Способ контроля диаметра кристалла
О П И С А Н И Е 22О 961
ИЗОБРЕТЕНИЯ
Союз Соеетскиз
Социалистическиз
Республик
Всесою:, зтатентно-те:.; бнбпкоте .".. -.
К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ
Зависимое от авт. свидетельства ¹
Заявлено 04Х!1.1967 (¹ 1171364/22-1) с присоединением заявки №
Приоритет
Опубликовано 01 VII.1968. Бюллетень № 21
Дата опубликования описания 7.Х.1968
Кл. 12g, 17/18
Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров
СССР
МПК В 0Ц
УДК 669-172.002.2 (088.8) Авторы изобретения
lO. П. Белогуров и А. В. Радкевич
Заявитель
СПОСОБ КОНТРОЛЯ ДИАМЕТРА КРИСТАЛЛА! д lг >
Акр — Дт P г
Известный способ контроля диаметра кристалла, находящегося в тигле, в процессе выращивания его из расплава заключается в сравнении величины поглощения радиоактивного излучения выращиваемым кристаллом и эталоном.
Особенностью описываемого способа является то, что .выращиваемый кристалл периодически поднимают относительно тигля на заданную высоту и измеряют уровни расплава в тигле до и после подъема. Это позволяет определить диаметр KpBcTBëëà в процессе выращивания без использования сложного оборудования.
Расплав исходного материала находится в тигле, представляющем собой сосуд цилиндрической формы. В процессе поста кристалла его периодически поднимают относительно тигля на небольшую высоту порядка 1 игл. Уровень расплава в тигле при подъеме кристалла понижается на величину, соответствующую высоте подъема и диаметру кристалла. Считая, что часть кристалла,,поднятая в данный период, имеет вследствие малой высоты цилиндрическую форму, измеряют уровни расплава в тигле до и после подъема и определяют диаметр кристалла по формуле где Дкр — диаметр кристалла;
Д., — диаметр тигля;
10 Л z> — изменение уровня расплава;
Лтг,р — высота подъема кристалла.
Способ предназначен преимущественно для определения диамегра кристаллов при выращивании их по способу Кпропулоса,,при диа15 метрах кристаллов, сравнимых с половиной диаметра тигля.
Предмет изобретения
Способ контроля диаметра кристалла в про
20 цессе выращивания его из расплава, находящегося в тигле, от.гггчшощий"ся тем, что, с целью упрощения контроля, выращиваемый кристалл периодически поднимают относительно тигля на заданную высоту и измеряюг
25 уровни расплава в тигле до и после подъема.
