Способ обработки диэлектрических пленок борофосфоросиликатного стекла

Авторы патента:

H01L21/316 - из оксидов, стекловидных оксидов или стекла на основе оксидов

Способ обработки диэлектрических пленок борофосфоросиликатного стекла, включающий обработку диэлектрических пленок в смеси, содержащей тетраэтоксисилан, сушку и термообработку, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет увеличения их сплошности и гидрофобности, обработку диэлектрических пленок проводят в смеси, дополнительно содержащей оксид бора и одноатомный алканол при следующем количественном соотношении ингредиентов, мас.%:

Тетраэтоксисилан 15-75 Оксид бора 0,1-5,0 Одноатомный алканол Остальное,

сушку проводят при температуре 75-90°С течение 10-25 мин, а термообработку - при температуре 95-135°С в течение 60-90 мин.

Изобретение относится к электронной технике и может быть нспольэовано в технологии тонких пленок

Двуслойная диэлектрическая структура и способ ее получения // 1426352

Способ получения структур диэлектрик-полупроводник на основе антимонида индия // 1424643

Способ получения исходного материала для изготовления свинцово-силикатных стекловидных покрытий для защиты полупроводниковых приборов // 1410776

Способ получения слоев диоксида кремния // 1403907

Способ получения структуры полупроводниковых приборов // 1396862

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для получения диэлектрических покрытий на монолитных интегральных схемах с алюминиевой металлизацией

Способ получения низкотемпературных стекловидных покрытий // 1384112

Способ создания тонких слоев оксида кремния // 1371456

Способ изготовления межкомпонентной изоляции к мдп интегральных схем // 1356895

Способ изготовления подзатворного диэлектрика моп-приборов // 1345967

Способ нанесения пленок // 2102814

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Способ получения пленки диоксида кремния на подложке // 2116686

Способ химического осаждения тонких пленок диоксида кремния // 2119692

Способ изготовления структур кремний - пленка диоксида кремния // 2128382

Способ получения борсодержащих пленок // 2129321

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор на поверхности полупроводниковых материалов

Способ получения борофосфорсиликатных пленок // 2173912

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленок, содержащих бор и фосфор на поверхности полупроводниковых материалов

Способ получения защитных пленок // 2176421

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых приборов, в частности к способам получения пленочных диэлектриков, из которых наиболее широко используемым является окись тантала (Ta2O5)

Способ химической обработки пластин кремния // 2228563

Пленка гидрированного кремний-оксикарбида (sico:h) и способ ее получения // 2264675

Способ создания диэлектрического слоя // 2274926

Изобретение относится к микро- и наноэлектронике и может быть использовано в производстве СБИС, полевых нанотранзисторов, а также устройств оптической волоконной связи