Патент ссср 193438

 

ОП ИСАНИ Е

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

С G U, и а л l1 с т и ч и с q". и х

Республик

Зависимое от авт, свидетельства №

Кп. 12с, 2

12п, 5/00

Заявлено 12Х11.1962 (№ 786371/23-4) с присоединением заявки №

Приоритет

МПК В 01d

С Olg

УДК 661.857.321:54-162 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Сосете Министрое

СССР

Опубликовано 13.Ill.1967. Бюллетень ¹ 7

Дата опубликования описания 13Л .1967

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ

ХЛОРИСТОГО СЕРЕБРА

Способ получения монокристаллов хлористого серебра (AgC1) из расплава методом

Бриджмена-Стокбаргера известен. Недостатки этого способа состоят в невысокой стойкости к воздействию излучений видимой и ультрафиолетовой областей спектра, а также в малой прочности монокристаллов хлористого серебра.

С целью устранения этих недостатков, предлагается способ, по которому перед началом кристаллизации к основному реактиву добавляют 0,005 — 0,01 вес. % стабилизирующей примеси HgC12, после чего процесс кристаллизации ведут согласно известной технологии.

Способ заключается в следующем.

Перед началом кристаллизации в ампулу к основному реактиву (АдС1) добавляют небольшое количество 0,005 — 0,01 вес. % хлористой ртути (HgC1 ) квалификации х. ч., которая является стабилизирующей примесью.

После этого ампулу с веществом запаивают.

Процесс выращивания кристаллов проводят по существующей в промышленности технологии.

На фиг. 1 показаны кривые спектра пропускания: 1 — чистого незасвеченного хлористого серебра и 2 — стабилизированного 0005%

HgC12 после его трехмесячной непрерывной засветки солнечным и искусственным светом (измерения проводились на спектрофотометре Цейса модели UR-10); на фиг. 2 — кривые упрочнения (растяжения) хлористого серебра:

1 — чистого и 2 — стабилизированного

>0 0 01% НдС1е, снятые на приборе Поляни с автоматической записью, Предмет изобретения

Способ получения монокристаллов хлори15 стого серебра (AgC1) из расплава методом

Бриджмена-Стокбаргера, отличпютчийся тем, что, с целью получения материала, стойкого к длительному воздействию видимого и ультрафиолетового излучения, с повышенной прочностью, перед началом кристаллизации к основному реактиву добавляют 0,005—

0,01 вес. о/о стабилизирующей примсси

HgC12, после чего процесс кристаллизации ведут согласно известной технологии.

Патент ссср 193438 Патент ссср 193438 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к изготовлению легированных монокристаллов или поликристаллов кремния, применяемых в производстве солнечных батарей (модулей), интегральных схем и других полупроводниковых устройств

Изобретение относится к технике получения монокристаллов полупроводниковых соединений и их твердых растворов, используемых в полупроводниковой промышленности

Изобретение относится к области исследования и анализа материалов, а точнее к способам управления процессами кристаллизации и сегрегации

Изобретение относится к способу получения полупроводниковых соединений и может быть использовано для получения материалов, применяемых в полупроводниковых приборах и приборах нелинейной оптики

Изобретение относится к области выращивания активированных монокристаллов и может быть использовано при производстве сцинтилляторов, применяемых в приборостроении для ядерных, космических, геофизических исследований, для медицинской и промышленной компьютерной томографии
Наверх