Фотосопротивление

 

Класс 21g, 29

М 61499

С CCP

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зарегистрировано в Бюро изобретений Госплана при СНК СССР

f 0GTEXH J i .Ë

8 .е :@ г4

I A T 3 !: > "

6й БЛ 0"--..Н

Б. А. Остроумов

ФОТОСОПРОТИВЛЕНИЕ

Заявлено 16 марта 1940 г. в НКВ за № 35669 с присоединением заявки за № 36452 от 19 марта 1940 г.

Опубликовано 30 июня 1942 г.

7 440

При освещении фотоэлектрической мозаики самым большим недостатком является взаимное влияние отдельных элементов мозаики, что требует относительно больших расстояний между отдельными зернами мозаики и по возможности малых размеров самих зерен.

Если отказаться от прямого назначения фотоэлектронной мозаики и снабдить ее с двух сторон подводящими ток электродами, то вследствие взаимного влияния отдельных зерен, обменивающихся своими электронами через посредство окружающего их объемного заряда, мозаика превращается в двухмерное вакуумное фотосопротивление. Это искусственное фотосопротивление, очевидно, будет действовать тем лучше, чем больше будет коэффициент заполнения площади, т. е. чем расстояние между отдельными зернами мозаики будут меньше.

Способ «очувствления» мозаики может быть выбран произвольно и, в частности, можно пользоваться кислородно-цезиевыми фотослоями на серебряных зернах или сурьмяноцезиевыми на крупинках угля, сурьмы и других материалах.

Внешний вид такого фотосопротивления, фотопроводимость которого обусловливается наличием объемного заряда вследствие внешнего фотоэффекта, показан на фигуре; где А — подложка, Б — подводящие ток электроды;  — световой поток, à — крупинки мозаики.

При достаточно высокой разности потенциалов фотоэлектрчческии ток между отдельными зернами достигает насыщения и фотопроводимость будет зависеть только от освещения, что делает предлагаемое фотосопротивление особенно пригодным для фотометрии.

Очевидно, что вакуум в промежутках между отдельными зернами мозаики можно заменить полупроводником или изолятором, в котором мог бы образоваться объемный заряд вследствие фотоэффекта.

Для правильного функционирования необходимо только, чтобы расстояния между отдельными зернами мозаики были меньше или соизмеримы с длинами свободного пробега электронов в среде полупроводника или изолятора. В качестве полупроводников можно употреблять хлористый натрий, фтористый барий, фтористый литии, фтор истый талТехн. редактор Н. Н. Пискарева.

А-12242. Подп. в печ. 26/Х 1949 г. Тираж 500 экз. Цена 65 коп. Зак. 440/9517.

Редактор П. В. Сысоев.

Типография Оборопп:за. № 61499