Способ получения отражающего покрытия

 

Использование: технология получения высокоотражающих металлических покрытий (П), стойких к оптическому излучению. Сущность изобретения: осаждение отражающего П осуществляют в установке катодного распыления, снабженной ячейками Пеннинга. На подложки, охлаждаемые жидким азотом, последовательно наносят подслой магния толщиной 1,5 ±0,1 нм и металл отражающего П. Способ обеспечивает повышение лучевой стойкости П при предельном для металлических пленок коэффициенте отражения. 1 табл.

„„5Q„„1805137A1

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (s»s С 23 С 14/14, G 02 В 1/10

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР. (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К -АВТОРСКОМУ .СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1 (21) 4835456/21 (22) 07.06 90 (46) 30;03.93. Бюл. М 12 (71) Институт атомной энергйи им. И.. В. Курчатова (72) В.М. Гоаянов, E.Ä. Ольшанский иД.И.Долгий (56) Панов В. А. Справочник конструктора оптико-мехайических приборов. Л.: "Машиностроение", 1980,.с. 541 — 547. (57) Использование: технология получения высокоотражающих металлических покрытий (П), стойких к оптическому излучению.

Сущность изобретения: осаждение отражающего П осуществляют в установке катодного распыления, снабженной ячейками

Пеннинга. На подложки, охлаждаемые жидким азотом, последовательно наносят подслой магния толщиной 1,5 й0,1 нм и металл отражающего П, Способ. обеспечйвает повышение лучевой стойкости П при предельном для металлических пленок коэффициенте отражения. 1 табл. (54) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОТРАЖАЮЩЕГО ПОКРЫТИЯ

Изобретение относится к технологии жение 3 — 5 кВ) на две независимые секции а получения металлических покрытий и может для катодного распыления магния и меди быть использовано для нанесения адгези- (или серебра) и осаждают последовательно онно-прочных, высокоотражающих покры- подслой магния толщиной 1,5 нм и основной тий, стойких к оптическому излучению. слой меди (или серебра) толщиной 0,2 .— 15

: Целью изобретения является повыше- " . мкм. ние лучевой стойкости отражающего метал- Перемещение кассеты с подложками от,, лического покрытия на прозрачной: секции к секции производят с помощью ме-,: подложке. ханического- привода. Толщину подслоя и в

tl р и м е р . Осаждение отражающего металлического покрытия регулируют по Q() покрытия осуществляют методом катодного времени распыления материала.. "р распыления с использованием ячейки Пен- . Экспериментально было установлено,, у нинга.,что Мя образует:максимально прочные свя-

Подложки из стекла КУ-1 помещают в зи на границе раздела подложка (кварц)— вакуумную камеру, которую откачивают и" "отражающее покрытие при толщине 4 .обезгаживают с помощью термического на- 1,5 и 0,1 нм. Ч грева. После достижения давления в камере Способ нанесения подслоя позволяет (66о-665) 10 fls включают систему оклаж-: получить сплошную пленку даже при толщи- дения с использованием жидкого азота. не моноатомного слоя и получить плотно д . Подложки при этом находятся при темпера- упакованный аморфный материал; туре жидкого азота. Затем включается пода-. Полученные образцы были йодвергнуты ча инертного газа(криптона). Подустижении лазерному облучению со сторойы подлож- . в камередавления(2;66-798);10 Па после-- - ки; Длина волны А -. 1,055 мкм. длительдовательно подают электропитание (напря- ность импульса t - 10 з с. Зона облучения

1805137

Лучевую стойкость W определяли по формуле:

W - 29,6 —, Дж/см .

* После 50 импульсов наблюдается частичное отслоение и разрушение отражающего покрытия.

Составитель Н.Овсянникова

Техред M.Ìîðleíòàë Корректор Н.Король

Редактор С.Кулакова

Заказ 926 Тираж Подписное.

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород; ул.Гагарина, 101 ограничивалось диафрагмой площадью S.

Величины энергии лазерного излучения Е1, Ez, отраженного соответственно от входной (ненапыленной) и напыленной граней .образца, измеряли калориметрами типа ИМО- 5

2Н.

Коэффициент отражения R рассчитывали по фобыуле.,"Е2

:Еj .,;Я"= 3,6.—,.- - . где E>np — значение Е1, при котором наблюдается разрушение покрытия.

Результаты испытаний образцов приве- 20 дены в таблице.

Таким образом; отражающее металлическое покрытие с подслоем, изготовленное согласно изобретению, отличается высокой адгезией, предельным для металлических пленок коэффициентом отражения и повышенной лучевой стойкостью, что значительно улучшает технические характеристики иэделий (зеркала, призмы), увеличивает ресурс их работы.

Формула изобретения

Способ получения отражающего покрытия, включающий осаждение в вакууме металла покрытия на прозрачную подложку методом катодного распыления, о т. л и ч аю шийся тем, что, с целью повышения лучевой стойкости покрытия, перед осаждением металла покрытия на подложку наносят подслой магния толщиной 1,5 . 0,1 нм, причем нанесение подслоя осуществляют методом катодного распыления в ячейке

Пеннинга.

Способ получения отражающего покрытия Способ получения отражающего покрытия 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к оптическому приборостроению и может быть использовано для ахроматического просветления оптических элементов приборов

Изобретение относится к оптическому приборостроению и может быть использовано при изготовлении светоделительных и пропускающих интерференционных покрытий

Изобретение относится к медицине, а именно к офтальмологии, и касается способов изготовления элементов офтальмологической оптики, предназначенных для ввода лазерного излучения в глаз

Изобретение относится к области металлургии, в частности к составу порошка сплава на основе никеля для пламенного напыления

Изобретение относится к технологии получения тонких пленок металлов и их окислов вакуумно-термическим испарением и может быть использовано в микроэлектронике, в частности при производстве маскированных фотошаблонных заготовок и тонкопленочных элементов интегральных схем.Цель изобретения - снижение плотности дефектов в конденсируемой пленке за счет уменьшения концентрации реактивных газов в зоне конденсации.Поставленная цель достигается тем, что в способе получения тонких пленок, включающем испа^рение и конденсацию паров испаряемого материала на подложку в вакууме, испарение проводят в дискретноступенчатом режиме нагревания источника при равномерном повышении его температуры от комнатной до 1100-1500°С с последующим охлаждением до комнатной температуры, причем нагревание в каждой ступени осущ1еств/тяют в течение 30-60 с,.аинтервал между ступенями нагревания выдерживают в течение 60-300 с.Испарение в дискретно-ступенчатом режиме нагревания источника имеет следующие преимущества по сравнению с известным способом.При периодическом нагревании и охлаждении источника скорость испарения мало изменяется во времени, в то время как при постоянном нагревании источника скорость испарения уменьшается к концу процесса напыления почти вдвое

Изобретение относится к пиротехническому материалу и способу его изготовления, и, в частности, к пиротехническим цепям, пригодным для использования в системах задержки с одинарными или множественными цепями для передачи зажигания и детонации
Наверх