Способ разбраковки полупроводниковых приборов величине теплового сопротивленияпо

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ к Авторскому свидетельству

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Кл, 21а, 71

21я, 11вг

Заявлено ЗО.Х.1963 (№ 863578126-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 17.III.1965. Бюллетень ¹ 7

Дата опубликования описания 24.VI. 1965

Государственный комитет ло делам изобретений и открытий СССР

МПК 6 Оlг

Н Oll

УДК 621 382 3(088 8)

-- - .О

Г1 и гг ° ..7,:. ";, (1- у .11, : (.1

Авторы изобретения

И. Н. Вайсман и И. Г. Мельник

Заявитель Организация Государственного комитета электронной техники СССР

СПОСОБ РАЗБРАКОВКИ

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

ПО ВЕЛИЧИНЕ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ

Подписная группа № 89

При известных способах разбраковки полупроводниковых приборов по величине их теплового сопротивления, основанных на определении тепло вого сопротивления по величине температурозависимого параметра, например по величине падения напряжения на исследуемом полупроводниковом приборе при пропускании через него постоянного по величине тока в прямом направлении, предварительно производят снятие зависимости величины измеряемого параметра от температуры, что усложняет разораковку и затрудняет автоматизацию этого процесса.

Отличие предложенного способа заключается в том, что сии>кение трудоемкости разбраковки и у|прощение автоматизации этого процесса определяют отклонения величины этого сопротивления от номинала по разности двух значений температурозависимого параметра, первое из которых определяют при некоторой фиксированной тем пературе, а второе — при более низкой температуре и заданной величине мощности на исследуемом полупроводниковом приборе.

На чертеже изображена блок-схема предложенного устройства.

Через исследуемый полупроводниковый прибор 1 в прямом направлении пропускают постоянный по величине ток от генератора 2.

С помощью золотника 8 из термостата 4 к полупроводниковому прибору 1 подводится жидкость, нагретая до 60 С. От генератора 5 через переключатель б, управляемый генератором 7 импульсов, на измеряемый полупрогодннковый прибор 1 подаются импульсы напряжения. Импульсы, амплитуда которых пропорциональна падению напряжения в прямом направлении через разделительную ячейку 8, импульсный усилитель 9 и коммутатор

10, подаются на схему 11 запоминания измеренного значения температурозавнспмого пар а метр а.

После окончания первого цикла измерения

15 золотник 8 прекращает подачу жидкости нз термостата 4 и к прибору 1 подается жидкость из термостата 12, нагретая до 40 С.

Одновременно от генератора 5 к прибору 1 подводится заданное значение мощности н

20 прн помощи схемы 18 запоминается новое значение температурозавнсимого параметра. Значения падения папря>кения на полупроводниковом приборе 1, соответствующие двум измеренным значениям температурозавпснмого

25 параметра сравниваются в блоке 14 сравнения. По знаку разностного напря>кения, подаваемого на блок индикации 15, судят о знаке отклонения величины теплового сопротивления полупроводникового прибора 1 от номи30 нала.

169588

Предмет изобретения

Составитель Ю. Козлов

Гедактор А. Н. Байиова Техред Т. П. Курилко Корректор О. И, Попова

Заказ 1266/2 Тираж 1225 Формат бум. 60)(90>/8 Объем 0,13 изд. л. Цена 5 кон.

ЦНИИПИ Государственного комитета по делам изобретений и открытий СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4.

Типография, пр. Сапунова, 2.

Способ разбраковки,полупроводниковых приборов по величине теплового сопротивления, основанный на определении теплового сопротивления по величине температурозависимого параметра, например по падению напряжения на исследуемом приборе при проr.óàêàíèè через него в прямом направлении постоянного по величине тока, отличающийся

TE:ì, что, с целью снижения трудоемкосгн процесса разбраковки и упрощения автоматизации этого процесса, знак и величину отклонения температурного сопротивления определяют по разности двух значений температурозависимого параметра, из которых первое значение определяют при некоторой фиксированной температуре, а второе — при более низкой также фиксированной температуре н заданной величине мощности, рассеиваемой па исследуемом полупроводниковом приборе.