Вентильный фотоэлемент

Авторы патента:

H01L31/08 - в которых излучение управляет током, проходящим через прибор, например фоторезисторы

H01L31/0296 - содержащим, помимо легирующего вещества и других примесей, только соединения типа A_IIB_VI, например CdS, ZnS, HgCdTe

H01L21/06 - приборов с полупроводниковыми подложками, содержащими селен или теллур в несвязанной форме, если они не являются примесями в полупроводниковой подложке из другого материала

О П И С А Н И Е 168370

СОюз СОВетских

Социалистических

Республик

ИЗОБРЕТЕНИЯ

M АВТОРСКОМУ СВНД"-ТЕЛЬЕ: 3У

Зависимое от с.вт. св!!детельс. вг Й

Заявлено i !.VI.!962 (№ 783338/26-2:) .:, . 2!р. 29,„ с нрисоединениех. заявки . А

Государстеениый комитет Йо делйм изобРетений и открытий СССР

Приоритет

Опубликовано i8.!!. 965. Бюлле ген.; X 4

Дата опубликования описания 20.III.!965

УДК

Лвторы изобретен н::

Л. Ь. Златкин и В

Л; явите.ч ь

ВЕИТИЛЬИЬ!Й ФОТОЭЛЕЧЕНТ

Подписная группа М 97

Известные сернисто-серебряные вентильные фотоэлементы, в которых в сплаi3 сера вЂ” серебро добавлен третий компонент вЂ” сурьма в количестве 3 /О, обладают низкой чувствительность1о.

Предлагаемый вентильный фотоэлемент отличается более высокой чувствительностью в ультрафиолетовой части спектра и, кроме того, наличием двух максимумов спектральной чувствительности.

Основу фотоэлемента составляет соединение AgTe (I-фаза, гессит) с избытком серебра (3?,6 ат. /О) в виде второй фазы, легированного сурьмой (9,25 ат. Оо).

Устройство фотоэлемента схематически показано на чертеже.

На металлическую подло кку 1 нанесена основа фотоэлемента 2 вЂ” соединение Ag Te c избытком серебра. Зто соединение легировано сурьмой, входящей в виде твердого раствора как в серебро, так и в гессит. Полупроводниковый слой 3 и-типа состоит из Ag2S с избытком серы и с примесями теллура и сурьмы, т. е.:

Ag>S + S + Те+ Sb.

Полупроводниковый слой 4 р-типа состоит из пленки сурьмы толщиной 200 вЂ” 250 Л. Поверх этого слоя нанесено контактное кольцо 5.

Чистого теллура в сплаве нет. Он входит в сплав в виде соединения Ag Te в его низкотемпературной модификации (гессит, илп

P-Ag>Te). Оставшееся свооодное серебро остается в сплаве в виде второй фазы.

Сурьма входит в виде твердого раствора как

5 в серебро, так и в гессит. Благодаря этому атомы сурьмы при процессе сернсния дпффундируют в полупроводниковый слой, оставаясь в нем в виде примеси. Слой Ag>S содержит иэбыток серы. Кроме того, в виде примеси при10 сутствуют диффундиру.ющие из основы теллур и сурьма.

Наличие у предложенного фотоэлемента двух спектральных максимумов, находящихся в области: !) 250 вЂ” 270 ммк (дальний

15 ультрафиолет) и 2) 750 вЂ” 800 ммк (ближняя инфракрасная область), говорит о том, что этот фотоэлемент может быть одновременно использован в двух фотоэлектрических схемах. Кроме того, наличие двух максимумов

20 увеличивает интегральную чувствительность и расширяет спектральную характеристику фотоэлемента.

Предмет изобретения

25 Вентильный фотоэлемент на основе сернистого серебра с примесями сурьмы и теллура, чувствительный в ультрафиолетовой области, отличающийся тем, что, с целью получения спектральной характеристики чувстви30 тельности с двумя максимумами (в ультра Д 5

Составитель А. И. Фигнер

Редактор Н. Г. Копылова Техред A. А. Камьппникова Корректор Л, В. Тюняева

Заказ 286 3 Тираж 1025 Формат бум. 60 (90 /8 Обьем 0,1 изд. л. Цена 5 коп.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4.

Типография, пр. Сапунова, 2 фиолете !! В оли?кней инфракр асио!! ооласти), его фоточувствительная плон,адка состоит из трех слоев: слой гессита (j3-фаза) с пзбыт;o.! серебра, легированный сурьмой; полупроводниковый слой сернистого ",.åðåбра с избытком серы и с примесями теллура и сурьмы; слой, представляющий собой напыленную тонкую пленку сурьмы.

Фотосопротивление // 73715

Фотосопротивление // 61499

Способ изгоговления фотосопротивлений // 39883

Способ изготовления фотосопротивлений // 32067

Селеновый фотоэлемент с запирающим слоем повышенной инфракрасной чувствительности и способ его изготовления // 150951

Селеновый фотоэлемент // 132664

Способ изготовления селеновых фотоэлементов // 124559

Селеновый фотоэлемент // 122220

Фотоэлемент вентильного типа // 44288

Способ крепления выводов к электродам одноэлементного селенового выпрямителя // 137586

Способ изготовления селеновых выпрямительных элементов // 113934

Способ изготовления влагостойких селеновых элементов для выпрямителя бесконтактной конструкции // 106170

Способ контроля интегральной микросхемы // 2392687

Изобретение относится к микро- и нанотехнологии и может быть использовано для неразрушающего исследования топологии интегральных микросхем

Полупроводниковый элемент-детектор излучения // 2281531

Фоточувствительная структура // 2373606

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при разработке фотоприемников инфракрасного (ИК) излучения на базе твердых растворов теллурида кадмия и ртути (КРТ)

Селеновый фотоэлемент // 199283

Состав для получения фоточувствительных слоев сульфида свинца на подложках // 380684

Интегральный полупроводниковый детектор ионизирующих излучений и способ его получения // 1436794

Способ получения эпитаксиальных слоёв cdxhg(1-x)te p-типа проводимости // 2602123

Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения. Способ получения эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe р-типа проводимости включает выращивание эпитаксиального слоя CdxHg1-xTe с химическим составом в интервале от х=0,19 до х=0,33 мольной доли теллурида кадмия методом жидкофазной эпитаксии в запаянной кварцевой ампуле из раствора-расплава на основе теллура при температуре 500÷515°С и in situ отжиг эпитаксиального слоя в парах шихты, из которой он был выращен, сначала при температуре 350÷370°С в течение 1÷2 ч, а затем при температуре 200÷240°С в течение 20÷24 ч. Техническим результатом изобретения является воспроизводимое получение эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe р-типа проводимости с концентрацией носителей заряда (0,5÷2,0)×1016 см-3 при 77К с высокими значениями подвижности носителей заряда и однородным распределением электрофизических характеристик по толщине эпитаксиального слоя, а также сокращение времени производства эпитаксиальных слоев. 1 табл.

Способ получения эпитаксиальных слоёв cdхhg(1-х) te из раствора на основе теллура // 2633901

Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, а именно к способам получения эпитаксиальных слоев узкозонных полупроводниковых твердых растворов CdxHg1-xTe для изготовления на их основе фотовольтаических приемников инфракрасного излучения. Способ получения эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe из раствора на основе теллура включает выращивание эпитаксиального слоя CdxHg1-xTe (0,19<х<0,33) методом жидкофазной эпитаксии в запаянной кварцевой ампуле при температуре 500÷513°С на подложку Cd1-yZnyTe (0,02<y<0,06) с кристаллографической ориентацией поверхности (111)В±0,5°, расположенную горизонтально над слоем жидкой фазы высотой от 1 до 2 мм, в условиях принудительного охлаждения системы подложка/раствор на 6÷11°С, в зависимости от требуемой толщины эпитаксиального слоя, и предварительное растворение поверхностного слоя подложки в перегретом не более чем на 2° относительно температуры ликвидуса растворе на основе теллура, из которого проводится выращивание эпитаксиального слоя, при этом охлаждение системы проводят со скоростью снижения температуры 0,2÷0,5 град/мин, начиная с момента контакта подложки с перегретым раствором. Техническим результатом изобретения является воспроизводимое получение эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe диаметром до 50 мм без отклонения формы поверхности от формы поверхности подложки с высотой микрорельефа на поверхности эпитаксиального слоя не более 60 нм и разнотолщинностью эпитаксиального слоя по его площади не более 1 мкм при номинальном значении толщины в интервале от 10 до 20 мкм. 1 табл.