Ампула для выращивания кристаллов из расплава

 

Изобретение относится к области выращивания кристаллов методом направленной кристаллизации. Цель изобретения - упрощение извлечения кристаллов и повышение выхода годных. Ампула имеет боковую цилиндрическую поверхность и коническое дно. В месте соединения боковой поверхности и дна внутри ампулы выполнено кольцевое углубление. Даны соотношения, связывающие глубину и ширину углубления с толщиной стенки ампулы. В ампуле выращены кристаллы галогенидов щелочных металлов. Выход годных увеличен в 1,4 раза. 1 ил., 1 табл.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (51)5 С 30 В 11/00

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КОМИТЕТ

ПО ИЗОБРЕТЕНИЯМ И ОТКРЫТИЯМ

ПРИ ГКНТ СССР

ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4748148/26 (22) 07,08.89 (46) 30.08.91. 6юл. %32 (71) Научно-производственное обьединение

"Монокристаллреактив" и Харьковский центр научно-технического творчества молодежи "Юность" (72) Н.Н.Смирнов, В.А,Сухостат, Е.Н.Ковалева и Н,В,Гресь (53) 621.315.592 (088.8) (56) Вильке К,Т, Выращивание кристаллов.—

Л„Недра, 1977, с.260. (54) АМПУЛА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА

Изобретение относится к технике для выращивания кристаллов методом направленной кристаллизации.

Цель изобретения — упрощение извлечения кристаллов и повышение выхода годных.

На чертеже показана ампула, разрез.

Ампула имеет боковую цилиндрическую поверхность 1 и коническое дно 2. В месте соединения боковой поверхности 1 и дна 2 внутри ампулы выполнено кольцевое углубление 3, имеющее глубину (0,4 — 0,6)б и ширину (0,1 — 1)cI, где cI — толщина стенки ампулы.

Ампула работает следующим образом, В кварцевую ампулу засыпают кристаллизуемое вещество, вакуумируют и помещают в печь для выращивания кристалла (на чертеже не показана). После выращивания ампулу с кристаллом, не переворачивая, пе„„Я „„1673652 Al (57) Изобретение относится к технике для выращивания кристаллов методом направленной кристаллизации. Цель изобретения — упрощение извлечения кристаллов и повышение выхода годных. Ампула имеет боковую цилиндрическую поверхность и коническое дно. В месте соединения боковой поверхности и дна внутри ампулы выполнено кольцевое углубление, Даны соотношения, связывающие глубину и ширину углубления с толщиной стенки ампулы, В ампуле выращены кристаллы галогенидов щелочных металлов. Выход годных увеличен в 1.4 раза. 1 ил., 1 табл. реносят в печь оплавления (на чертеже не показана). При этом происходит отделение конусного дна 2 от боковой поверхности 1, кристалл извлекают из ампулы через образовавшееся отверстие и охлаждают до комнатной температуры.

Для выращивания кристаллов галогенидов щелочных металлов изготавливают ампулы диаметром 50 — 250 мм, высотой 300—

700 и толщиной стенки 3 — 4 мм. Кольцевые углубления 3 имеют глубину 1,5 — 2 мм и ширину 0,3 мм (угол смачивания расплавом галогединов щелочных металлов кварцевого стекла 10 ). Углубление получают путем сварки цилиндрической поверхности ампулы с конусным дном по наружной поверхности с предварительной их установкой на расстоянии, равном заявляемой ширине зазора. Углубление может быть еще получено механической выборкой внутренней по1673652 верхности ампулы в месте соединения цилиндра с конусом с помощью алмазного диска толщиной. равной заявляемой ширине.

В таблице приведены данные испытаний при различных значениях глубины и ширин ы кол ьцево го углубления. В 85 случаях из 100 на стадии оплавления происходило быстрое отделение конусного дна и кристаллы получились качественными. В 15 случаях наблюдалось растрескивание кристаллов. Выход годной продукции увеличен в 1,4 раза.

Характер разрушения ампулы на стаии оплавления

Ширина кольцевого зазора, мм

Глубина кольцевого зазора, мм

Количество проведенных экспериментов

0,2

Конус не отделился от цилиндрической части

То же

0,1d

Конус отделился от цилиндрической части

То же

0,3

0,3

0,3

0,54

0,64

0,74

0,1d

0,24

0,3d

0.4d

0,54

0,64

0,7d

0,24

0,3d

0,44

0,54

0,64

0,74

0,14

0,24

0,3d

0,44

0,2

0,2

0,2

0,2

0,2

0,2

0.3

0,3

0,3

0,3

Формула изобретения

Ампула для выращивания кристаллов из расплава, имеющая боковую цилиндриче5 скую поверхность и коническое дно, о т л ич а ю щ а я с я тем, что, с целью упрощения извлечения кристаллов и повышения выхода годных, в месте соединения цилиндрической поверхности и конического дна внутри

10 ампулы выполнено кольцевое углубление глубиной (0,4 — 0,6) d и шириной (0,1 — 1)d, где d — толщина стенки ампулы.

Отделился конус от цилиндрической части при заполнении ампулы кристаллизуемым веществом

Конус не отделился от цилиндрической части

То же

Конус отделился от цилиндрической части

То же

Отделение конуса от цилиндрической части при заполнении ампулы кристаллизуемым веществом

1673652

Продолжение таблицы

Глубина кольцевого зазора, мм

Харак ния ам ии оплавления

Ширина кольцевого зазора, мм

Количество проведенных экспериментов

Конус не отделился от цилиндрической части

То же и

0,1d

0,2б

0,3d

0,4d

При отделении конуса происходит образование мелких осколков кварцевого стекла, являющихся причиной разрушения кристаллов при их охлаждении

То же

0,5d

0,6d

0,7б

Составитель Н. Давыдова

Редактор Л, Пчолинская Техред М.Моргентал Корректор Т. Малец .

Заказ 2899 Тираж 250 Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035. Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Ампула для выращивания кристаллов из расплава Ампула для выращивания кристаллов из расплава Ампула для выращивания кристаллов из расплава 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технологии получения оптических монокристаллов

Изобретение относится к технологи получения кристаллов германата висмута со структурой эвлинита Bi Ge О и может быть использовано для промышленного производства сцинтилляционных кристаллов, находящих применение в ядерной физике , физике высоких энергий, позитронной и технической томографии и других областях науки и техники

Изобретение относится к электронной технике и позволяет расширить спектральный диапазон пропускания амплитудных фильтров в ближнюю инфракрасную область спектра и сократить толщину фильтра за счет увеличения коэффициента поглощения на краях в видимой области спектра

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению монокристаллов сферической и нитевидной форм, которые могут быть использованы в практике физического эксперимента и как материалы со специально созданным комплексом свойств: высоким уровнем прочности, коррозионной износостойкости

Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов и позволяет получать ориентированные кристаллы цепочной или слоистой структуры с низкой степенью деформации

Изобретение относится к технике выращивания искусственных кристаллов и обеспечивает повышение качества кристаллов за счет уменьшения теплоотвода при выходе контейнера из зоны нагрева

Изобретение относится к управлению термодинамическими потоками и может быть использовано при разработке и оптимизации различных массообменных процессов, включая тепломассоперенос в жидкой фазе, плавление и/или кристаллизацию

Изобретение относится к получению сложных полупроводниковых соединений типа A3B5 и A4B6

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению и может найти применение в создании высокоэффективных преобразователей на основе полупроводниковых материалов для прямого преобразования тепловой энергии в электрическую, например, в холодильниках, термостатах, агрегатах для кондиционирования воздуха и других устройствах
Изобретение относится к производству монокристаллов корунда и других тугоплавких веществ по методу Вернейля, в частности кристаллов сапфира и рубина с эффектом астеризма, которые иначе называются звездчатыми

Изобретение относится к металлургии, преимущественно к технологии получения литых монокристаллических заготовок из сплавов, содержащих Fe-Co-Ni-Al-Cu-Ti (ЮНДКТ)

Изобретение относится к выращиванию синтетических монокристаллов и промышленно применимо при изготовлении ювелирных изделий, а также высокопрочных оптических деталей (небольших окон, линз, призм и т.п.)

Изобретение относится к области выращивания активированных монокристаллов и может быть использовано при производстве сцинтилляторов, применяемых в приборостроении для ядерных, космических, геофизических исследований, для медицинской и промышленной компьютерной томографии
Наверх