Элемент памяти

 

О П И С А Н И Е 20748б

ИЗОБРЕТЕНИЯ

Сома Совстскик

Социалистических

Республик

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 23, Х11.1966 (№ 1120703/26-24) Ел. 42m, 14

21а>, 37 42 с присоединением заявки №

Приоритет

Комитет по делам иаобретений и открытий при Совете Министров

СССР

МПК G 06f

Н 031

V+K 681 327 2(088 8) Опубликовано 22.ХН.1967. Бюллетень ¹ 2

Дата опубликования описа ния 22.II.1968

Автор изобретения

В. Г. Рыгалин

Заявитель

ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

Предмет изобретения

Уже известны элементы памяти, содержащие параметрические преобразователи.

Цель изобретения — увеличить информационную емкость. Достигается что тем, что предложенный элемент содержит замедляющую коаксиальную структуру, например диафрагмированный коаксиальный кабель, соединяющую выход преобразователя, выполненного, например, на нелинейном сопротивлении, со входом преобразователя, выполненного, например, на нелинейной емкости.

На чертеже показан элемент памяти. Он состоит из двух Т-образных мостов А и Б, соединенных волноводом накачки. Мост А представляет собой повышающий параметрический преобразователь на нелинейной емкости, мост Б — понижающий преобразователь на нелинейном сопротивлении. Повышающий преобразователь А имеет два входа: волноводный 1 для ввода сигнала накачки и коаксиальный 11 для ввода управляющего сигнала.

В прямоугольном волноводе накачки установлен параметрический полупроводниковый диод 11С с нелинейной емкостью p — n перехода, соединенный с центральным проводником коаксиального волновода !1. Выходное плечо

IlI преобразователя А служит входом преобразователя Ь", в котором установлен смесительный диод HR.

Выходное плечо IV преобразователя Б через замедляющую коаксиальную структуру

3С, представляющую собой диафрагмированный волновод, соединено с входным плечом

5 ll преобразователя А. Фильтры Ф служат для предотвращения прохождения сигнала накачки в плечи 11 и IV.

В результате параметрического взаимодействия управляющего сигнала с частотой f u

10 сигнала накачки с частотой 1„на нелинейной емкости p — и перехода диода HC образуются комбинационные сигналы f u f котооые демодулируются в преобразователе Б.

Усиление в преобразователе А превосходит

15 потери в преобразователе Б. Часть усиленного выходного сигнала с частотой 1, поступает через замедляющую коаксиальную структуру

ЗС на вход повышающего преобразователя

А. Таким образом, осуществляется замкнутая

20 цепь циркуляции информации.

25 Элемент памяти, содержащий параметрические преобразователи, отличающийся тем, что, с целью увеличения информационной емкости элемента, он содержит замедляющую коаксиальную структуру, например диафраг30 мированный коаксиальный кабель, соединяю207486

Составитель В. М. Щеглов

Редактор Э. Н. Шибаева Тсхред T. П. Курилко Корректоры: Т. П. Лаврухина и О. Б. Тюрина

Заказ 38/! Тираж 530 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, д. 2 щую выход преобразователя, выполненного, например, на нелинейном сопротивлении, со входом преобразователя, выполненного, например, на нелинейной емкости.