Способ изготовления фотокатода

 

Использование: электронная техника. Сущность способа: при изготовлении фотокатода путем последовательного осаждения на подложку проводящего и фотоэмиссионного слоев, подложку и выращенный на ней проводящий слой-последовательно подвергают ионной обработке, а перед осаждением фотоэмиссионного слоя доращивают стравленный при обработке проводящий слой до заданной толщины. Это позволяет повысить интегральную чувствительность фотокатодов и улучшить качество передачи изображения при коротких временах экспозиции .

СОЮЗ СОВЕТСКИХ

СОЦИАЛИСТИЧЕСКИХ

РЕСПУБЛИК (з1)5 Н 0 I J 9/12

ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТНОЕ

ВЕДОМСТВО СССР (ГОСПАТЕНТ СССР) ОПИСАНИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ

К ПАТЕНТУ (21) 4878369/21 (22) 30,10.90 (46) 15.05.93. Бюл, Nã 18 (71) Институт радиотехники и электроники

АН СССР (72) A,Б.Костин, И.М.Котелянский, В.А.Лузанов и T.À.Ôèëèìîíîâà (73) Институт радиотехники и электроники

АН СССР (56) Adv.!и ЕПес. and EI,Physics, l961, 28, р.375, Тезисы. Докладов Il Всесоюзного симпозиума по радиационной плазмодинамике, 1989, M., Энергоиздат, ч.ll, с.19-21.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении быстродействующих фотоэлект.ронных умножителей и. электронно-оптических преобразователей (ЭОП), работающих в видимой области спектра оптического излучения.

Целью изобретения является повышение качества передачи изображения и ловышение интегральной чувствительностй

ФОТО катодо D.

Указанная цель достигается тем, что в способе изготовления фотокатода, заключающемся в последовательном осаждении на стеклянную подложку проводящего слоя из оксида индия, содержащего оксид олова, и сурьмяно-цезиевого фотоэмиссионного слоя, подложку и выращенный на ней проводящий слой последовательно подвергают обработке ионами инертного газа с энергией 0,4-2,0 кэВ, причем подложку обрабатывают 0,5-1.5 ч, проводящий слой 0,250,5 ч, а перед осаждением фотоэмиссионно5U, l 816329 АЗ (54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФОТОКАТОДА (57) Использование: электронная техника.

Сущность способа: при изготовлении фотокатода путем последовательного осаждения на подложку проводящего и фотоэмиссионного слоев, подложку и выращенный на ней проводящий слой-последовательно подвергают ионной обработке, а перед осаждением фотоэмиссионного слоя доращивают стравленный при обработке проводящий слой до заданной толщины. Это позволяет повысить интегральную чувствительность фотокатодов и улучшить качество передачи иэображения при коротких временах экспозиции. го слоя доращивают. стравленный при обработке проводящий слой до заданной толщины, Ниже приведен пример реализации способа, Стеклянную подложку, выполненную из стекла С 52 подвергают ионному травлению в течение 0,5 часов ионами аргона с энергией 1 кэВ, Затем на подложку наносят прозрачный проводящий слой из !пгОЗ ($п02) толщиной 0,3 мкм, который вновь подвергают обработке ионами аргона в течение 15 мин, при этом проводящий слой утонялся до

0.15 мкм. Далее этот слой доращивали до первоначальной толщины повторным напылением. После этого на проводящем слое формируют сурьмяно-цезиевый фотокатод любым известным способом. Проводящий слой наносился на стеклянную подложку методом магнетронного распыления индия, легированного оловом в атмосфере аргона и кислорода.

1816329

Составитель В. Лузанов

Техред М.Моргентал Корректор T.Вашкович

Реда ктор

Заказ 1651 ° Тираж Подписное

ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР

113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., 4/5

Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул.Гагарина, 101

При проведении испытаний были исследованы две партии бипланарных ЭОП типа

СП05, СПО12; отличающихся лишь способами подготовки подложки под фотокатод, Фотокатоды в ЭОП в одной партии СП05;

СПО12 были изготовлены на стекле с проводящей пленкой InzOg(SnOz) без ионного травления, в другой партии стекло и проводящий слой перед формированием фотокатода подвергались воздействию ионных пучков.

Формула изобретения

Способ изготовления фотокатода; заключающийся в последовательном осаждении на стеклянную подложку проводящего слоя из оксида индия, содержащего оксид олова, и сурьмяно-цезиевого фотоэмиссионногослоя,отличающийся тем,что, с целью повышения качества передачи изображения и интегральной чувствительности фотокатода, подложку и проводящий слой последовательно подвергают- обработке ионами инертного газа с энергией 0,4-2,0

10 кзВ, -причем подложку обрабатывают 051,5 ч, проводящий слой 0,25-0,5 ч, а перед осаждением фотозмиссионного слоя доращивают при обработке стравленный проводящий слой до заданной толщины, ФГ