Измеритель физических свойств материалов на сеч

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

H АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 14Х111.1963 (№ 852478/26-9) Союз Советских

Социалистических

Респубпик

Кл. 21а<, 71 с присоединением заявки ¹

Приоритет

Государственный комитет по делам изобретений и открытий СССР. 11ПК G 01г

Опубликовано 01.Х11.1964, Бюллетень № 23

УДК

Дата опубликования описания 25.II.1965

Авторы изобретения

Ю. К, Григулис и Э. Э. Аболтиньш

Заявитель

Институт механики полимеров Академии наук Латвийской ССР

ИЗМЕРИТЕЛЬ ФИЗИЧЕСКИХ СВОЙСТВ

МАТЕРИАЛОВ НА СВЧ

Предмет изобретения

Подписная группа № 142

Для контроля физических свойств полупроводников и диэлектриков черезвычайно важно измерение этих свойств на небольшой поверхности тела бссконтактным методом при одностороннем доступе к изделгпо. Для измерения используют резонаторы со щелями, через которые вводят исследуемьш образец, два волновода и мостовые схемы. Форма тела и его размеры должны быть строго определенны.

Предложенное устройство отличается от известных тем, что в нем применен щелевой излучатель с плавным переходом, обеспечивающим согласование волновода со щелью.

Использование щелевого излучателя позволяет производить обмер изделия на малой поверхности прп одностороннем доступе к нему.

Конструкция щелевого излучателя изоора5 жена на чертеже.

Измеритель физических свойств материалов

10 на СВЧ, содержащий генератор СВЧ, волноводную секцию и измерительный блок, отличаюиийся тем, что, с целью обеспечения:IOкальности измерения, на конце волноводной секции укреплен щелевой излучатель, перед

15 которым размешен испытуемый образец.

166763

Составитель Э. С. Фролова

Техред Ю. В. Баранов Корректор Ю. M. Федулова

Редактор Н. С. Коган

Типография, пр. С апуно ва, 2

Заказ 52/7 Тирагк 925 Формат бум. 60 90 /8 Объем 0,1 изд. л. Цена 5 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Измеритель физических свойств материалов на сеч Измеритель физических свойств материалов на сеч 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов
Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин
Наверх