Патент ссср 154902

 

№ 15490?

Класс G Olr; 21а4, 71

Ь ч(1

1 . -. "-Ы 11 У v

СССР! г, .- „....,.

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Г1одписная группа И 89

Л. Я. Шапиро и Г. П. Шеров-Игнатьев

СПОСОБ НЕПОСРЕДСТВЕННОГО ИЗМЕРЕНИЯ ПАРАМЕТРА

ТРАНЗИСТОРОВ (1 — а) Заявлено 21 июля 1961 г. за Хо 738990/26-9 в Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Опубликовано в «Бюллетене изобретений и товарных знаков» No 11 за 1963 г, Известные способы непосредственного измерения комплексного статического коэффициента передачи транзисторов (1 — и), основанные на измерении величины полного сопротивления, например, при помощи высокочастотного моста, не обеспечивают высокой точности измерения.

В предлагаемом способе для повышения точности измерений транзистор .включают по схеме с общим коллектором в плечо моста.

В соответствии с описываемым способом для измерения полного сопротивления исследуемый транзистор включают по схеме с общим коллектором в плечо моста или применяют для этой цели измерители полных сопротивлений, например, импедансметры. Полное сопротивление транзистора, представляет собой сумму двух последовательчо включенных сопротивлений. Одно из этих сопротивлений, равное произведению параметра (1 — а) на полное сопротивление во входной цепи транзистора, непосредственно отсчитывают по эталонам активного и реактивного сопротивлений импедансметра. Влияние второго сопротивления исключают при начальной регулировке методом замещения.

Расчетным путем параметр (1 — g) определяют из выражения для гыходного сопротивления схемы с общим коллекторо.п:

Z «;.= — + Z (1 — ), где

1 )9

У „— параметр Ув в схеме с общим коллектором;

Z,— сопротивление, включенное между базой и коллектором измеряемого транзистора.

Величина, может быть измерена отдельно.

»2

¹ 154902

При использовании моста она учитывается при первоначальной балансировке, вследствие чего эта величина не влияет на точность результатов измерений.

Описанный спосоо непосредственного измерения параметра тра11зисторсв (1 — а) дает возможность использовать импедансны11 мост для непосредственного измерения в диапазоне до 20 игг1 четырех расчетны.; параметров транзисторов, а именно: (1 — а); /1;1: Л2, и У з, через

Kofo1ibIe Расчет11ым 11Уте11 о11Реде IHI0T 1 еc Z; У li .l. паРа.,1етРьl для трех схем включения транзистора (общая база, эмиттер или коллектор).

Способ может найти применение и при определении комплексных параметров а и 1з, характеризующих усилительные свойства транзисторов в широком диапазоне частот.

Предмет изобретения

Способ непосредственного измерения параметра транзисторов (1 — а), основанный на использовании измерителя полных сопротивлений, например, высокочастотного моста, отл и ч а ю щи и с я тем, что, с целью повышения точности измерений, транзистор включают по схеме с общим коллектором в плечо моста и измеряют его полное выходное сопротивление,: состоящее из суммы двух сопротивлений, причем одно из них методом замещения исключают при начальной регулировке, а второе, представляющее собой произведение (1 — ц) на полное сопротивление во входной цепи транзистора, отсчитывают по эталонам моста.

Редактор О. Д. Ус Техред A. А. Камышникова

Корректор T. В. Муллина

Подп. к печ. 1/VII — 63 r, Формат бум. 70 X 108 )iI; Объем 0,18 изд. л.

Заказ 1512, 8 Тирани 950 Цена 4 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4.

Типография, пр. Сапунова, 2.