Способ изготовления изделий из кристаллов

 

Использование: в отраслях производства , связанных с изготовлением большого количества ориентированных изделий из кристаллов (кварц, полупроводники, сапфир и т.п.). Сущность изобретения: после выбора плоскости, имеющей меньшее отклонение фактического углового расположения от заданного , эту плоскость обрабатывают до достижения заданного расположения, а вторую плоскость обрабатывают в параллельность исправленной, 1 табл., 3 ил.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (si>s В 28 D 5/00

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГО С ПАТЕ НТ ССС Р) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

1 4

О (Л >

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4728588/33 (22) 09.08.89 (46) 15.01.93. Бюл. N. 2 (71) Научно-исследовательский институт

"ЭЛТО" (72) П.Ю.Медведев и Е.А,Фролов (56) Глюкман Л.И. и др. Пьезоэлектрические кварцевые резонаторы. М.: Радио и связь, 1981, с, 103.

Авторское свидетельство СССР

N 1248823, кл, В 28 D 5/00, 1986, Изобретение относится к электронной технике и может найти применение в отраслях производства, связанных с изготовлением большого количества ориентированных изделий из кристаллов (кварц, полупроводники, сапфир и т.п,), к которым предьявляются высокие требовани по точности ориентации обрабатываемых поверхностей относительно кристаллографических осей, Известен способ изготовления изделий из кристалла, например, из пьезокварца, заключающийся в ориентированной разрезке кристалла на пьезопластине, шлифовке пластин по плоским граням для уменьшения разнотолщинности, определения фактического углового расположения плоских граней относительно кристаллографических плоскостей и дополнительной шлифовки плоских граней до достижения или заданного углового расположения относительно кристаллографических плоскостей, Однако при изготовлении по такому способу после отрезки точность ориентации разных плоских граней отличается по величине и при шлифо ке пластин по плоским граням, в процессе <оторой пластина ориен„„ 42 „„1787805 А1 (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ

ИЗ КРИСТАЛЛОВ (57) Использование: в отраслях производства, связанных с изготовлением большого количества ориентированных изделий из кристаллов(кварц, полупроводники, сапфир и т.п,). Сущность изобретения; после выбора плоскости, имеющей меньшее отклонение фактического углового расположения от заданного, эту плоскость обрабатывают до достижения заданного расположения, а вторую плоскость обрабатывают в параллельность исправленной, 1 табл., 3 ил, тируется случайно, не уменьшает разброс по точности углового расположения плоских граней.

Наиболее близким техническим решением к предлагаемому является способ изготовления изделия из кристалла, включающий ориентированную разрезку кристалла на пластины шлифование плоских граней, определение фактического углового расположения плоских граней относит(.льно кристаллографических плоскостей и дзполнительное шлифование плоских граней до достижения или заданного углового расположения относительно кристаллографических плоскостей, причем определение фактического углового расположения плоских граней относительно кристаллографических плоскостей осуществляют после ориентированной разрезки кристалла на пластины, а шлифование плоской грани в параллельность осуществляют при базировании пластины на плоскость, имеющую меньшее отклонение фактическс ro углового расположения от заданного.

Однако, при применении этого способа после шлифовки плоской грани в параллель3

1787805 ность стороне, имеющей меньшее отклонение фактического углового располо>кения от заданнага, нэ все пластины имеют точность угловой ориентации соответствующей заданной, и для части заготовок требуется 5 проведение еще цикла операций по исправлению углового расположения. .: Ф Цель изобретения — уменьшение трудоемкости и сокращение цикла изготовления изделия из крйсталла. 10

Изготовление изделий из кристаллов по данному способу осуществляется в следующеЙ -ocnедователь 300 I ; nocne ориентированной разрезки кристалла на пластины производят определение фактического уг- 15 лового расположения плоских граней относительно крлсталлографических плоскостей с обоих сторон пластины, сравнивают эти величинь;, вLlблрэют nлоскую грань с меньц:ей величиной углового расположения от 20 зэдэ: наго, соьчлифовывают с этой грани угловой припуск до заданного углового расположения и за|ем шлифуют вторую плоскую грань в параллельность исправленной.

На фиг, 1, 2, 3 представ.пен способ s 25 последовательности по переходам обработки, При этом фиг. 1, 2 представляют поперечные контуры заготовок в исходном состоянии; фиГ. 3 KGHT /pû Готовых изде

rlijЙ. 30

По способу н". первом переходе (фиг.1) после BBI50pB плОскОЙ Грани с меньшей BG

J1iI I " нО! l jI 10BQVO рВСпО 10>KGHVISI От заданного (грань А И) грань А И обрабатывается до заданного углового расположения и фор- 35 мируется грань А Ж, На втором переходе (фиг,3в) грань В С обрабатывается в параллельность грачи А Ж и формируется грань В

Д. Таким Образом, после двух переходов получаем готово- изделие, а третий переход 40 отсутствует, Очевидна, что трудоемкость, длительность цикла v: величины припусков при изготовлении загo TQBQK зависят от количества переходов или операций. В предлагаемом 45 способе коллчество переходов B цикле операций по исправлению угловой ориентации сокращено с трех до двух и таким образом повышается эффективность всего процесса изГОтовления. 50

Пример. Для проверки эффективности способа был проведен эксперимент в лабораторных условиях. Были изготовлены две партии (по 20 шт) Х-секций из кристаллов искусственного пьезокварца. Размеры Хсекций — 170 х 45 х 12 мм. На первой партии по существующему способу после разрезки измерялась, в соответствии с действующим техпроцессом, точность угловой ориентации базовых поверхностей только с одной стороны, на второй — с двух сторон и с выбором стороны, имеющей меньшее угловое отклонение 25, для второй — 18. Величина трудоемкостей изготовления по операциям приведена в табл. 1 в н/ч на одну секцию.

Таким образом, по предлагаемому способу снижени= трудоемкости составило в

1,27 раза.

Технико-экономический эффект заключается в том, что после сошлифовки углового припуска до заданного расположения со стороны, имеющей меньшее отклонение фактического углового расположения от заданного и шлифовки второй стороны в параллельность исправленной снижаются общая трудоемкость, совершается цикл обработки и уменьшается величина необходимого припуска при изготовлении изделия.

Формула изобретения

Способ изготовления изделий из кристаллов, включающий ориентированную разрезку кристалла на пластины, определение фактического углового расположения плоских граней относительно кристаллографических осей, сравнение этих величин, выбора плоской грани, имеющей меньшее отклонение фактического углового расположения от заданного и последующей шлифовки плоских граней до дости>кения ими заданного углового расположения относительно кристаллографических плоскостей, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости и сокращения цикла изготовления, после выбора плоскости, имеющей меньшее отклонение фактического угловог", расположения от заданного, эту плоскость обрабатывают до достижения заданного расположения, а вторую плоскость обрабатывают в параллельность исправленной.

1787805

Предлагаемый способ

Наименование опера- Модель оборудования ии

Существующий способ

Пьезогониометр

Пà — 30

0,0056

0,0056

Пьезогониометр

П Г-30

Станок ручной шлифовки К 3923

0,0056

0,4

0,3

Плоскошлифовал ьный станок

0,033

0,033

0,3442

0,4386

Составитель Г.Афиногенова

Техред М,Моргентал Корректор О.Густи

Редактор В.Фельдман

Заказ 39 Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

Измерение угловой ориентации первой стороны

Измерение угловой ориентации второй стороны

Исправление точности ориентации одной из сторон

Шлифовка второй стороны в паралельность исправлений

Суммарная трудоемкость цикла изготовления

1 !!

I ! м" A

Ж ! ! риа.т

Способ изготовления изделий из кристаллов Способ изготовления изделий из кристаллов Способ изготовления изделий из кристаллов 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к механической обработке твердых и хрупких материалов и может быть использовано при разделении полупроводниковых и диэлектрических монокристаллов на пластины
Изобретение относится к обработке алмазов, а именно к нанесению несмываемой линии на алмаз
Изобретение относится к обработке алмазов, а точнее к способу изготовления алмазных украшений с использованием метода нанесения несмываемых линий (гравировки) на алмазе

Изобретение относится к области технологии обработки поверхности геолого-минералогических аншлифов в лабораторной практике, а также к технологии шлифовки и огранки поделочного и ювелирного камня

Изобретение относится к разрезанию блоков из твердых материалов, в частности из полупроводников, стекла и керамики, на пластины путем воздействия свободно подаваемого абразива и бесконечного циркулирующего прочного несущего элемента

Изобретение относится к производству бриллиантов, а также может быть применено при распиливании драгоценных камней

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых подложек и предназначено для использования на операциях резки монокристаллов кремния на пластины в электронной промышленности

Изобретение относится к области механической обработки твердых хрупких материалов, а именно к способам механической резки монокристаллов на пластины

Изобретение относится к способам обработки янтарного сырья преимущественно мелких фракций и получения янтарных изделий, а также различных композиций, в состав которых входит янтарь
Наверх