Элемент с тремя состояниями на кмдп-транзисторах

 

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано в цифровых интегральных схемах в качестве выходного устройства. Целью изобретения является упрощение устройства за счет уменьшения числа внешних выводов и соответствующих управляющих воздействий. С этой целью в устройство введен третий МДП-транзистор 6N-типа, а элемент И-НЕ 1 снабжен дополнительным выходом 14. Устройство содержит также два транзистора 2,3 р-типа и первый 4 и второй 5 транзисторы N-типа. Благодаря использованию дополнительного выхода 14 элемента И-НЕ 1 и третьего транзистора 6 N-типа, шунтирующего затворы выходных транзисторов 2 и 4, обеспечивается функционирование элемента с тремя состояниями с меньшим числом внешних выводов. 1 ил.

сооз соеетсних социАлистичесних

РЕСПУ6ЛИК

„.SU„„1492467

А1 (51)4 Н 03 К 19/094

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

2 ства. Целью изобретения является уп- рощение устройства эа счет уменьыения числа внеыних выводов и соответствующих управляющих воздействий.

С этой целью в устройство введен третий МДП-транзистор 6 п-Tèïà а эле) мент И-НЕ 1 снабжен дополнительным выходом 14. Устройство содержит также два транзистора 2-3 р-типа и первый 4 и второй 5 транзисторы п-типа.

Благодаря использованию дополнительного выхода 14 элемента И-НЕ 1 и третьего транзистора 6 п-типа, ыунтирующего затворы выходных транзисторов 2 и 4, обеспечивается функционирование элемента с тремя состояниями с меньшим числом внеыних выводов. 1 ил. Е

ГОСУДАРСТ8ЕННЫЙ КОМИТЕТ

re иэо6Ретениям и открытиям

ГвИ ГКНТ СССР

1 (21) 4344513/24-21 (22) 15. 12.87 (46) 07.07.89. Бюл. Р 25 (72) А.Б.Аскалепов (53) 621.39(088.8) (56) Патент СЫА 11 4037114, кл. Н 03 К 19/094, 19.07.77.

Авторское свидетельство СССР

Ф 1182665, кл. Н 03 К 19/08, 18.04.84. (54) ЭЛЕМЕНТ С ТРЕМЯ СОСТОЯНИЯМИ HA

КИДП-ТРАНЗИСТОРАХ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в цифровых интегральных схемах в качестве выходного устройС: з вВа

CO

ЬЭ

4ь

СЬ 3

2467

55 з 149

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано в цифровых интегральных схемах в качестве выходного устройства.

Целью изобретения является упрощение устройства эа счет уменьшения числа внешних выводов и соответствующих управляющих воздействий.

Укаэанная цель достигается путем . введения дополнительного транзистора и использования дополнительного выхода элемента И-НЕ, благодаря чему элемент с тремя состояниями требует для своей реализации меньшее число транзисторов.

На чертеже приведена принципиальная схема элемента с тремя состояниями на КМДП-транзисторах.

Устройство содержит элемент И-НЕ 1, два транзистора 2-3 р-типа и три транзистора 4-6 и-типа. Входные клеммы 7-8 устройства являются входами элемента И-HE 1, выход 9 которого соединен с затвором первого транзистора 2 р-типа и стоком третьего транзистора 6 и-типа. Истоки всех транзисторов р-типа соединены с шиной 10 питания. Истоки первого 4 и второго 5 транзисторов и-типа подключены к общей шине 11. Первые транзисторы 2 и 4 обоих типов соединены последовательно и их общая точка подключена к выходной клемме 12 устройства.

Затворы второго транзистора 3 ртипа и третьего транзистора 6 и-типа подключены к второй входной клемме 8 устройства. Второй 5 и третий 6 транзисторы п-типа соединены последовательно, а их общая точка 13 подключена к затвору первого транзистора 4 п-типа, Элемент И-НЕ 1 снабжен дополнительным выходом 14, который является общей точкой последовательно включенных транзисторов 15 и 16 и-типа этого элемента. Элемент И-НЕ также включен между шиной питания 10 и общей шиной 11. Сток второго транзистора 3 р-типа и затвор второго транзистора

5 и-типа объединены и подключены к дополнительному выходу 14 элемента

И-НЕ 1.

Устройство функционирует следующим образом.

На входные клеммы 7 и 8 подаются соответственно информационный и управляющий сигналы. Когда на входную клемму 8 подан сигнал логичвско10

40 го "0", на обоих выходах 9 и 14 элемента И-НЕ 1 устанавлилаются напряжения высокого уровня, причем независимо от значения информационного сиге нала.

Первый транзистор 2 р-типа ири этом закрыт высоким уровнем напряжения с выхода 9 элемента И НЕ 1, а первый транзистор 4 и-типа закрыт низким уровнем напряжения с общей точки 13 транзисторов 5 и 6 п-тниа, так как второй транзистор 5 и-типа открыт сигналом высокого уровня с дополнительного выхода 14 элемента ИНЕ 1. В этом состоянии выходная клемма 12 устройства отключена от шины 10 питания и общей шины 11 и находится в состоянии с высоким выходным сопротивлением — в третьем состоянии.

Когда управляющий сигнал, подаваемый на вторую входную клемму 8 устройства, соответствует логической

"1", на дополнительном выходе 14 элемента И-НЕ 1 устанавливается сигнал низкого уровня, вторые транзисторы 3 и 5 обоих типов закрываются, а третий транзистор 6 и-типа ири этом открыт и обеспечивает передачу напряжения с выхода 9 элемента И-HE "1 в общую точку 13. Таким образом, на затворы первых транзисторов 2 и 4 обоих типов поступает логический сигнал с выхода 9 элемента И-НЕ, кото1 рый зависит от информационного сигнала, подаваемого на первую входную клемму 7 устройства.

Если информационный сигнал соответствует логической "1", то на выходе 9 элемента И-НЕ 1 напряжение низкого уровня, транзистор 2 р-типа открыт, а транзистор 4 и-типа закрыт.

На выходной клемме 12 устройства ири этом также сигнал высокого уровня.

Таким образом, обеспечивается функционирование элемента с тремя состояниями ири использовании только двух входных воздействий, причем входные клеммы устройства соединены только с затворами МДМ-транэисторов.

По сравнению с иэвестным устройством данное устройство имеет на один вывод меньше или требует для своей реализации иа один транзистор меньше, Если использовать в известном устройстве дополнительный инвертор для получения дополняющего управляющего сигнала. мента.

Составитель В,Лементуев

Техред А. Кравчук Корректор Т.Малец

Редактор С.Пекарь

Заказ 3893/$6 Тираж 884 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

11303$, Москва, Ж-3$, Раушская наб., д. 4/$

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101

5 14

Ф о р м у л а и э о б р е т е и и я .

Элемент с тремя состояниями на

КАП-транзисторах, содержащий элемент И-HE два транзистора р-типа, первый и второй транзисторы п-типа, причем входы элемента И-НЕ являются входными клеммами устройства, а выход соединен с затвором первого транзистора р-типа, исток которого соединен с шиной питания, а сток — с выходной клеммой устройства и со стоком первого транзистора п-типа, исток которого подключен к общей шине, а затвор — к стоку второго транзистора п-типа, исток которого также соеди92467 6 нен с общей шиной, о т л и ч а ю шийся тем, что, с целью упрощения, в него введен третий транзистор п-типа, сток которого соединен с вы5 ходом элемента И-НЕ, исток — со стоком второго транзистора п-типа, а затвор — с одной из входных клемм устройства и с затвором второго транзистора р-типа, исток которого подключен к шине питания, а сток соединен с затвором второго транзистора и-типа и с дополнительным выходом элемента И-НЕ, являющимся общей точкой последовательно соединенных одноименных транзисторов этого эле