумной каt

° мере (не показана) . ЗО

Катод 10 источника 9 медленных электронов подключен к блоку 13 питания, а управляющий электрод 11 — к выходу амплитудно-временного преобразователя 14. С энергоанализатором

12 связан блок 15 регистрации фотоэлектронных спектров ° Измерительный электрод 7 измерителя 6 электростатического поля через усилитель-формирователь 16 подключен к входу преоб- 4О разователя 14. К электромагниту 8 измерителя 6 подключен генератор 17 переменного тока. Источник 9 медленных электронов и измеритель 6 электростатического поля образца установлены45 на рычагах 18 и 19 из немагнитного материала, шарнирно связанных с манипулятором 2.

Источник 9 медленных электронов имеет электронно-оптическую ось, рас- „ попоженную под углом к электроннооптической оси энергоанализатора 12, большим угла вхождения фотоэлектронов в энергоанализатор 12.

Устройство работает следующим образом.

В исходном состоянии, когда воз буя цающее излучение отсутствует и поверхность исследуемого образца 3 электрически нейтральна„ сигнал с измерителя 6 электростатического поля равен нулю, управляющий электрод 11 источника 9 медленных электронов находится под положительным потенциалом относительно катода 10.

Попеременно включая источник 1 возбуждающего излучения и источник 9 медленных электронов, по сигналам с измерителя 6 электростатического поля и блока 15 регистрации фотоэлектронных спектров, настроенного на электроны определенной энергии„ поверхность исследуемого образца 3 устанавливается на электронно-оптическую ось энергоанализатора 12 с помощью манипулятора 2 и рычагов 18 и 19. Затем на ней совмещаются зарядовые пятна, образующиеся на образце 3 под дейст1 вием остросфокусированпых пучков источника 1 возбуждающего излучения и источника 9 медленных электронов.

Причем, поскольку основная часть распределения интенсивности упруго отраженных электронов малых энергий

Е «й 1 эВ при отражении от кристалЭ ла в усЛовиях дифракции и углах падения, не равных нулю, сосредоточена вблизи оси пучка зеркального отражения, в так называемом "нулевом порядке", то для исключения попадания этих электронов в энергоанализатор

12 электронно-оптическая ось источника 9 медленных электронов устанавливается под углом к электронно-оптической оси энергоанализатора 12, большим угла ввода фотоэлектронов в энергоанализатор 12.

После этого устройство готово к проведению измерений фотоэлектронных спектров, которые проводятся следующим образом. Фотоэлектроны, вышедшие с поверхности образца 3 под действием пучка 5 возбуждающего излучения, поступают на вход энергоанализатора 12 и, регистрируются блоком 15. Вследствие ухода с образца

3 фотоэлектронов. на его поверхности образуется зарядовое пятно. Величина заряда определяется по напряженности электрического поля с помощью измерителя 6 в виде ЗДС переменного тока, наведенного на вибрирующем измерительном электроде 7. Злектрод

7 приводится в движение электромагнитом 8, запитанным от генератора

17. Сигнал о величине заряда, который может быть измерен с точностью боль-.

1474529 ранов в энергоанализатор.

2. Устройство по п,1, а т л и ч а ю щ е е с я тем, чта измеритель электростатического паля и источник медленных электронов установлены на рычагах из немагнитных материалов, шарнирно связанных с манипуляторам держателя образца.

Составитель К. Кононов

Техред П.Сердюкова Корректор М. Демчик

Редактор Н. Тупица

Заказ 1886/41 Тираж 788 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 ше чем +0,1 эВ, поступает с измерителя 6 на усилитель-формирователь 16, а с него — на амплитудно-временной преобразователь 14, вырабатывающий импульс напряжения с длительностью, соответствующей величине заряда поверхности. Этот импульс подается на управляющий электрод 11 источника 9 медленных электронов и управляет чис- 10 лом компенсирующих электронов.

Таким образом, механизм компенсации зарядки образца 3 позволяет с большой точностью компенсировать заряд поверхности исследуемого образца 3 диэлектрика, что позволяет достичь энергетического разрешения фотоэлектронных спектров не хуже, чем 0,1 эВ, поскольку эта точность в данном случае определяется точностью измерения заряда и с использованием современных измерителей может быть лучше, чем 0,1 эВ.

Использование для компенсации зарядового пятна сфокусированного пучка медленных электронов, направляемого под указанным углом, исключает ошибки, вносимые в измеряемые спектры зарядкой компенсирующими электронами "нерабочей" поверхности образ- 30 ца 3 и прямым попаданием упруго отраженных компенсирующих электронов в энергоанализатор 12, Фо,рмула из о бретения

1. Устройство для исследования диэлектриков методом фотоэлектронной спектроскопии, содержаще"=. держатель образца с манипулятором, источник сфокусированного на поверхности образца возбуждающего излучения,энергоанализатор и компенсирующий источник медленных электронов с катодом и дополнительным электродом, о т л ич а ю щ е е с я тем, чта, с целью повышения энергетического разрешения и точности измерения фотоэлектронных спектров. введены измеритель электростатического поля образца, амплитудно-временной преобразователь и средство совмещения на поверхнос( ти образца потоков возбуждающего излучения и компенсирующих медленных электронов, причем источник медленных электронов выполнен фокусирующим, измеритель электростатического .поля через амплитудно-временной преобразователь соединен с дополнительным электродом компенсирующего источника медленных электронов и угол между оптической осью энергоанализатора и оптической осью источника медленных электронов выбран большим максимального угла вхождения фотоэлект

Устройство для исследования диэлектриков методом фотоэлектронной спектроскопии Устройство для исследования диэлектриков методом фотоэлектронной спектроскопии Устройство для исследования диэлектриков методом фотоэлектронной спектроскопии 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к области энергетического анализа заряженных частиц

Изобретение относится к физичес КИМ методам исследования состава.материалов , а более конкретно к способам анализа твердых тел методом электронной оже-спектроскопии

Изобретение относится к геологии и предназначено для минералогии

Изобретение относится к области анализа материалов с помощью рентгеновского излучения и может быть использовано для неразрушающего анализа химического состава многокомпонентных материалов и определения энергии связи остовного уровня атома, находящегося в определенном химическом состоянии

Изобретение относится к устройствам для исследования физико-химических свойств металлов и сплавов, а именно для определения температурной зависимости работы выхода электрона (РВЭ) металлов и сплавов в широкой области температур и составов

Изобретение относится к электронно-зондовому микроанализу твердых тел

Изобретение относится к электронной оже-спектроскопии и может быть использовано при исследовании инструментальных сталей и их сплавов

Изобретение относится к области физических методов исследования поверхности твердых тел и может использоваться для определения доли графитовой фазы в адсорбированной на металле углеродной пленке

Изобретение относится к измерению и контролю электрофизических параметров материалов электронной техники, в частности контролю химического состава твердых тел как на его поверхности, так и в глубинных слоях

Изобретение относится к физическим методам исследования поверхностей твердых тел, покрытых адсорбированными пленками

Изобретение относится к физическим методам анализа материалов электронной техники и может применяться для анализа тонких пленок методом Оже-спектроскопии Цель изобретения - повышение разрешения по глубине Для этого исследуемый образец облучают электронами с энергией 10-15 кэВ и одновременно со спектром Ожеэлектронов регистрируют характеристическое рентгеновское излучение исследуемого образца
Наверх