Зондовое устройство

Авторы патента:

H01L21/66 - испытания или измерения в процессе изготовления или обработки (после изготовления G01R 31/26)

Сущность изобретения: зондовое устройство для измерения электрическихттраК метров полупроводниковых материалов. ;содержащее диэлектрический корпус, электрОпровЬдяЩйе зонДй с рабочей заостренной контактирующей зоной. Цель изобретёйия - повышение износостойкости при снижении переходного сопротивления. Рабочая и заострен на я конта ктйру кэщая зб; Ни зондбёйгоУстройства выполнена по контуру поверхности зонда из композитов осноемого йеталйа Йбнда, состоящего из стали 0 дйффузйонньгм переходом стали в ;слои твердого сплавау а затем, от твердого сплава к слою бл а рродйргр мётгалла, выхо: дящему на внешйюю поверхность зондовО го контакта. 1 ил.г

„, Ы,„1812579 А1

СОЮЗ СОВЕТСКИХ СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (s»s Н 011 21/66 з

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

1 ",;:: -: :.. --.:, : 2

{21) 4859174/21 .::. содержащее дйэлектрический корпус, элек(22) 13.08.90 .: вЂ”: .:" .::, тропроаодящие зонды с рабочей заострен(46) 30.04.93, Еюл, М 16 . ;: ной контактирующей зоной. Цель (71) Научно-исследовательский.институт ав- изобретения вЂ” повышенйе износостойкости" томатики и приборостроения .:-. ..:. - . при снижении переходного сопротивления. (72) А.В.Гудков, В.А.Кошель, .: Рабочая и заостренная контактйрующая зо- (56) Патент США М 361 И23, кл, 324-72.5, 1971,:: : на зондового устройства выполнена по конАвторскоесвидетельство СССР ; туру поверхности зонда из композитов

Й. 780083, кл. Н 011 21/66, 1976, :: -: основного металла зонда, состоящего йз" стали с диффузионным переходом стали в (54) ЗОНДОВОЕ УСТРОЙСТВО :,".:::. слои твердого сплава, а за гем от твердого (57) Сущность йзобретения: зондовое уст- . сплава к слою благородного металла, выхоройство для измерения электрических йара-... дящему на внешнюю поверхность зондово- метров полупроводниковых материалов, " го контакта. 1 ил.

», 1» рительной технике и может быть использо- ное прижатие и надежный электрический вано для измерения электрических контакт, При этом преимуществом заявлен- flppclMGTpoB полупроводниковых материа-: ноготехническогорешенияявляетсято,что лов, -:.:-:. : твердый сплав обеспечивает изйосостойЦель изобретения вЂ” повышениейзносо- кость, долговечность зонда, а благородный стойкости при снижении переходного со-: металл обеспечивает снижение переходнопротивления..:.... ro сопротивления. Г ри необходимости велиНа чертеже схематично изображена чина твердого сплава, например ВК-6, и конструкция зондового устройства.. . величина слоя благородного металла, наЗондовое устройство содержит диэлек- пример серебра, могут быть изменены в затрический корпус: 1, электропроводящий висимости.от функциональных требований зонд 2. их может быть два и более, с рабочей измеряемых параметров полупроводников, заостренной контактирующей зоной острия . Предлагаемое зондовое устройство .

3. Основной металл зонда 2 вЂ” сталь, которая . - может быть использовано не только для издиффузионно переходит е твердый сплав 4, мерения электрических параметров полуа затем твердый сплав 4 диффузионно nepe- " проводниковых материалов, но .и для ходит в благородный металл 5.:,. определенйя параметров интегральных

Зондовое устройство работает следую- схем микрообъектов, поскольку благородщим образом. При измерениях зондовое yc- " ный металл 5 обеспечивает "мягкость" электройство с несколькими зондами опускают : тропроводящего зонда и стойкость к на контактную площадку полупроводнйко-:. коррозионным изменениям.

1812579 переходного сопротивления, рабочая заостенная контактирующая зона выполнена о контуру поверхности зонда иэ композиов основного металла зонда, состоящего из тали с диффузионнйм переходом стали в лои твердого сплава, а затем от твердого плава к слою благородного металла, выхоящему на .внешнюю поверхность зондовоо контакта.

Формула изобретения р

Зондовое устройство для измерения и . электрических параметров полупроводни- т ковых материалов, содержащее диэлектри- 5 с ческий корпус, электропроводящие зойды с с рабочей заостренной контактирующей зо- с ной, о т л и ч а ю щ е е с я тем, что, с целью д повышения износостойкости при снижении" г

Составитель А. 1 удков

Техред М;Моргентал

Корректор М. Петрова

Редактр. Производственно-издательский комбинат "Патент", r. Ужгород; ул.Гагарина, f01

Заказ 1577 . Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета rio изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Изобретение относится к электрооптическим измерениям и предназначено для проведения, внутрисхемных бесконтактных измерений электрических напряжений в интегральных микросхемах (ИМС) на пластинах

Способ определения момента окончания процесса ионного травления пленок // 1806419

Способ определения электрофизических параметров полупроводников // 1805512

Устройство для измерения подпороговых сток-затворных вольтамперных характеристик мдп-транзистора // 1800503

Способ подготовки образца кремния для определения дефектности структуры // 1800309

Устройство контроля прочности перемычки // 1798089

Изобретение относится к микроэлектронике

Способ контроля качества проработки элементов топологии // 1797414

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к способам контроля качества проработки линий рисунка в проводящем маскирующем слое на диэлектрической подложке, например на кварцевых фотошаблонах с хромовым покрытием

Способ бесконтактного контроля чистоты поверхности полупроводниковых пластин // 1796079

Способ определения относительной деформации постоянной решетки полупроводниковых материалов группы а @ в @ // 1791761

Способ определения малых доз ионного легирования // 1786542

Изобретение относится к области анализа материалов с помощью электрических средств и может быть использовано в микроэлектронике в технологии ионного легированияпри изготовлении МДП-интегральных схем с многоуровневыми пороговыми напряжениями

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Устройство для измерения толщины плоского изделия и способ его реализации // 2107257

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения геометрических размеров плоских изделий, и может быть использовано при измерении толщины плоских изделий из диэлектриков, полупроводников и металлов, в том числе полупроводниковых пластин, пластических пленок, листов и пластин

Способ градуировки резонансного датчика параметров эпитаксиального слоя на проводящей подложке // 2107356

Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на повышение точности измерения параметров эпитаксиальных слоев на изотипных проводящих подложках и применение стандартных образцов, изготовленных по технологии, обеспечивающей существенно более высокий процент выхода годных и более высокую механическую прочность

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2110116

Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для выявления и анализа структурных дефектов (ростовых и технологических микродефектов, частиц второй фазы, дислокаций, дефектов упаковки и др.) в кристаллах кремния на различных этапах изготовления дискретных приборов и интегральных схем

Способ регулирования величины напряжения в открытом состоянии тиристоров и диодов // 2119211

Изобретение относится к области силовой полупроводниковой техники и может быть использовано при изготовлении тиристоров и диодов

Способ контроля однородности слоев пористого кремния на монокристаллическом кремнии // 2119694

Изобретение относится к неразрушающим способам контроля степени однородности строения слоев пористого кремния

Способ выявления структурных дефектов в кристаллах кремния // 2120683

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Способ контроля дефектности пленок диоксида кремния на кремниевых подложках // 2127927

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349