Патент ссср 161690

 

опислние

И ЗОБ РЕТЕн Ил

К АвтОРСКОМ Y СВИДЕТЕЛЬСТВУ

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦ NAANCTN×ÅÑÊNÕ

РЕСПУБЛИК

Класс

12с, 2

МПК

В О11

М 161690

Заявлено 20.V.1963 (№ 83741St 23-4) Он»бликовано 01.IV.1964. Бюллетень № 8

ГОСУААРСТВЕННЫИ

КОМИТЕТ ПО АЕЛАМ

ИЗОБРЕТЕНИЙ И ОТКРЫТИЙ

СССР .

УДК

11; EHTi;8 - <

Подписная аруппа № 88

А. П. Касаткин

СПОСОБ СТАБИЛИЗАЦИИ СКОРОСТИ РОСТА КРИСТАЛЛОВ

БРОМНОВАТОКИСЛОГО НАТРИЯ

Предмет изобретения

Известно, что на флуктуации скорости рота монокристаллов влияют градиент температуры, степень переохлаждения, содержание примесей и их природа.

Предложен способ стабилизации скорости роста монокристаллов типа бромноватокислого натрия изоляцией растущего кристалла от всяких источников света при постоянстве основных параметров, влияющих на скорость роста.

Пример. В случае выращивания монокристалла бромноватокислого натрия при температуре 10 С и переохлаждении 4,2 С, с точностью поддержания температуры в районе затравки 0,017 С, на кристаллах до 2 мм среднее отклонение скорости роста при свете составляет 0,21 мк!мин, без света — 0,07 мя!мин.

При температуре 40 С и переохлаждении

4,2 С влияние света не обнаружено.

Способ стабилизации скорости роста кристаллов бромноватокислого натрия при постоянных величинах градиента температуры, степени переохлаждения, содержания примесей, отл и ч а ю шийся тем, что, с целью уменьшения флуктуации скорости роста, кристаллизацию ведут в темноте при температуре ниже 40 С.

Патент ссср 161690 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к нелинейно-оптическому кристаллу стронций бериллатоборату, способу выращивания нелинейно-оптических монокристаллов бериллатобората и нелинейно-оптическому устройству

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO)
Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO) и позволяет выращивать крупные кристаллы диаметром 65-70 мм и длиной до 40-45 мм высокого оптического качества без включений и свилей, пригодных для изготовления оптических элементов

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiB6O10 из раствор-расплава на затравку путем снижения температуры расплава
Изобретение относится к области получения монокристаллов калий титанил арсената KTiOAsO4 (КТА), используемых в лазерной технике в качестве преобразователей частоты лазерного излучения

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)

Изобретение относится к порошку комплексного оксида металла, содержащему по крайней мере два металлических элемента, который используют в качестве исходного порошка оксидной керамики, которую используют в качестве функционального материала для конструктивного материала, который используют в диспергированном состоянии в качестве наполнителя или пигмента, или который используют в качестве исходного порошка для получения монокристалла или покрытия, нанесенного методом пламенного распыления, и к способу его получения

Изобретение относится к кристаллогидрату полисиликата натрия и способу его получения, который может быть использован в качестве гелеобразующего компонента, например, при изготовлении теплоизоляционных материалов, при создании высококачественных минеральных уплотнительных слоев из связанных грунтов, в нефтедобывающей промышленности при гидроизоляции
Изобретение относится к области неорганической химии, а именно синтезу широкого класса высокочистых материалов, применяемых в лазерной и инфракрасной технике, а также в волоконной оптике и спецтехнике

Изобретение относится к способам искусственного синтеза монокристаллов алмаза с заранее заданными физическими свойствами, например, с полупроводниковыми, с определенными люминесцентными, с определенным цветом или бесцветные и т.п

Изобретение относится к изготовлению искусственно выращенных камней и может быть использовано в ювелирной промышленности и ювелирно-прикладном искусстве
Изобретение относится к технологии получения наноалмазов, имеющих большое промышленное значение в электронике в качестве высокотемпературных полупроводников, высокочувствительных счетчиков в сложных дозиметрических установках с мощным твердотельным лазером и т.д
Наверх