Способ изготовления акустических диафрагм

 

Использование: в области акустической техники при изготовлении устройств звукозаписи высокого качества, в частности, систем категории Hi-Fi. Сущность изобретения: фомирование слоев осуществляют на технологической подложке, выполненной из теплопроводного материала, на которую наносят слой титана, затем слой алмазоподобного аморфного углерода, после чего удаляют технологическую подложку.

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛ ИСТИЧ Е С К ИХ

РЕСПУБЛИК

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ (21) 4890863/21 (22) 13.12.90 (46) 30.04,93, Бюл. ¹ 16 (71) Московское специальное конструкторское бюро (72) H.B.Ñòðèãóíîâ, А.Я.Колпаков, А.И,Маслов, В.П.Запорожский и А.В.Сидельников (56) Авторское свидетельство СССР № 961160, кп. Н 04 P 7/00, 1981.

Патент США ¹ 4725345, кл. С 23 С

14/00, 1988.

Изобретение относится к области акустической техники и может быть и с и о л ь з о вано при изготовлении высокопроизводящих устройств звукозаписи высокого качества, в частности, систем категории Н Я=1.

Цель изобретения — повышение производительности способа, улучшение акустических характеристик и долговечности диафрагм.

Поставленная цель достигается тем, что, s способе изготовления высокочастотных акустических диафрагм, включающем формирование основы иэ титановой пленки и нанесение на нее слоя алмазоподобного углерода, формируют теплоотводящую подложку, наносят на нее слой титана, после чего на слой титана наносят слой алмазоподобного аморфного углерода и удаляют теплоотводящую подложку.

Цель достигается также тем, что теплоотводящую подложку толщиной не менее

0,2 мм изготавливают из меди, Спой алмазоподобного аморфного углерода формируют при температуре подложки., Ж„„1812236 А1

С 23 С 14/00, 14/46 (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АКУСТИЧЕСКИХ ДИАФРАГМ (57) Использование: в области акустической техники при изготовлении устройств звукозаписи высокого качества, в частности, систем категории Hi-Fi. Сущность изобретения; фомирование слоев осуществляют на технологической подложке, выполненной из теплопроводного материала, на которую наносят слой титана, затем слой алмазоподобного аморфнрго углерода, после чего удаляют технологическую подложку. не выше 150 С осаждением импульсного потока углеродной плазмы с энергией ионов

10-100 эВ и плотностью 10 -10 см С:

Алмазоподобный аморфный углерод осаждают со скоростью 0,2-0,5 мкм/мин.

Количественные характеристики, введенные в формулу изобретения в качестве существенных признаков, имеют следующие обоснования, Толщина медной теплоотводящей подй ложки не должна быть меньше 0,2 мм, т.к, в противном случае ее теплоемкость будет не- 3 достаточна, и температура подложки превы- (Д сит допустимую (150 С) величину,,О вследствие чего в структуре углеродного покрытия будут наблюдаться структурные дефекты относительно больших размеров и д значительной плотности.

Энергия ионов углерода в пределах 10—

100 эВ должна выдерживаться по следующим причинам, При энергии ионов в потоке плазмы больше 100 зВ наблюдается интенсивный разогрев подложки, что. как было указано выше, приводит к резкому ухудшению структуры наносимой углеродной плен1812236 ки. При энергии ионов меньше 10 эВ не обеспечивается достаточная скорость осаждения углеродной пленки, Также не обеспечивается достаточная скорость осаждения углеродной пленки при плотности ионов в потоке плазмы меньше

10 см з, Если плотность ионов превышает

10 4 см з, то это приводит к черезмерному разогреву подложки и возникновению структурных дефектов в слое аморфного углерода.

Соблюдение вышеприведенных режимных параметров. обеспечивает скорость осаждения аморфного углерода в пределах

0,2-0,5 мкм/мин. Снижение скорости осаждения меньше 0,2 мкм/мин не обеспечивает достижения поставленной цели в части повышения производительности процесса.

Если же реализовать скорость осаждения углерода больше 0,5 мкм, то формируемая 20 пленка обладает неудовлетворительной адгезией к титану и содержит большое количество структурных дефектов. Метод осаждения импульсного потока углеродной плазмы rio сравнению с используемым в способе-прототипе методом испарения yt.лерода в газовой среде (углеводородом) обеспечивает значительно более высокие твердость получаемой пленки (до 9000—

10000 по шкале Виккерса), модуль Юнга и 30 адгезию к титану. Вследствие этого сформированные по заявляемому способу акустические диафрагмы обеспечивают лучшие частотные характеристики и повышенную долговечность, т,к. в них существенно ниже 35 вероятность отслаивания углеродной пленки оттитана, особенно при больших мощностях звукоотдачи.

Пример конкретной реализации способа. 40

Медную подложку обезжиривают и закрепляют на охлаждаемом подложкодержателе в вакуумной камере установки мод.УРМ3.279.070. Откачивают камеру до давления 5 10 Па и производят очистку 45 подложки ионами титана, генерируемыми электродуговым источником плазмы с сепарацией плазменного потока, подавая отрицательный потенциал на подложку 1000 В, Ток дуги устанавливают равным 75 A. 50

После этого снижают потенциал подложки до — 100 В и наносят слой титана толщиной 10 мкм, Затем охлаждают подложку до температуры 30 С и наносят слой алмазоподобного углерода толщиной 0,3 мкм с помощью импульсного источника углеродной плазмы при напряжении накопителя 300 В и частоте следования импульсов 50 Гц, что обеспечивает среднюю энергию ионов в углероде 70

ЭВ, плотность потока плазмы 10 см, скорость нанесения алмазоподобного аморфного углерода составляет 0,2 мкм/мин.

Температура подложки в процессе нанесения аморфного углерода не превышает

120 С. После этого сформированную структуру погружают в водный раствор хлорного железа и производят стравливание медной подложки.

Измерение параметров полученной диафрагмы дает следующие результаты; — верхняя границадиапазона воспроизводимости частот не ниже 48 кГц при незначительных нелинейных искажениях; — скорость распространения звука более 1,2 10 м/с; — ускоренные испытания диафрагм при максимальных нагрузках показали отсутствие отслаивания углеродного покрытия от титана, Таким образом, предлагаемый способ изготовления акустических диафрагм может быть использован при производстве высококачественной профессиональной звуковоспроизводящей аппаратуры, Формула изобретения

Способ изготовления акустических диафрагм, включающий формирование основы из титановой пленки и нанесение на нее слоя алмазоподобного аморфного углерода, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности, улучшения акустических характеристик и повышения долговечноСти, титановую пленку предварительно наносят на технологическую подложку, выполненную из теплопроводного материала толщиной не менее 0,2 мм, слой аморфного углерода осаждают при температуре не выше 150 С из импульсного потока углеродной плазмы с энергией ионов

10-100 эВ и плотностью 10 -10 ион/см, после нанесения слоя аморфного углерода технологическую подложку удаляют,

Способ изготовления акустических диафрагм Способ изготовления акустических диафрагм 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к ионно-плазменной технологии, а более точно - к установкам для ионно-лучевой обработки поверхности деталей в вакууме

Изобретение относится к нанесению покрытий для целей электроники

Изобретение относится к производству оптических деталей, в частности к обработке полированных оптических деталей из металлов и диэлектриков

Изобретение относится к ионной технике и материаловедению и служит для повьпиения точности и упрощения измерения коэффициента распыления материалов

Изобретение относится к области плазменной техники и вакуумной технологии нанесения покрытий и может быть использовано в микроэлектронике для нанесения тонких пленок, в машиностроении для нанесения износостойких, жаропрочных, коррозионностойких и других защитных покрытий простого и сложного составов

Изобретение относится к устройствам, предназначенным для автоматического шлюзования изделий, преимущественно плоской формы

Изобретение относится к акустике и акустоэлектронике, в частности к области нанесения диэлектрических и пьезоэлектрических пленок на поверхность подложки методом плазменно-реактивного распыления металлической мишени в вакууме

Изобретение относится к обработке материалов , решает задачу повышения их износостойкости и может найти применение в различных областях машиностроения и инструментального производства для повышения срока службы изделий и инструмента, работающих в паре с изделиями из сплавов титана

Изобретение относится к обработке изделий электрическими средствами и может быть использовано для нанесения тонких покрытий в вакуумно-плазменной технологии микроэлектроники

Изобретение относится к технике нанесения покрытий в вакууме и может быть использовано для получения многослойных металлических пленок на металлах и диэлектриках

Изобретение относится к технологии получения вакуумных покрытий и может быть использовано при нанесении защитных, износостойких и декоративных покрытий, в частности на керамические и стеклянные облицовочные плитки
Наверх