Устройство свч-плазменной обработки материалов
Изобретение относится к плазменной технике, а более конкретно к СВЧ - плазмотронам, предназначенным для плазменной обработки материалов при давлениях ниже атмосферного, и может быть использовано для проведения процессов травления, очистки, осаждения, формирования собственных диэлектриков (анодирования) на полупроводниках и металлах. Целью изобретения является повышение эффективности обработки и расширение технологических возможностей, устройств плазменной обработки материалов. Газ, активированный с помощью СВЧ-энергии в газовводе, пронизывающем волновод, поступает в реакционную камеру, где они попадают на обрабатываемое изделие. Регулировкой СВЧ-мощности и осевым перемещением электрода-пьедестала относительно уровня газовводов можно управлять количеством и потоком энергии активных частиц газа, что приводит к увеличению скоростей травления или анодирования. Способствует этому также возможность независимой подачи неактивированного газа или наложения ВЧ-напряжения с помощью электрода-газораспределителя. Использование систем подогрева и охлаждения в электроде-пъедестале улучшает качество осаждаемых на изделие полимерных слоев. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к плазменной технике, более конкретно к СВЧ-плазмотронам, предназначенным для плазменной обработки материалов при пониженных давлениях, и может быть использовано для проведения процессов травления, очистки, осаждения, формирования диэлектриков на полупроводниках и металлах. Целью изобретения является повышение эффективности обработки (например, увеличение скорости травления или осаждения) и расширение технологических возможностей устройств плазменной обработки материалов. На фиг.1 схематично представлено устройство, продольный разрез; на фиг.2 то же, поперечный разрез. Устройство содержит реакционную камеру 1, газовводы 2, волноводы 3, короткозамыкающий поршень 4, генератор СВЧ 5, электрод-пьедестал 6, крышку реакционной камеры 7, электромагниты 8, электрод-газораспределитель 9. Устройство СВЧ-плазменной обработки материалов работает следующим образом. Энергия СВЧ от генератора 5 по волноводу 3 подводится в область газовводов 2, в которых поджигается плазма и откуда активированный газ поступает в реакционную камеру 1. Перемещением короткозамыкающего поршня достигается регулировка величины поглощаемой мощности в каждом газовводе и тем самым регулируется количество активных частиц в соответствующем месте реакционной камеры 1. По электроду-газораспределителю 9 подается другой газ или смесь газов в реакционную камеру 1, где происходит его (или их) взаимодействие с газом (или газами), подаваемым по газовводам 2, или с обрабатываемой пластиной и таким образом осуществляется процесс осаждения или травления. В случае, если необходимо повышение качества или скорости процесса травления (осаждения, анодирования), на любой из электродов 6, 9 подают постоянное смещение соответствующего знака (плюс или минус). Для этих же целей предусмотрено осевое перемещение обоих электродов. Изменение расстояния между электродами регулирует энергию потока активных частиц, взаимодействующих с обрабатываемым твердым телом (полупроводником, диэлектриком, металлом). Кроме того, на любой из электродов 6, 9 можно подать ВЧ-энергию, заземлить и таким образом проводить плазменную обработку поверхности твердого тела комбинацией двух типов плазмы ВЧ и СВЧ. Такая комбинация расширяет технологические возможности, так как позволяет изменять состав плазмы в более широких пределах.
Формула изобретения
1. УСТРОЙСТВО СВЧ-ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ, содержащее реакционную камеру, огибающий ее волновод прямоугольного сечения, электромагниты, газовводы, проходящие перпендикулярно оси камеры через волновод, электрод-пьедестал, выполненный с возможностью осевого перемещения, отличающееся тем, что, с целью повышения эффективности обработки за счет увеличения скоростей травления и осаждения, а также регулирования состава плазмы, оно содержит изолированный от корпуса электрод-газораспределитель, размещенный параллельно электроду-пьедесталу и выполненный с возможностью осевого перемещения. 2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, с целью улучшения качества обработки, электрод-пьедестал снабжен элементами подогрева и охлаждения.РИСУНКИ
Рисунок 1, Рисунок 2
