Устройство для измерения среднего значения

Авторы патента:

G01R31/26 - испытание отдельных полупроводниковых приборов (измерение содержания примесей G01N)

ОП ИСАН ИЕ

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Сагоз Советских

Социалистическик

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 28.11.1967 (№ 1137542/26-25) Кл. 21@, 11/02 с присоединением заявки ¹

ЧПК Н Oll

УД I(621.382.2:621,317. .799 (088,8) Приоритет

Комитет па делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Опубликовано 17Х.1968. Бюллетень № 17

Дата опубликования описания 19Х111.1968

Авторы изобретения

Ю. Н. Семенюк, H. A. Люков и М. Е. Рапопорт

Томилинский завод полупроводниковых приборов

Заявитель

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ СРЕДНЕГО ЗНАЧЕНИЯ

ОБРАТНОГО ТОКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

ПРИ ДИНАМИЧЕСКИХ ИЗМЕРЕНИЯХ

Предмет изобретения

Известны устройства для измерения среднего значения обратного тока полупроводниковых диодов при динамических измерениях, содержащие интегрирующий элемент и измерительное устройство. Такие устройства чувствительны к помехам, которые интегрируются одновременно с измеряемым током и искажагот результаты измерений.

Предлагаемое устройство отличается тем, что к интегрирующему элементу подсоединены аноды стабилитронов, катоды которых соединены вместе и через сопротивление подсоединены к источнику синусоидального напряжения. Такое выполнение устройства повышает помехоустойчивость.

На чертеже приведена схема устройства.

К интегрирующему элементу 1 подсоединены аноды стабилитронов 2, катоды которых соединены вместе и через сопротивление 8 подсоединены к источнику синусоидального напряжения 4. Позицией б обозначен измерительvûé диод; б вЂ” разделительные диоды; 7вЂ” измерительное устройство.

Такое подключение стабилитронов приводит к тому, что в каждый полупериод синусоидального напряжения происходит разряд интегрирующего устройства с одновременным снятием накопленного за счет помехи значения. Таким образом интегрирующий элемент накаплизает значение измеряемого тока в каждый полупериод, в то же время значение помехи каждый полупериод снимается с интегрирующего эле10 мента.

Устройство для измерения среднего значения обратного тока полупроводниковых диодов при динамических измерениях, содержащее интегрирующий элемент и измерительное устройство, от.гк чаюпгееся тем, что, с целью повышения помехоустойчивости, к пнтегриру20 гощему элементу подсоединены аноды стабплитронов, катоды которых соединены вместе и через сопротивление подключены к источнику синусоидального напряжения.

218323

Составитель М. 3. Кричевский

Гсдактор В. А. Торопова Техред T. П. Курилко Корректоры: И. Л. Кириллова н В. В. Крылова

Заказ 2364/14 Тираж 530 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Центр, пр. Серова, д. 4

Типография, пр. Сапунова, 2

Устройство для измерения среднего значения

Полуавтомат для контроля электрических параметров транзисторов // 212575

Устройство для измерения величины нрямого падения напряжения 1управляемого полупроводникового выпрямителя // 211661

Устройство для испытания термоэлементов // 210227

Патент 206649 // 206649

Способ измерения теплового сопротивления /) —/г-переходов полупроводниковых приборов // 205961

Способ определения дефектных выпрямителей // 203067

Устройство для проверки парал^етров транзисторов // 203009

Патент 200013 // 200013

Способ определения теплового сопротивлениятиристоров // 200011

Способ измерения падения напряжения на полупроводнике в мдпдм-структуре и устройство для его осуществления // 2101720

Изобретение относится к области контрольно-измерительной техники и может найти применение в электронной технике для измерения напряжений на диэлектрике и полупроводнике, а также их временного изменения в МДПДМ-структурах

Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин // 2101721

Изобретение относится к технике контроля параметров полупроводников и предназначено для локального контроля параметров глубоких центров (уровней)

Способ контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления элементов с вольтамперной характеристикой s-типа и устройство для его осуществления // 2105989

Изобретение относится к электронике и при использовании позволяет повысить точность контроля заданной величины отрицательного дифференциального сопротивления за счет изменения соотношения глубины положительных и отрицательных обратных связей в элементе с регулируемыми напряжениями и токами включения и выключения

Устройство для определения качества изготовления тиристоров // 2112989

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при конструировании и производстве тиристоров

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2112990

Изобретение относится к радиационной испытательной технике и может быть использовано при проведении испытаний полупроводниковых приборов (ППП) и интегральных схем (ИС) на стойкость к воздействию импульсного ионизирующего излучения (ИИИ)

Способ определения поверхностного изгиба зон полупроводника s в мдп-структуре // 2117956

Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур

Устройство и способ измерения поверхностного сопротивления полупроводниковых пластин // 2121732

Изобретение относится к области измерительной техники, в частности к области измерения электрофизических параметров материалов, и может быть использовано для контроля качества полупроводниковых материалов, в частности полупроводниковых пластин

Установка для испытаний на радиационную стойкость // 2128349

Устройство для контроля светодиодов // 2130617

Изобретение относится к электроизмерительной технике и может быть использовано для контроля полярности выводов светодиодов

Устройство диагностирования тиристорного преобразователя // 2133042

Изобретение относится к области теплового неразрушающего контроля силовой электротехники, в частности тиристоров тиристорных преобразователей, и предназначено для своевременного выявления дефектных тиристоров, используемых в тиристорных преобразователях, без вывода изделия в целом в специальный контрольный режим