Адаптивный элемент памяти на мемйсторах

 

ОПИСАНИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

2I7052

6оюа Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт, свидетельства №

Заявлено 04.1.1967 (№ 1124866/26-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 26.IV.1968. Бюллетень № 15

Дата опубликования описания 31,VII.1968

Кл. 42m, 36

21ат, 37/68

МПК G 06

Н 03k

УДК 681,335:681.327..2 (088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

В. В, Поляков и К. Е. Кассациер

Заявитель

АДАПТИВНЫИ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ НА ЧЕМИСТОРАХ

Адаптивные элементы памяти,на мемисторах известны. В существующих,мемисторах скорости изменения сопротивления резистивного электрода при осаждении и снятии металла различны, что приводит к ошибкам при интегрировании сигналов управленя.

Основное отличие предлагаемого элемента состоит в том, что, с целью повышения точности его работы и улучшения линейности характеристик, два мемистора включены противофазно в мостовую схему.

С целью защиты прибора от разрушения при полном снятии металла с резистивного электрода, между электродами включено по два шунтирующих резистора.

Схема элемента памяти показана на чертеже.

Схема адаптивного элемента памяти на мемисторах состоит из двух мемисторов М4 и

М>, двух резисторов 1 и 2, задающих постоянную амплитуду синусоидального тока,считывания, двух резисторов 8 и 4, совместно с общим для всех ячеек суммирующим резистором 5 осуществляющих суммирование напряжений от каждого мемистора; четырех резисторов 6 — 9 цепи управления мемисторами и четырех шунтирующих резисторов 10 — 18.

Работает схема следующим образом.

На клеммы Кз — Кз и Кз — К4 подаются противофазные напряжения одинаковой амплитуды от генератора синусоидального напряжения. Величины сопротивлений 1 и 2 выбирают равными. Они много больше максимального значения сопротивления мемистора, и

5 поэтому через мемисторы М, и М- протекают при работе схемы всегда постоянные по амплитуде токи считывания. Величины сопротивлений резисторов 8 и 4 выбирают также равными. Величина сопротивления резистора 5

10 много меньше величины сопротивлений резисторов 8 и 4. При этих условиях амплитуда тока через суммирующее сопротивление будет пропорциональна разности сопротивлений мемисторов Мт и Мв. При любом фиксирован15 ном значении разности сопротивлений меми. сторон схема умножает входной сигнал (сигнал считывания на клеммах К вЂ” Кз — К4) на значение веса, хранимого в этой ячейке и реализованного в виде разности сопротивлений

20 мемисторов. Для изменения этой разности, т. е. веса, на клеммы К, и К; подается постоянное напряжение управления той илп иной полярности. Амплитуда и время действия этого напряжения определяют величину

25 изменения веса, а знак — направление. При этом один из мемисторов работает в режиме осаждения металла на резистивном электроде, т. е. его сопротивление уменьшается, а другой — в режиме снятия металла, т. е. его

30 сопротивление увеличивается. При перемене

217052

Предмет изобретения

5

I 1

Составитель В. И. Жовинский

Редактор В. Федотов Техред Т. П. Курилко Корректоры: Г. И. Плешаков» и М. A. Ромашова

Заказ 1969/15 Тираж 530 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2 полярности управляющего напряжения режимы работы мемисторов меняются.

Использование в схеме адаптивного элемента двух мемисторов вместо одного дает возможность компенсировать неравенство скоростей изменения сопротивлений при осаждении и снятии металла с поверхности резистивного электрода.

1. Адаптивный элемент памяти на мемисторах, отличающийся тем, что, с целью повышения точности его работы и линейности характеристик, в нем два мемистора включены противофазно в мостовую схему, причем цепь управления образована последовательным соединением резистивных электродов обоих

5 мемисторов и двух равных резисторов, подключенных непосредственно к зажимам источника управляющего напряжения, с каждым из которых связан анод одного из мемисторов через резистор вдвое меньшей величины, чем

1О резисторы цепи управления.

2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что, с целью защиты прибора от разрушения при полном снятии металла с резистивного электрода, между электродами приборов

15 включено по два шунтирующих резистора.