Способ выращивания монокристаллических слоев

Авторы патента:

C30B7 - Выращивание монокристаллов из растворов с использованием растворителей, являющихся жидкими при обычной температуре, например из водных растворов (из расплавленных растворителей C30B 9/00; обычным замораживанием или замораживанием при температурном градиенте C30B 11/00; под защитной жидкостью C30B 27/00)

1. Способ выращивания монокристаллических слоев преимущественно полупроводниковых материалов, например германия, в вакууме из расплава при температуре, близкой к точке плавления, отличающийся тем, что, с целью получения слоев на подложках, не эпитаксиальных кристаллизирующемуся веществу, с близкими коэффициентами термического расширения, приводят в контакт нормально расплавленному слою в область минимума теплового поля иглообразную монокристаллическую затравку, кристаллографическая ось которой совпадает с ее геометрической осью, и снижают температуру расплава по заданной программе.

2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью получения слоя на несмачивающейся подложке, растягивают расплавленный слой на подложке при введении в контакт с ним контура из смачивающегося вещества.

Похожие патенты:

Вращающийся кристаллизатор // 197505

Способ определения величины пересыщенияраствора // 196711

Способ получения монокристаллов // 173202

Способ выращивания монокристаллов // 171382

Способ выращивания монокристаллов флюорита // 169063

Патент 161690 // 161690

Патент 152741 // 152741

Всесоюзная i1!ата1т1^!3-т?хшне':нд|| виблиотен?ч i // 151297

Способ выращивания монокристаллов йодноватокислого калия // 148016

Способ защиты кристаллов кремния // 137893

Способ получения монокристаллов твердых растворов ортотанталата сурьмы // 2109856

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов на основе сегнетоэлектрического соединения ортотанталата сурьмы Sb(SbxTa1-x)O4 (x=0,25 моль) и может быть использовано в пироэлектрической, пьезоэлектрической области, а также в химической технологии для создания родственных композиционных материалов

Способ получения монокристаллов твердых растворов на основе ортониобата сурьмы // 2113556

Изобретение относится к гидротермальному способу получения монокристаллов твердых растворов (Sb1-xBix)NbO4 (x = 0,4 моль) и может быть использовано в пьезоэлектрической, пироэлектрической области, а также в химической технологии для создания композиционных материалов различного назначения

Устройство для выращивания водорастворимых кристаллов // 2114220

Изобретение относится к скоростному выращиваниюнию водорастворимых кристаллов, например, типа KH2PO4 (КДР)

Кристаллогидраты полисиликата натрия и способ их получения // 2118642

Изобретение относится к кристаллогидрату полисиликата натрия и способу его получения, который может быть использован в качестве гелеобразующего компонента, например, при изготовлении теплоизоляционных материалов, при создании высококачественных минеральных уплотнительных слоев из связанных грунтов, в нефтедобывающей промышленности при гидроизоляции

Способ обработки поделочных камней группы халцедона // 2119977

Способ получения синтетических монокристаллов кварца // 2120502

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов, в частности к способам получения синтетических монокристаллов кварца гидротермальным методом на затравку

Способ получения сцинтилляционного материала // 2126062

Изобретение относится к способам получения кристаллических люминофоров

Способ выращивания кристаллов в домашних условиях // 2130978

Изобретение относится к области кристаллографии и может быть использовано для выращивания монокристаллов и сростков кристаллов в домашних условиях для декоративных целей

Способ получения синтетического опала // 2132414

Устройство для выращивания профилированных кристаллов из раствора // 2133307

Изобретение относится к выращиванию кристаллов из водных растворов и может быть использовано для скоростного выращивания монокристаллов заданной формы и кристаллографической ориентации, например, кристаллов группы КДР