Интегральная микросхема

 

Изобретение может быть использовано в радиоэлектронной аппаратуре. Цель изобретения - повышение технологичности конструкции и эффективности теплоотвода интегральной микросхемы - достигается тем, что кристаллодержатель 2 имеет контактные площадки 4 на двух его противоположных сторонах, электрически соединенные между собой. Полупроводниковый кристалл 1 и внутренние части выводов размещены с двух противоположных сторон кристаллодержателя. Контактные площадки 4 кристалла и контактные площадки 5 кристаллодержателя электрически соединены между собой противоположными перемычками. Кристаллодержатель 2 выполнен в виде многослойной структуры с чередующимися между собой диэлектрическими и проводящими слоями. В качестве материала диэлектрического слоя многослойной структуры использована керамика. 4 з.п. ф-лы, 2 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51) 5 Н 01 1 23/28

OllHCAHHE ИЗОБРЕТЕНИЯ, Н АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1(21) 4309790/24-21

j(22) 30,06.87 (46) 07.08.90. Бюл. № 29

72) В. Г. Illaмардин

53) 621.382.647 (088.8)

56) Патент ЕПВ № 0108502, л. Н 01 1 23/00, 1984.

: ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ ПРИ ГКНТ СССР

:(54) ИНТЕГРАЛЬНАЯ МИКРОСХЕМА ,(57) Изобретение может быть использовано в радиоэлектронной аппаратуре. Цель изобре т ения — повышение технологичности конст рукции и эффективности теплоотвода инте1 ральной микросхемы — достигается тем, то кристаллодержатель 2 имеет контактные

„„SU„„1583995 А 1

2 площадки 4 на двух его противоположных сторонах, электрически соединенные между собой. Полупроводниковый кристалл 1 и внутренние части выводов размещены с двух противоположных сторон кристаллодержателя.

Контактные площадки 4 кристалла и контактные площадки 5 кристаллодержателя электрически соединены между собой противоположными перемычками. Кристаллодержатель 2 выполнен в виде многослойной структуры с чередующимися между собой диэлектрическими и проводящими слоями.

В качестве материала диэлектрического слоя многослойной структуры использована керамика. 4 з.п.ф-лы, 2 ил.

1583995

Формула изобретения

55

Изобретение относится к радиоэлекронике и может быть использовано при создании интегральных микросхем и радиоэлектронной аппаратуры на их основе при повышенных требованиях к плотности упаковки ИС на печатной плате.

Целью изобретения является повышение технологичности конструкции и эффективности теплоотвода.

На фиг. показана интегральная микросхема, общий вид;, в разрезе; на фиг. 2— интегральная микросхема до опрессовки пл астм а сс ой.

Интегральная микросхема содержит полупроводниковый кристалл 1, установленный на кристаллодержатель 2, выводы 3, перекрывающие в проекции кристаллодержатель

2, контактные площадки кристалла 4 и кристаллодержателя 5, пластмассовый корпус 6, контактные площадки кристалла 4 и кристаллодержателя 5 соединены между собой проволочными перемычками. Контактные площадки верхней поверхности кристаллодержателя 5 соединены через межслойные металлизированные переходы с контактными площадками нижней поверхности кристаллодержателя, к которым присоединяются выводы 3. После опрессовки с помощью штамгга удаляются технологические перемычки и внешний контур выводной рамки.

Кристаллодержатель 5 выполняют в виде тонкой многослойной керамической пластины, на верхней поверхности которой создают металлизированные площадки для установки кристалла и приварки проволочных перемычек, соединяющих контактные площадки кристалла 4 с внешними выводами

3, а на нижней поверхности — металлизированные контактные площадки для присоединения выводов металлической рамки.

Контактные площадки верхней поверхности соединяют через межслойные металлизировачные переходы с контактными площадками нижней поверхности, предназначенными для припайки выводов.

Кристаллодержатель может быть выполнен из оксидированного алюминия с металлизированной разводкой на его поверхности.

Положительный эфект от использования изобретения достигается за счет упрощения сборки конструкции, так как отпадает необходимость в прецизионной сборке и установке выводной рамки и кристалла.

Кроме этого, происходит улучшение отвода тепла от кристалла за счет того, что кристаллодержатель обладает хорошей теплопроводностью и тепло передается во внешнюю среду (в том числе к печатной плате) через металлические выводы, которые имеют хороший тепловой контакт с кристаллодержателем.

1. Интегральная микросхема, содержащая корпус из пластмассы, размещенный в корпусе кристаллодержатель из теплопроводного материала, на одной из сторон которого закреплен полупроводниковый кристалл с контактными площадками и выводы, запрессованные в стенки корпуса с частичным расположечием их внутри и снаружи корпуса соответственно и частичным перекрытием их внутренними частями кристаллодержателя в плоскости, параллельной плоскости размещения кристаллодержателя, электрически соединенные с контактными площадками полупроводникового кристалла и соединеные с кристаллодержателем с обеспечением теплового контакта с ним, отличающаяся тем, что, с целью повышения технологичности конструкции и эффективности теплоотвода, кристаллодержатель выполнен с контактными площадками на двух его противоположных сторонах, электрически соединенных между собой, полупроводниковый кристалл и внутренние части выводов размещены с двух противоположных сторон кристаллодержателя, причем электрическое соединение контактных площадок полупроводникового кристалла с выводами выполнено в виде проволочных перемычек, электрически соединяющих соответствующие контактные площадки полупроводникового кристалла с соответствующими контактными площадками прилегающей к нему стороны кристаллодержателя, и в виде электрического соединения внутренних частей выводов с соответствующими контактными площадками другой прилегающей к ним стороны кристаллодержателя.

2. Микросхема по п. 1, отличающаяся тем, что электрическое соединение контактных площадок противоположных сторон кристаллодержателя и его контактные площадки выполнены в виде металлизированных проводников и площадок соответствен но.

3. Микросхема по пп. и 2, отличающаяся тем, что кристаллодержатель выполнен в виде многослойной структуры с чередующимися между собой диэлектрическими и проводящими слоями.

4. Микросхема по п. 3, отличающаяся тем, что в качестве материала диэлектрического слоя многослойной структуры использована керамика.

5. Микросхема по пп. 1 и 2, отличающаяся тем, что кристаллодержатель выполнен из оксидированного алюминия с металлизированной разводкой на его поверхности.

1583995 Рог. Z

Составитель К. Канониди

Редактор А. Шандор Техред А. Кравчук Ко р ректо р М. Куче р ива н

Заказ 2258 Типаж 451 Подписное

ВНИИГ1И Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж вЂ” 35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат «Патент», г. Ужгород, ул. Гагарина, 101