Способ изготовления полупроводниковых слоев
Похожие патенты:
Изобретение относится к электронной технике и направлено на улучшение качества слоев за счет повышения концентрации носителей в них и повышения воспроизводимости их параметров, что достигается тем, что в способе получения эпитаксильных слоев арсенида галлия p-типа проводимости методом пиролиза металлорганических соединений галлия в среде водорода эпитаксиальное наращивание проводят в присутствии избытка арсина при соотношении концентраций мышьяка и галлия в газовой фазе 5 35
Способ формирования пленок двуокиси кремния // 1820782
Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к технологии осаждения пленок двуокиси кремния из газовой фазы, и может быть использовано при производстве сверхбольших интегральных схем
Способ формирования пленок двуокиси кремния // 1820781
Изобретение относится к технологии изготовления электронной техники, в частности к технологии осаждения пленки двуокиси кремния из газовой фазы, и может быть использовано для создания диэлектрических слоев при производстве сверхбольших интегральных схем
Изобретение относится к микроэлектронике, а более конкретно - к технологии осаждения пленок кремния из газовой фазы, и может быть использовано при создании обкладок накопительных конденсаторов и формировании рельефного рисунка в технологических слоях
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано при получении методом пиролитического синтеза эпитаксиальных структур для изготовления интегральных схем и приборов СВЧ - электроники
Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к изготовлению источников света с излучением в фиолетовой области спектра
Способ получения пленок оксида кадмия // 1649956
Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии получения пленок оксида кадмия на инородных подложках, и может быть использовано при формировании структур, содержащих тонкие слои полупроводниковых материалов с широкой запрещенной зоной в оптоэлектронике
Способ изготовления мдп-транзисторов // 1597018
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении полупроводниковых приборов, в частности МДП - транзисторов на подложке арсенида галлия
Изобретение относится к технологическому оборудованию для автоматизированного производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, в частности к устройствам газофазного наращивания слоев при быстром термическом воздействии
Изобретение относится к технологии получения полупроводниковых тонких пленок многокомпонентных твердых растворов и может использоваться при выращивании тонких пленок контролируемого состава, в том числе эпитаксиальных, из паровой фазы на разнообразных подложках
Изобретение относится к технологии получения пленок аморфного кремния
Тонкие пленки гидрогенизированного поликристаллического кремния и технология их получения // 2227343
Изобретение относится к новым материалам электроннной техники и технологии его получения
