Способ получения пленок оксида кадмия

 

Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии получения пленок оксида кадмия на инородных подложках, и может быть использовано при формировании структур, содержащих тонкие слои полупроводниковых материалов с широкой запрещенной зоной в оптоэлектронике. Пленки формируют из парогазовой смеси, содержащей диметилкадмий, пары воды при 20 - 40oC при определенных содержаниях реагентов в парогазовой смеси.

Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии получения оксидных пленок кадмия, относящихся к полупроводниковым материалам с широкой запрещенной зоной, и может быть использовано в оптоэлектронике. Целью изобретения является повышение однородности состава за счет снижения температуры осаждения. Сущность изобретения заключается в том, что пары диметилкадмия взаимодействуют с парами воды в потоке инертного газа-носителя в температурном диапазоне 20 40oC. При этом молекулы диметилкадмия подвергаются гидролизу, а затем окислительному пиролизу с образованием оксида кадмия. При этом пленки оксида образуются только при вполне определенных соотношениях давлений паров диметилкадмия и воды, которые составляют соответственно 28 37 и 12 20 мм рт. ст. Выход за указанные пределы приводит к резкому ухудшению качества осажденных пленок. Проведение процесса при достаточно низких температурах обеспечивает низкое содержание углерода в сформированных пленках оксида кадмия. Пример. Систему эвакуируют до остаточного давления 110-1 мм рт.ст. Подложку нагревают до 40oC. После этого пропускают над подложкой диметилкадмия (P 28 мм рт.ст.) и пары воды (P 15 мм рт.ст.) в струе гелия VHe 30 мл/мин) при атмосферном давлении в течение 30 мин. Пленки имеют атомное отношение Cd/O2 1,05, содержание углерода 0,5 ат. структура пленки аморфная. Пленки ровные, прозрачные, имеют хорошую адгезию к подложке.

Формула изобретения

Способ получения пленок оксида кадмия путем осаждения из парогазовой смеси, содержащей элементоорганическое соединение кадмия и окислитель на поверхность подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности пленок за счет снижения температуры осаждения, в качестве элементоорганического соединения используют диметилкадмий, а в качестве окислителя пары воды, при этом осаждение пленок проводят при атмосферном давлении, температуре подложки 20 40oС, давлении паров диметилкадмий 28 87 мм рт.ст. и давлении паров воды 12 20 мм рт.ст.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности МДП - транзисторов на подложке арсенида галлия

Изобретение относится к электронной технике, в частности к установкам эпитаксиального наращивания монокристаллических слоев полупроводниковых материалов на монокристаллические подложки методом газофазного осаждения

Изобретение относится к технологии производства полупроводниковых структур, в частности к технологии изготовления кремниевых структур
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при производстве кремниевых эпитаксиальных обращенных структур

Изобретение относится к технологическому оборудованию для автоматизированного производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, в частности к устройствам газофазного наращивания слоев при быстром термическом воздействии

Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых тонких пленок многокомпонентных твердых растворов и может использоваться при выращивании тонких пленок контролируемого состава, в том числе эпитаксиальных, из паровой фазы на разнообразных подложках

Изобретение относится к технологии получения пленок аморфного кремния
Изобретение относится к новым материалам электроннной техники и технологии его получения
Наверх