Микросборка

Авторы патента:

H01L21/02 - изготовление или обработка полупроводниковых приборов или их частей (отличающиеся использованием органических материалов H01L 51/40)

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении микросборок. Цель изобретения - повышение надежности микросборники микросборка содержит коммутационную плату 1, активные и/или пассивные элементы 2, каждый из которых соединен выводами 3 с контактами площадками 4 платы 1 и защищен полым полиимидным колпачком 5 с толщиной стенок равной 40-50 мкм и формой обеспечивающей зазор между внутренней поверхностью 6 колпачка 5 и плоскостью 7 элемента 2, при этом внешняя поверхность 8 колпачка 5 и участок 9 платы 1 по периметру колпачка 5 снабжены защитным слоем из компаунда. В токой микросборке исключается возникновение термических напряжений. 1 ил.

Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении микросборок. Целью изобретения является повышение надежности микросборки. Часть микросборки представлена на чертеже. Микросборка содержит коммутационную плату 1, активные и/или пассивные элементы 2, каждый из которых соединен выводами 3 с контактными площадками 4 платы 1 и защищен полым полиимидным колпачком 5 с толщиной стенок равной 40-50 мкм и формой обеспечивающей зазор между внутренней поверхностью 6 колпачка 5 и плоскостью 7 элемента 2, при этом внешняя поверхность 8 колпачка 5 и участок 9 платы 1 по периметру колпачка 5 снабжены защитным слоем из компаунда (на чертеже не показан). Микросборка работает следующим образом: полый полиимидный колпачок 5 защищает от механических и климатических воздействий элемент 2. В такой микросборке исключается возникновение в активных и/или пассивных элементах механических и термических напряжений при наличии герметизирующих и защитных компаундов.

Формула изобретения

МИКРОСБОРКА, содержащая коммутационную плату и размещенные на ней активные и/или пассивные элементы, каждый из которых соединен выводами с контактными площадками платы и защищен герметичной диэлектрической оболочкой, отличающаяся тем, что, с целью повышения надежности, в качестве диэлектрической оболочки использован полый полиимидный колпачок с толщиной стенок, равной 40-50 мкм, и формой, обеспечивающей зазор между внутренней поверхностью колпачка и поверхностью элемента, при этом внешняя поверхность колпачка и участок платы по периметру колпачка снабжен защитным слоем компаунда.

РИСУНКИ

Рисунок 1

MM4A Досрочное прекращение действия патента Российской Федерации на изобретение из-за неуплаты в установленный срок пошлины за поддержание патента в силе

Номер и год публикации бюллетеня: 32-2000

Извещение опубликовано: 20.11.2000

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть использовано при изготовлении микросхем, в лазерной технике при напылении материалов на кристаллы

Способ изготовления интегральных схем // 1671070

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть.использовано при изготовлении аналоговых интегральных схем с повышенной радиационной стойкостью к стационарному ионизирующему излучению

Способ изготовления емкостного преобразователя механических величин // 1671066

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при изготовлении малогабаритных преобразователей механических величин, в частности ускорения

Способ изготовления полупроводникового прибора // 1639335

Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к технологии изготовления полупроводниковых приборов с металлокерамических корпусах

Устройство для совмещения и экспонирования // 1611155

Изобретение относится к производству интегральных схем и полупроводниковых приборов, в частности к технологии рентгенолитографиио Цель изобретения - повьпиение выхода годных по лупроводниковых приборов - достигается путем обеспечения лучшей воспроизводимости топологического рисунка в рентгенорезисте подложки В устройстве для совмещения и экспонирования рентгеновское излучение экспонирует через рентгеношаблон 3 подложку I с рентгенорезистом 2 Метку совмещения на подложке I формируют в виде набора плоских р-п-переходов или чередующимися проводящими и непроводящими слоями, а метка рентгеношаблона 3 представляет собой набор координатносопряженных с метками на подложке 1 отверстий в слое золота Рентгеновское излучение проходит через метку рентгеношаблона 3 и поглощается в слоях метки пластины, вызывая изменение величины обратного тока р-п-переходао Совмещенному положению соответствует максимальный обратный ток слоистой структуры р-п-переходаоЗ ил

Устройство для совмещения рисунка на маске с рисунком подложки // 1595270

Изобретение относится к технике полупроводникового производства, в частности к рентгенолитографии, и может быть использовано в установках для совмещения рисунка на маске с рисунком на подложке и экспонирования

Генератор потока диссоциированных молекул // 1551163

Устройство импульсной обработки полупроводниковых структур // 1492398

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов и интегральных схем

Способ изготовления кремниевых структур с диэлектрической изоляцией // 1405629

Изобретение относится к технологии полупроводникового производства и может быть использовано при изготовлении кремниевых структур с диэлектрической изоляцией

Способ изготовления полупроводниковых микросхем // 1376839

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии производства полупроводниковых микросхем

Способ изготовления чувствительных элементов для полупроводниковых детекторов импульсного ионизирующего излучения на основе теллурида кадмия // 2103765

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при исследовании спектрального состава и плотности потока высокоинтенсивного излучения электрофизических установок, в частности линейных ускорителей, импульсных реакторов, где требуются детекторы с высоким временным разрешением, высокой радиационной стойкостью и высокой избирательностью детектора к жесткой части спектра излучения

Фотошаблон для фотолитографии // 2114485

Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к устройствам для фотолитографических процессов, и может быть использовано при изготовлении микросхем

Емкостной акселерометр и способ его изготовления // 2114489

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых емкостных акселерометров

Способ создания монолитной интегральной свч схемы // 2130215

Изобретение относится к полупроводниковой электронике и может быть использовано при создании монолитных интегральных схем СВЧ и прежде всего схем миллиметрового диапазона длин волн, монтируемых в волноводный узел

Способ изготовления двусторонней печатной платы и двусторонняя печатная плата // 2138931

Изобретение относится к технологии изготовления печатных плат и их конструкции и может быть использовано в приборостроении, радиоэлектронике и других областях техники

Полупроводниковый газовый сенсор и способ его изготовления // 2143678

Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к технологии изготовления полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления интегральных газовых сенсоров с тонкими диэлектрическими мембранами (1-5 мкм)

Линия фотолитографии // 2201012

Изобретение относится к области микроэлектроники

Способ изготовления микромеханического инерциального чувствительного элемента емкостного типа // 2207658

Изобретение относится к области измерительной техники и может быть использовано при изготовлении малогабаритных микромеханических датчиков: акселерометров, гироскопов и др

Способ формирования электропроводящих и/или полупроводниковых трехмерных структур, способ уничтожения этих структур и генератор/модулятор электрического поля для использования в способе формирования // 2210834

Изобретение относится к микроэлектронной технологии, а именно к технологии получения тонкопленочных электронных схем

Устройство для формирования рисунков // 2257603