Устройство для измерения характеристик полупроводников

 

Устройство для измерения характеристик полупроводников, содержащее первый и второй источники света, оптически связанные с первым и вторым входами световода с полупрозрачным металлическим электродом, установленным на выходе световода, направленного на полупроводниковый образец, изолированный от полупрозрачного металлического электрода и подключенный к первому выходу источника смещения, первый и второй селективные делители, переключатель, первый вход которого соединен с шиной нулевого потенциала, первый регулируемый усилитель, емкостный делитель, нуль-орган, выход которого подключен к входу RC-фильтра, фазовращатель и первый и второй синхронные детекторы, первые и вторые входы которых соответственно объединены, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерений, в устройство введены второй регулируемый усилитель, третий - шестой синхронные детекторы, третий, селективный усилитель, фазометр, первый и второй нормирующие усилители, источник опорного напряжения, блок сравнения, первый и второй блоки питания, первый и второй балансные смесители и блок формирования частот, вход которого является управляющим входом устройства, первый - третий выходы блока формирования частот соединены с информационными входами соответственно первого и второго регулируемых усилителей и фазовращателя, управляющий вход которого подключен к выходу RC-фильтра, выход второго регулируемого усилителя соединен с опорными входами балансных смесителей и вторым входом переключателя, выход которого и первый выход первого регулируемого усилителя подключены к входам соответственно первого и второго блоков питания, выходы которых соединены с входами одноименных источников света, выход второго источника света через емкостный делитель подключен к входу первого нормирующего усилителя, полупрозрачный металлический электрод соединен с входами второго нормирующего и первого селективного усилителей, выходы первого и второго нормирующих усилителей подключены к информационным входам одноименных балансных модуляторов, выходы которых соединены с входами одноименных селективных усилителей, выходы первого-третьего селективных усилителей подключены к первым входам соответственно первого синхронного детектора, пятого и шестого синхронных детекторов и фазометра, третьего и четвертого синхронных детекторов, выход фазовращателя соединен с вторыми входами второго-шестого синхронных детекторов и фазометра, выходы первого синхронного детектора и источника опорного напряжения подключены к входам блока сравнения, выход которого соединен управляющими входами регулируемых усилителей, выход второго синхронного детектора подключен к входу нуль-органа, вторые выходы первого регулируемого усилителя и источника смещения и выходы третьего-шестого синхронных детекторов и фазометра являются соответственно первым-седьмым выходами устройства.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к технической физике и может быть использовано для исследования электрических свойств материалов

Изобретение относится к электрооптическим измерениям и предназначено для проведения, внутрисхемных бесконтактных измерений электрических напряжений в интегральных микросхемах (ИМС) на пластинах

Изобретение относится к микроэлектронике

Изобретение относится к полупроводниковой технике, в частности к способам контроля качества проработки линий рисунка в проводящем маскирующем слое на диэлектрической подложке, например на кварцевых фотошаблонах с хромовым покрытием

Изобретение относится к электрооптическим измерениям и предназначено для проведения, внутрисхемных бесконтактных измерений электрических напряжений в интегральных микросхемах (ИМС) на пластинах

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах
Наверх