Способ изготовления мощных многоэмиттерных свч-транзисторов с балластными резисторами

 

Изобретение относится к области электронной техники. Целью является улучшение энергетических характеристик транзисторов. Цель изобретения улучшение энергетических характеристик транзисторов. Способ изготовления мощных многоэмитерных СВЧ транзисторов с балластными резисторами заключается в создании на монокристаллической кремниевой пластине диффузионных областей баз и эммитеров, формирование покрытия из диоксида кремния, нанесение на покрытие тонкопленочного резистивного слоя, создание резистивных элементов, вскрытие контактных окон к областям базы и эммитера, формирование металлизации, наращивание защитного диэлектрического покрытия, травление окон в защитном диэлектрическом покрытии в области контактных площадок металлизации, причем одновременно с созданием резистивных элементов изготавливается тестовый резистор, измеряется его сопротивление по его значению выбирается необходимый фотошаблон из набора фотошаблонов, отличающихся размерами окон на 0,5 1 мкм, проводится фотолитография и травление отверстий в резистивных элементах в зазорах между эммитерными контактными площадками одновременно с травлением окон в защитном диэлектрическом покрытии в области контактных площадок.

Изобретение относится к электронной технике. Цель улучшение энергетических характеристик транзисторов. Пример конкретного выполнения. На монокремниевой подложке создают диффузионный слой областей базы (толщиной 0,60,04 мкм) и эмиттера (глубиной 1,00,05 мкм). На слой магнетронным методом наносят слой нихрома (Cr 50% Ni 50% ) толщиной 30030 30 и с Rs 344 Ом/квадрат на установке типа 01НИ-7-006. Режим нанесения нихрома: ток магнетрона 0,50,05 А, давление аргона 0,670,07 Па, время осаждения 2005 с. Методами фотолитографии при помощи цериевого травителя (церий четырехводный 315 гр, серная кислота 105 мл, вода 1582 мл) создают рисунок резисторов. Затем через окна в фоторезистивной маске методом ионно-химического травления при помощи источника ионов ИИ-4-015 в хладоне-14 протравливают контактные окна. После стандартной отмывки проводят напыление металлизации Al-Si 1% Cu 1% толщиной 1,150,15 мкм на установке типа 01ИИ-7-006. Непосредственно перед осаждением алюминиевого сплава проводят плазмохимическую очистку пластин. Режим нанесения металлизации: длительность очистки 2205 с, нагрев пластин 34020оС, давление аргона 0,670,07 Па, ток магнетронов 102 А. Методами фотолитографии с использованием химического травителя (720 мл ортофосфорной кислоты, 225 мл уксусной кислоты, 750 мл воды) получают рисунок металлизации. Вжигание металлизации проводят в азоте при 5005оС в течение 60020 с. Измеряют сопротивление тестового резистора. Проводят наращивание диэлектрической пленки парофазным методом на установке (оксин-3 при 450оС толщина пленки 0,40,04 мкм). Далее методами фотолитографии создают фоторезистивную маску с окнами для площадок под выводы и для подгонки резисторов. Выбор соответствующего фотошаблона проводят с учетом параметров данной структуры: Rб 0,5 Ом; Rт 160 Ом; Uб 850 мкм, n 50, I 8,5 мкм, Wт 20 мкм, Iт 80 мкм. Расчет по формуле дает требуемую ширину окон в фотошаблоне W 3,4 мкм. Проводят ионно-химическое травление диэлектрической пленки и нихрома при помощи источников ионов ИИ4-0,15 в следующем режиме: ток соленоида 1,50,1 А, ток ионного пучка 15010 мА, напряжение пучка 4,50,1 кВ, рабочий газ CF4, длительность травления SiO2 801 мин, длительность протравливания NiCr 100,5 мин. Завершается изготовление транзисторов разделением подложек на кристаллы, сборочными операциями и измерением параметров транзисторов. Испытания предлагаемого способа на опытных партиях мощного генераторного СВЧ-транзистора 219128АС позволило за счет подгонки нихромовых балластных резисторов уменьшить разброс энергетических характеристик в сравнении с характеристиками транзисторов, получаемых по известному способу: Kp c 43,6% до 12,3% Ркмакс с 14,5% до 7,8% повысить Рвых с 197,3 вм до 200 вм. Точность воспроизведения номинала резисторов повысилась при этом с 18,7% до 4,5%

Формула изобретения

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ МНОГОЭМИТТЕРНЫХ СВЧ-ТРАНЗИСТОРОВ С БАЛЛАСТНЫМИ РЕЗИСТОРАМИ, включающий создание в многокристаллической кремниевой пластине диффузионных областей баз и эмиттеров, формирование покрытия из диоксида кремния, нанесение на покрытие тонкопленочного резистивного слоя, создание резистивных элементов, вскрытие контактных окон к областям базы и эмиттера, формирование металлизации, наращивание защитного диэлектрического покрытия, травление окон в защитном диэлектрическом покрытии в области контактных площадок металлизации, отличающийся тем, что, с целью улучшения энергетических характеристик транзисторов, одновременно с созданием резистивных элементов изготавливают тестовый резистор, измеряют его сопротивление, по значению сопротивления выбирают фотошаблон из набора фотошаблонов, отличающихся размерами окон на 0,5 1 мкм, проводят фотолитографию и травление отверстий в резистивных элементах в зазорах между эмиттерными контактными площадками одновременно с травлением окон в защитном диэлектрическом покрытии в области контактных площадок.

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 8-2000

Извещение опубликовано: 20.03.2000        




 

Похожие патенты:

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полевых транзисторов

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС
Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к технологии изготовления лавино-пролетных диодов

Изобретение относится к электронной полупроводниковой технике, а именно к технологии изготовления высоковольтных кремниевых приборов и способам защиты p-n-переходов от влияния внешних зарядов

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в полупроводниковых датчиках и модульных устройствах вычислительных машин

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в полупроводниковых датчиках и модульных устройствах вычислительных машин

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к технологии изготовления фотоприемников и сверхбыстродействующих схем на подложках из антимонида индия

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении микроактюаторов, микрофонов, полевых транзисторов, электретных элементов и др

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов на основе арсенида галлия

Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано при изготовлении приборов на основе арсенида галлия

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при изготовлении миниатюрных полупроводниковых магнитодиодов для измерительных устройств, основанных на применении гальвано-магнитных принципов преобразования информации

Изобретение относится к области неорганической химии, конкретно к легированным марганцем тройным арсенидам кремния и цинка, расположенным на монокристаллической подложке кремния, которые могут найти применение в устройствах спинтроники, для инжекции электронов с определенным спиновым состоянием

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для изготовления датчиков скорости потока газа и жидкости в аэродинамике, химии, биологии и медицине

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для изготовления многоэлементных ИК-фотоприемников
Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники и может быть использовано для разработки новых более совершенных наноприборов, таких как фотодетекторы, сенсоры, полевые транзисторы, светодиоды и т.д

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления тонкопленочных конденсаторов
Наверх