Способ формирования решетки цилиндрических магнитных доменов

 

Изобретение относится к вычислительной и измерительной технике и может быть использовано при разработке запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Цель изобретения - повышение надежности формирования решетки ЦМД. В соответствии со способом воздействуют на магнитную пленку градиентным радиально-симметричным постоянным магнитным полем, лежащим в плоскости магнитной пленки. При этом перемещают магнитную пленку в ее плоскости, компенсируют составляющие поля, перпендикулярные этой плоскости, и воздействуют на магнитную пленку низкочастотным модулирующим магнитным полем, вектор которого ориентирован перпендикулярно градиентному постоянному магнитному полю, а амплитуда не превышает значения поля Колланса ЦМД в магнитной пленке. 1 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (19> (51)5 G ll С ll 14

ГОС ДА

ПО ЗО

ПРИ ГК

ВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

И и изм зован ройст нах вание

Ц наде

Н форм предл

Ус

ЦМД нитно

2 с

3 по

5и6, в ст основ ложе и 6

9 пер

Ф ной п спосо (61) (21) (22) (46) (71) сит (72)

И. И (53) (56)

¹ 11 (54)

ШЕТ

НЫ (57) тель быть

PCTBEHHblA КОМИТЕТ

БРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

HT СССР

1108352

4620063/24-24

09.11.88

23.11.90. Бюл. № 43

Белорусский государственный универим. В. И. Ленина

В. Н. Линев, В. А. Муравский, Полонейчик и В. А. Фигурин

681.327.66 (088.8)

Авторское свидетельство СССР

08352, кл. G 01 N 27/72, 1984.

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ РЕИ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТДОМЕНОВ

Изобретение относится к вычислиой и измерительной технике и может использовано при разработке запомиобретение относится к вычислительной рительной технике, может быть испольпри разработке запоминающих устна цилиндрических магнитных доме(UM3,) и является усовершенствоспособа по авт. св. № 1108352. лью изобретения является повышение ности формирования решетки ЦМД. чертеже изображено устройство для рования решетки ЦМД, реализующее гаемый способ. ройство для формирования решетки содержит исследуемый образец магпленки 1, закрепленный в кассете озможностью перемещения в зазоре аправляющим 4, постоянные магниты обращенные одноименными полюсами рону зазора 3 и закрепленные на нии 7, катушки 8 модуляции, распоные соосно постоянным магнитам 5 подключенные к выходу генератора менного тока. рмирование решетки ЦМД в магнитенке в соответствии с предложенным ом осуществляют следующим образом.

2 нающих устройств на цилиндрических магнитных доменах (ЦМД). Цель изобретенияя — повышение надеж ности форм ирования решетки ЦМД. В соответствии со способом воздействуют на магнитную пленку градиентным радиально-симметричным постоянным магнитным полем, лежащим в плоскости магнитной пленки. При этом перемещают магнитную пленку в ее плоскости, компенсируют составляющие поля, перпендикулярные этой плоскости, и воздействуют на магнитную пленку низкочастотным модулирующим магнитным полем, вектор которого ориентирован перпендикулярно градиентному постоянному магнитному полю, а амплитуда не превышает значения поля

Колланса ЦМД в магнитной пленке. 1 ил.

Воздействуют на магнитную пленку градиентным радиально-симметричным постоянным магнитным полем, лежащим в плоскости магнитной пленки, при этом одновременно перемещают магнитную пленку в ее плоскости и компенсируют составляющие поля, перпендикулярные этой плоскости, и воздействуют на магнитную пленку низкочастотным модулирующим магнитным полем, вектор которого ориентирован перпендикулярно градиентному постоянному магнитному полю, а амплитуда не превышает значения поля коллапса ЦМД в магнитной пленке.

Постоянное градиентное магнитное поле, с помощью которого в образце магнитной пленки формируется гексогональная решетка ЦМД, создается с помощью магнитной системы, состоящей из.двух плоских, включенных встречно, постоянных магнитов

5 и 6. Локализуется постоянное магнитное поле в зоне взаимодействия с образцом — плоскости симметрии магнитной системы, лежащей в центре зазора 3, образованного одноименными полюсами магнитов 5

1608750

1О

20 аагсф и

Формула изобретения и 6. Величина этого поля изменяется по радиусу зоны взаимодействия, причем его максимальное значение превышает поле одноосной анизотропии исследуемых образцов м а гнитн ых пленок.

Когда исследуемый образец 1 перемещают через зону взаимодействия по направляющим 4, величина постоянного магнитного поля на поверхности образца 1 сначала возрастает от нуля до значения, превышающего поле одноосной анизотропии, а затем уменьшается до нуля. Тем самым обеспечивается выполнение первого из условий формирования гексогональной решетки

ЦМД вЂ” на образец 1 воздействует магнитное поле, величина которого превышает поле одноосной анизотропии образца. Под действием магнитного поля такой величины образец 1 переходит в однодоменное состояние (достигается насыщение магнитной пленки) .

При выходе образца 1 из зоны взаимодействия величина действующего на него магнитного поля уменьшается от максимального значения до нуля и в образце

1 формируется решетка ЦМД.

При выдвижении образца 1 из зоны взаимодействия величина магнитного поля постепенно уменьшается сначала от максимального значения до значения, равного полю одноосной анизотропии, затем до значения, при котором формируется гексональная решетка ЦМД. При этом образец

1 находится в насыщенном однодоменном состоянии и изменение ориентации постоянного магнитного поля или иные воздействия на него не могут привести к возникновению доменной структуры.

При дальнейшем выдвижении образца 1 величина постоянного магнитного поля продолжает уменьшаться от значения, при котором возможно формирование решетки

ЦМД, до значения, при котором в образце 1 спонтанно возникает структура лабиринтных доменов. Как известно, структура лабиринтных доменов формируется при меньшем на 5 — 1Оо значения магнитного поля, чем гексогональная решетка ЦМД. В это время магнитная пленка находится в кваз иустойчи вом состоянии — структура лабиринтных доменов возникнуть еще не может, а для возникновения решетки ЦМД требуется выполнение дополнительного условия— воздействующее на образец 1 магнитное поле должно быть направлено перпендикулярно его оси легкого намагничивания (ОЛН).

Гексогональную решетку ЦМД можно сформировать в образце 1 только на этом этапе, причем необходимым условием является то, что воздействующее на образец

1 магнитное поле должно быть перпендикулярно его ОЛН.

В отличие от известного способа, в котором ориентация магнитного поля была фиксирована вдоль плоскости образца, в предлагаемом способе направление вектора магнитного поля периодически изменяется (модулируется). Для этого на образец 1, кроме постоянного магнитного поля Но, дополнительно воздействуют модулирующим магнитным полем Н„, вектор которого направлен перпендикулярно постоянному магнитному полю Но. Модулирующее магнитное поле создается катушками 8 модуляции, через которые протекает переменный ток, формируемый генератором 9. Суммарное магнитное поле Н, воздействующее на образец 1, представляет векторную сумму постоянного магнитного поля Н> и перпендикулярного ему переменного магнитного поля Н„, периодически отклоняется от плоскости образца 1, причем максимальный угол а отклонения магнитного поля Н от плоскости образца равен

Таким образом, в предлагаемом способе, в отличие от известного, угол между направлением нормали к плоскости образца 1 и вектором воздействующего на него магнитного поля Н периодически изменяется от

90 — а до 90 +а.

Если угол отклонения ОЛН образца 1 от направления нормали к его плоскости меньше а, то на образце 1 периодически обеспечиваются условия формирования решетки ЦМД: вектор суммарного магнитного поля ориентируется перпендикулярно ОЛН образца 1. Когда такие условия создаются в первый раз, в образце 1 возникает устойчивая доменная структура в виде гексогональной решетки ЦМД.

При дальнейшем уменьшении величины магнитного поля сформированная решетка

ЦМД сохраняется.

Единственное условие, которое должно соблюдаться для устойчивого сохранения в образце 1 решетки ЦМД, — после извлечения образца 1 из межполюсного зазора

3 воздействующие на него магнитные поля не должны превышать поля коллапса ЦМД.

В предлагаемом способе это условие выполняется автоматически, так как постоянное и модулирующее магнитные поля локализованы в межполюсном зазоре 3 магнитной системы.

Таким образом, предложенйый способ обеспечивает надежное формирование гексогональной решетки ЦМД как в образцах магнитных пленок, не имеющих отклонения

ОЛН от направления нормали к плоскости образца, так и в образцах с отклонением

ОЛ Н.

Способ формирования решетки цилиндрических магнитных доменов по авт. св

1608750

Составитель Ю. Розенталь

Редактор Н. Лазаренко Техред А. Кравчук Корректор Т. Колб

Заказ 3622 Тираж 488 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, )К вЂ” 35, Раушская на 6., д. 4/5

Производственно-издательский комбинат «Патент», г. Ужгород, ул. Гагарина, 101 № 110 повыш шетки однов пост оя на ма

352, отличающийся тем, что, с целью ния надежности формирования рецилиндрических магнитных доменов, еменно с воздействием градиентным ным магнитным полем воздействуют нитную пленку низкочастотным модулирующим магнитным полем, вектор которого ориентирован перпендикулярно градиентному постоянному магнитному полю, а амплитуда не превышает значения поля коллапса цилиндрических магнитных доменов магнитной пленки.