Формирователь тока для доменной памяти

Авторы патента:

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для формирования тока в катушках поля вращения в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах /ЦМД ЗУ/. Цель изобретения повышение надежности устройства за счет улучшения формы тока. Формирователь тока для доменной памяти содержит ключевые элементы 1-4 на транзисторах, ограничительные элементы 5, 6 на диодах, катушку 7 поля вращения, ключевые элементы 8, 9 на транзисторах и ограничительные элементы 10, 11, выполненные на стабилитронах. Введение пятого и шестого ключевых элементов и двух стабилитронов позволяет изменять установившееся значение тока на участке формирования его спада и, тем самым меняя длительность спада, устранить "ступеньку" при переходе от участка нарастания к участку спада тока. Улучшение формы тока позволяет повысить надежность ЦМД ЗУ за счет увеличения области устойчивой работы. 1 ил.

союз сонетсних

СОЦИАЛИСТИЧЕСНИХ

РЕСПУБЛИН (19) (11) .

А 1 (51)4 G 11 С 117 ra

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

H А BTOPCKOMY СВИДЕТЕЛЬСТВУ с

1 (21) 4345457/24-24 (22) 17.12.87 (46) 23,11.89. Бюл. И 43 (75) В.С.Клейменов и В.Д.Кобыляков (53) 681.327.6(088.8) (56) Патент CIIIA 9 4310898, кл. 365/6, опублик. 1982.

Заявка Японии 1Ir 61-3021, кл. G 11 С 11/14, 19/08, опублик.1986 (54) ФОРМИРОВЛТЕДЬ ТОКЛ ДЛЯ ДОМЕННОЙ

ПАМЯТИ (57) Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для формирования тока в катушках поля вращения в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД ЗУ), Целью изобретения являетсл повышение надежности устройства эа счет улучшения формы тока. Формирователь тока для доменной памяти содержит ключевые элементы

I-4 на транзисторах, ограничительные элементы 5, 6 на диодах, катушку 7 поля вращения, ключевые элементы 8, 9 на транзисторах и ограничительные элементы 10, 11, выполненные на стабилитронах. Введение пятого и шестого ключевых элементов и двух стабилитронов позволяет изменять установившееся значение тока на участке формирования его спада и, тем самым меняя

lt длительность спада, устранить ступеньку" при переходе от участка нарастания к участку спада тока. Улучшение формы тока позволяет повысить надежность ЦМД ЗУ за счет увеличения области устойчивой работы, 1 ил.

1524090

Пзобретение Относится к вычислительной технике и может быть использовано для формирования тока в катушках поля вращения в апоминающих уст5 роиствах иа цилиндрических магнитных доменах (1ИД).

Целью изобретения является повышение надежности устройства за счет улучшения формы тока.

На чертеже представлена схема формирователя тока для доменной памяти.

Фор1111рователь тока для доменной памят; содержит первый, второй, третий и четвертый ключевые элементы

1 вЂ” 4, выполне1шые на транзисторах, первый 5 и второй 6 Оrpаничительные элементы на диодах, катушку 7 поля вращения, пятый 8 11 шестой 9 ключевые элементы на транзисторах и третий 10 и четвертый 11 Огра1шчительные элевЂ” менты на стабилитронах, На чертеже показаны первый 12, второй 13, третий 14 и четвертый 15 управляющие входы формирователя тока, шина 16 источника питания с напряжением +Е и шина 17 нулевого потенциала.

Фор:1ировател1. тока для доменной памяти работает следующим образом.

Период поля враще1шл разбивается gp на четыре равные части. При поступлении перлй последовательности импуль О в i1 а пер Iзый $ np ав!1я10щ11Й Вход

12 сткры злютпя ключевые элементы 1 и 2. Еатушк» 7 поля вращения подклю- 35 чаетсл между 1э1на1П1 16 и 17 питания

I+E I1 IIyJ1eIIo: о потенциала. На иидуктивности катушки 7 формируется у»асток нарастания тока, Падения напряжеш1я иа Открытом транзисторе 2 11е- 40 достато 1но для отпирания стабилитрона 11 и oII »e влияет на формирование участка нар аста1шя тока. ВО второй четверти периода поля вращения вторая последовательность импульсов, поступающая IIQ четвертый управляющий вход 15, отпирает транзистор 9. Одновремеш1о запираются ключи на транзисторах 1 и 2. ЭДС самоиндукции катушки 7 вы бывает отпирание диода 5 и стабилитрона 11. Таким образом в катушке 7 формируется спадающий участок тока„

Постоянная времени спада тока определяется соотношением реактивного сînpотивлешt÷ катушки 7 и активного сопротивле1п1 цепи разряда, Напряжение на стабилитроне 11 влияет на конечное условие ра зряда и тем самь1м

onpeI:,еляет длите.чьность интервала времени, в течение которого формируется спадающий участок тока, При этом устраняется так называемая

It tt ступенька в форме тока и повышается его линейность в катушке 7 поля вращения, В третьей четверти периода поля вращения отпираются транзисторы 3 и 4 и и катушке 7 формируется участок нарастания тока противоположной полярности.

В четвертой четверти периода последовательность импульсов, поступающая на третий управляющий вход 14, отпирает транзистор 8, за счет ЭДС самоиндукции в катушках 7 открываются диод 6 и стабилитрон 10, Таким образом формируется спадающий участок тока, Далее процесс формирования тока продолжается, начиная с первой четверти периода поля вращения, Таким образом, использование пятого и шестого ключевых элементов и двух стабилитронов в качестве третьего и четвертого ограничительных элементсв позволяет изменять конечные условия разряда (установившееся значение тока) и, соответственно, изменять длительность формирования участка спапа тока„ При этом устранчется ступеньtt ка 1ри переходе от участка тока к участку его спада, что обуславливает повышение надежности за счет расшире1шя эбласти устойчивой работы запоминающих устройств на ЦМД.

Ф о э м у л а и з о б р е т е н и я

Фэрмирователь тока для домеш1ой

nor HI и, содержащий четыре ключевых элемента, выполненных на транзисторах вк1юченных по мостовой схеме таким обра 1ом, что базы транзисторов первого и второго ключевых элементов объед1гне:1ы и подключены к первому управляющему входу формирователя, базы тран1исторов третьего и четвертого кшочевых элементов объединены и подключены к второму управляющему входу фор.а1рователя, эмиттеры первого и четвертого транзисторов соединены с шиной питания, а эмиттеры второго и третьего транзисторов подключены к шине нулевого поте1шиала, два ограничительных элемента на диодах и катушку пэля вращения, один вывод которой

Составитель В,Топорков

Техред А,Кравчук

Корректор Т.Малец

Редактор Л,Шандор

Заказ 7048/52 Тираж 558 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

11303 5, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул . Гагарина, 101

5 15240 соединен с катодом первого диода и подключен к коллекторам первого и третьего транзисторов, а другой вывод соединен с коллекторами второго и четвертого транзисторов, к которым

5 подключен катод второго диода, аноды первого и второго диодов связаны с шиной нулевого потенциала, о т л ивЂ” ч а ю шийся тем, что, с целью повышения надежности за счет улучшения формы тока, формирователь содержит пятый и шестой ключи на транзисторах и третий и четвертый ограничи90 6 тельные элементы, выполненные на стабилитронах, причем первые выводы третьего и четвертого ограничительных элементов соединены с катодом соответственно первого и второго диодов, вторые выводы третьего и четвертого ограничительных элементов подключены к коллекторам соответственно пятого и шестого транзисторов, эмиттеры которых соединены с шиной нулевого потенциала, а базы подключены соответственно к третьему и четвертому управляющим входам формирователя,

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении модулей запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах /ЦМД/

Элемент памяти // 1522285

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств, устройств бесконтактного ввода информации в ЭВМ и др

Устройство для ассоциативного поиска информации // 1520594

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано для ассоциативного поиска информации в запоминающих устройствах на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД) и вертикальных блоховских линиях (ВБЛ)

Способ л.в.гловацкого записи информации в доменное запоминающее устройство и доменное запоминающее устройство // 1520593

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при создании доменных запоминающих устройств

Устройство для считывания информации из накопителя доменной памяти // 1515943

Изобретение относится к вычислителы1П11 технике и может бьт, использовано при иострпснии таноминлюших УСТрОЙСТП на ИИ-ЧЧПЛРИЧСГКИХ МШ ЧИТИЫХ домсплк, наксититпли которых содс ржат в Tpaine cMiiTi.inainiH рабочей и комненсацио11Н.П1 длтчяки

Способ определения температуры компенсации момента импульса в доменосодержащих пленках // 1513518

Изобретение относится к области вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Структура для продвижения цилиндрических магнитных доменов // 1513517

Изобретение относится к области функциональной электроники и может быть использовано в устройствах памяти на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД)

Носитель информации // 1513516

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при построении запоминающих устройств на основе магнитных пленок с плоскими магнитными доменами

Способ измерения неоднородности доменосодержащей пленки // 1513515

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке магнитооптических управляемых транспортеров

Формирователь импульсных последовательностей для контроля запоминающих модулей на цилиндрических магнитных доменах // 1513514

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах

Магнитный носитель информации // 2128372

Изобретение относится к информатике и вычислительной технике и может быть использовано в магнитооптических запоминающих устройствах внешней памяти электронно-вычислительных машин и бытовых приборах

Способ сверхбыстрого перемагничивания // 2279147

Изобретение относится к перемагничиванию магнитного слоя с плоскостной намагниченностью

Усовершенствованное многоразрядное магнитное запоминающее устройство с произвольной выборкой и способы его функционирования и производства // 2310928

Изобретение относится к усовершенствованному многоразрядному магнитному запоминающему устройству с произвольной выборкой и способам функционирования и производства такого устройства

Запоминающее устройство с диэлектрическим слоем на основе пленок диэлектриков и способ его получения // 2343587

Изобретение относится к области полупроводниковой нанотехнологии и может быть использовано для прецизионного получения тонких и сверхтонких пленок полупроводников и диэлектриков в микро- и оптоэлектронике, в технологиях формирования элементов компьютерной памяти

Канал продвижения плоских магнитных доменов // 2053576

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при реализации запоминающих устройств, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)

Способ цифровой магнитной записи и воспроизведения информации // 2059295

Способ магнитной записи и воспроизведения информации // 2063070

Изобретение относится к электронике и может быть использовано для записи и воспроизведения информации в бытовой, вычислительной и измерительной технике

Магниторезистивная ячейка памяти // 2066483

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к магнитным запоминающим устройством с произвольной выборкой информации

Магнитный носитель информации // 2074574

Способ управления продвижением плоских магнитных доменов // 2084971

Изобретение относится к области вычислительной техники и автоматики и может быть использовано в запоминающих устройствах, в которых носителями информации являются плоские магнитные домены (ПМД)