Устройство для отбраковки мощных транзисторов

Авторы патента:

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

Устройство для отбраковки мощных транзисторов, содержащее клемму для подключения коллектора испытуемого транзистора, клемму для подключения эмиттера испытуемого транзистора, соединенную с выходом стабилизатора тока и входом дифференцирующей цепи, выход которой подключен к входу блока формирования импульсов, клемму для подключения базы испытуемого транзистора, соединенную с общей шиной, клемму "Пуск" и блок индикации, отличающееся тем, что, с целью повышения достоверности отбраковки, оно снабжено генератором тактовых импульсов, двоичным счетчиком, цифроаналоговым преобразователем, усилителем мощности, двоично-десятичным счетчиком, блок индикации выполнен с дополнительными входами, причем вход генератора тактовых импульсов подключен к выходу блока формирования импульсов, выход генератора тактовых импульсов подключен к счетным входам двоичного и двоично-десятичного счетчиков, разрядные выходы двоичного счетчика соединены с соответствующими разрядными входами цифроаналогового преобразователя, выход которого соединен с входом усилителя мощности, выход усилителя мощности соединен с клеммой для подключения коллектора испытуемого транзистора, выходы двоично-десятичного счетчика подключены к соответствующим входам блока индикации, а клемма "Пуск" подсоединена к второму входу генератора тактовых импульсов.

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых приборов с лавинным пробоем, в частности для ограничительных диодов

Устройство для автоматического измерения параметров варикапов // 1534414

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения активной составляющей проводимости, емкости и добротности варикапов в параллельной схеме замещения, например, при технологическом контроле параметров полупроводниковых приборов и других как нелинейных, так и линейных объектов, а также в подсистемах технической диагностики радиотехнических элементов автоматизированных систем контроля различной радиоэлектронной аппаратуры

Устройство автоматического измерения области безопасной работы транзисторов // 1529941

Способ контроля свч полевых транзисторов на пластине // 1529940

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для технологического контроля в широкой полосе частот полевых транзисторов непосредственно на пластине

Способ отбраковки дрейфовых транзисторов // 1528159

Способ определения мощности поглощенной дозы ионизирующего излучения в мдп-структурах // 1526515

Способ контроля транзисторов // 1524017

Изобретение относится к электроизмерительной технике и предназначено для контроля транзисторов

Фоточувствительная структура с переносом заряда // 1515969

Способ определения коэффициента усиления высоковольтного транзистора // 1506402

Изобретение относится к области полупроводникового приборостроения и может быть использовано для измерения коэффициентов усиления высоковольтных транзисторов

Устройство для определения координатной зависимости фотоэдс светочувствительных элементов // 1506401

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим