Способ изготовления мишени

 

Изобретение относится к технологии изготовления мишеней для катодного распыления материалов и может быть использовано при нанесении покрытий, применяемых в машиностроении, приборостроении, радиоэлектронике и других отраслях народного хозяйства. В изобретении используется высокоскоростной нагрев порошка распыляемого материала в потоке низкотемпературной плазмы до температур на 50-200К, превышающих его температуру плавление, что снижает вероятность окисления и выгорания элементов, а дальнейший разгон материала в плазменном потоке до скоростей 200-350 м/с способствует увеличению плотности покрытия, заполнению микронеровностей поверхности расплавленными частицами, что обеспечивает прочное сцепление покрытия с основанием мишени и высокую механическую прочность при термоударах и термоциклировании, а поддержание температуры основания мишени при осаждении расплавленных частиц в интервале 280-350К уменьшает внутренние напряжения в нанесенном слое и приводит к увеличению толщины слоя распыляемого материала в местах наиболее интенсивного износа, что обеспечивает увеличение коэффициента использования материала мишени.

Изобретение относится к технологии изготовления мишеней для катодного, ионно-плазменного и магнетронного распыления материалов и может быть использовано при нанесении покрытий, применяемых в машиностроении, приборостроении, радиоэлектронике и других отраслях народного хозяйства.

Существует способ изготовления мишени [1] заключающийся в нанесении распыляемого материала на пластину из тугоплавкого металла с высокой теплопроводностью и жесткостью и их соединение посредством пайки.

Однако пайка разнородных материалов с сильно различающимися коэффициентами линейного расширения приводит к возникновению высоких механических напряжений в зоне соединения, появлению сколов, растрескиванию и отслаиванию материала мишени от охлаждаемой основы. В результате этого нарушается тепловой контакт, наблюдается локальный перегрев мишени и появление дугообразования, что в конечном счете приводит к возникновению термического и капельного распыления, снижающего выход годных элементов.

Кроме того, проведение высококачественной пайки, получение большой сплошности соединения для ряда материалов, например керамических, оказывается сложной, не всегда выполнимой задачей.

Известен также способ получения тонких пленок [2] в котором в качестве многокомпонентного катода используется порошкообразная смесь распыляемых веществ, насыпанная тонким слоем (2-5 мм) на проводящую подложку. Состав смеси при этом регулируется в соответствии со скоростями распыления компонентов. К недостаткам этого способа следует отнести невысокое качество используемого катодного узла: низкую механическую прочность, плохую теплопроводность, большую пористость смеси распыляемых материалов. Перечисленные недостатки известного способа снижают качество мишеней и уменьшают выход годных изделий при напылении.

Целью изобретения является повышение качества мишени.

Цель достигается тем, что в известном способе изготовления мишени, включающем нанесение слоя распыляемого материала на металлическую основу, операции нанесения материала и соединения его с основой осуществляют посредством подачи порошка дисперсностью 50-100 мкм в поток низкотемпературной плазмы, нагрева до температур, на 50-200К превышающих температуру плавления материала, разгона расплавленных частиц до скоростей 200-350 м/с и их последующего осаждения на охлаждаемое основание с температурой поверхности 280-350К.

Пример 1. Тщательно перемешанную смесь порошков кобальта и никеля (соответственно в весовых процентах 17 и 29%), дисперсностью 50<d<80 мкм подавали в поток аргоновой плазмы, нагревая при этом частицы до температур 1860-2000К. Последующее осаждение расплавленных частиц, движущихся со скоростью 250-300 м/с, проводили на охлаждаемое проточной водой медное основание в виде диска d 250 мм. Полученная мишень имела слой с толщиной 1-5 мм, специально увеличенной вдоль осевой линии зоны разряда, и была использована для магнитронного распыления на установке "Аратория 5". Напыленные магнитные диски имели следующие характеристики: намагниченность насыщения Js 0,1 Тл, коэрцитивная сила Hc 36-48 кА/м, коэффициент прямоугольности 0,9.

Пример 2. Железо-диспрозиевый сплав с соотношением компонентов Fe 64% Dy 36% после помола в порошок дисперсностью 80<d<100 мкм распылялся в потоке аргоновой плазмы. Нагретые до температур 1400-1600К частицы расплавленного материала со скоростью 220-260 м/с осаждались на охлаждаемое проточной водой прямоугольное медное основание 100х100 мм с температурой поверхности 320К. Толщина равномерно нанесенного материала мишени составила 3 мм. Полученная таким образом мишень использовалась для получения дисков с магнитооптической записью информации. Распыление мишени проводилось на установке типа УРМЗ-3-279-050. Намагниченная насыщенность Js 0,008-0,01 Тл, коэрцитивная сила Hс 160-240 кА/м, коэффициент прямоугольности 0,8.

Пример 3. Исходным материалом для приготовления мишени служила керамика YBa2Cu3O7-b, синтезированная из окислов Y2O3, BaO,CuO. Порошок указанной керамики дисперсностью 63<d<100 мкм подавался в поток аргоновой плазмы, нагревался до температур 1500-1700К и осаждался со скоростью 320-350 м/с в форме купола на прямоугольную медную основу, охлаждаемую проточной водой до температуры поверхности 280-300К.

Приготовленная мишень использовалась для напыления тонких пленок состава YBa2Cu3O7-b со сверхпроводящими свойствами. Температура перехода в сверхпроводящее состояние Ткр 98К.

Пример 4. Порошок кобальтового феррита (CoFe2O4) дисперсностью 50<d<80 мкм, полученный после первичной ферритизации соединения из окислов CoO и Fe2O3, вводился в поток аргоновой плазмы и нагревался до температур 1935-2100К. Затем расплавленные частицы, скорость которых составляла 200-300 м/с, осаждались на алюминиевое основание в виде диска ( d 250 мм) с температурой поверхности 300К. Толщина слоя распыляемого материала изготовленной таким образом мишени составила 3 мм. Мишень была использована для получения пленок кобальтового феррита при магнетронном распылении.

Пример 5. Порошок гексаферрита бария (BaFe12O19) дисперсностью 63-80 мкм вводился в поток аргонно-водородной плазмы, нагревался до температур 1965-2000К и разгонялся до скоростей 250-300 м/с. Осаждение расплавленных частиц осуществлялось на медное основание размером 100х100 мм при температуре поверхности 350К. Полученные мишени имели куполообразную форму и использовались для получения тонких магнитных пленок при ионно-плазменном распылении. Магнитные характеристики таких пленок имели следующие значения: остаточная индукция Br 0,18-0,2 Тл, коэрцитивная сила BHc 200-240 кА/м, максимальная магнитная энергия (BHc)max (2 + 2,4) 10-2Тлн/м Пример 6. Частицы иттриевого феррита-гранита Y2Fe5O12 размером 50-80 мкм вводились в поток аргонно-кислородной плазмы, нагревались до температур 1878-1920К, разгонялись до скорости 200-230 м/с, а затем осаждались на медное основание с температурой поверхности 280К. Полученная мишень имела форму диска (d 250 мм) с профилированной поверхностью, имеющей утолщение 5мм на расстоянии, равном 1/4 диаметра диска. При магнитном распылении такой мишени были получены тонкие пленки феррита Y2Fe5O12, применяемые в магнитооптических устройствах.

Пример 7. Мишень для ионно-плазменного напыления магнитожестких пленок изготавливалась из самарий-кобальтового сплава. Частицы порошка сплава SmCo подавались в поток аргонно-водородной плазмы, нагревались до температуры 1950-2000К, разгонялись до скорости 320-350 м/с и осаждались на алюминиевое основание, температура которого поддерживалась равной 350К. Мишень имела размеры 100х100 мм с толщиной распыляемого материала 4 мм.

Формула изобретения

Способ изготовления мишени, включающий послойное нанесение распыляемого материала на металлическое основание, отличающийся тем, что, с целью повышения качества мишени, нанесение ведут потоком низкотемпературной плазмы путем подачи в поток материала в виде частиц с дисперсностью 50 100 мкм, в потоке частицы нагревают до температуры, на 50 200 К превышающей температуру плавления распыляемого материала, затем разгоняют до скорости 200 350 м/с и осаждают на основание, температуру которого поддерживают в процессе нанесения при 280 350 К.



 

Похожие патенты:

Изобретение относится к поверхностной обработке материалов с использованием плазмы аномального тлеющего разряда и предназначено для применения при очистке и термообработке длинномерных металлических изделий, преимущественно проволоки и ленты, а также нанесении на них покрытий

Изобретение относится к нанесению тонких пленок путем ионного распыления материала в вакууме

Изобретение относится к установкам для нанесения покрытия в вакууме

Изобретение относится к микроэлектронной промышленности, стремительное развитие которой требует резкого увеличения производства полуфабрикатов из алюминия особой чистоты (АОЧ) в виде распыляемых мишеней

Изобретение относится к области приборостроения и может быть использовано для изготовления магнитного носителя информации (магнитные ленты и диски)

Изобретение относится к области технологии нанесения покрытий в вакууме и может быть использовано в производстве электрофотографических носителей изображения

Изобретение относится к вакуумной плазменной технологии, предназначено для чистки и напыления на поверхность изделий тонкопленочных защитных или декоративных покрытий и может использоваться в машиностроении, микроэлектронике, легкой и других отраслях промышленности

Изобретение относится к технике нанесения тонкопленочных покрытий в вакууме и может быть использовано в технологии производства полупроводниковых приборов, поверхностного легирования материалов, нанесения защитных и декоративных покрытий, получения различных пленочных структур

Изобретение относится к технологии получения вакуумных покрытий и может быть использовано при нанесении защитных, износостойких и декоративных покрытий, в частности на керамические и стеклянные облицовочные плитки

Изобретение относится к области покрытия металлических материалов, а также других материалов металлическими и диэлектрическими материалами и может быть использовано при разработке устройств для вакуумного нанесения покрытий методом магнетронного распыления, а более конкретно магнитных систем планарного магнетрона в установках вакуумного нанесения покрытия на различные подложки, в том числе на полимерные пленки

Изобретение относится к рентгеновской оптике, в частности, к устройствам для отражения, поворота, деления, фокусировки и монохроматизации потока рентгеновского излучения и может быть использовано для проведения процессов рентгеновкой литографии, рентгеновской микроскопии, рентгеновской спектроскопии, а также в астрономии, физике, биологии, медицине и других областях технике, где используется рентгеновское излучение
Изобретение относится к области нанесения покрытий, в частности к магнетронному распылению электропроводящих покрытий в среде реактивных газов, и может быть использовано для получения прозрачных электродов и прозрачных электрообогревательных элементов

Изобретение относится к области тонкопленочной технологии и предназначено для использования в микроэлектронике и интегральной оптике

Изобретение относится к электрофизике, в частности к системам, служащим для получения потоков частиц, используемых, например, для вакуумного нанесения тонких пленок
Наверх