Выращивание монокристаллов на затравочном кристалле, остающемся в расплаве в процессе выращивания, например по методу накена-киропулоса (C30B17)

Отслеживание патентов класса C30B17
C30B     Выращивание монокристаллов (с использованием сверхвысокого давления, например для образования алмазов B01J3/06); направленная кристаллизация эвтектик или направленное расслаивание эвтектоидов; очистка материалов зонной плавкой (зонная очистка металлов или сплавов C22B); получение гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (литье металлов, литье других веществ теми же способами или с использованием тех же устройств B22D; обработка пластмасс B29; изменение физической структуры металлов или сплавов C21D,C22F); монокристаллы или гомогенный поликристаллический материал с определенной структурой; последующая обработка монокристаллов или гомогенного поликристаллического материала с определенной структурой (для изготовления полупроводниковых приборов или их частей H01L); (2110)
C30B17                 Выращивание монокристаллов на затравочном кристалле, остающемся в расплаве в процессе выращивания, например по методу накена-киропулоса (C30B15 имеет преимущество)(37)

Способ выращивания кристалла трибората лития (варианты) // 2681641
Изобретение относится к области получения кристалла трибората лития LiB3O5 (LBO), являющегося высокоэффективным нелинейно-оптическим материалом, применяющимся для пассивного преобразования частоты лазерного излучения.

Сцинтиллятор // 2627387
Изобретение относится к сцинтиллятору, который может быть использован в качестве детектора рентгеновского излучения в медицине, при досмотре вещей в аэропортах, досмотре грузов в портах, в нефтеразведке.
Способ выращивания высокотемпературных монокристаллов методом синельникова-дзиова // 2626637
Изобретение относится к выращиванию высококачественных высокотемпературных монокристаллов оксидов, в том числе профилированных, например, таких как лейкосапфир алюмоиттриевый гранат, рутил, и может быть использовано в лазерной технике, ювелирной и оптических отраслях промышленности.

Способ выращивания монокристаллов из расплава // 2560402
Изобретение относится к электронной промышленности, производству материалов и узлов для приборостроения, а конкретно к производству кристаллов, применяемых в электронике и оптической промышленности, выращиваемых из расплава методом Киропулоса.

Способ автоматического управления с обратной связью процессом выращивания монокристаллов методом киропулоса // 2560395
Изобретение относится к области автоматизации управления технологическими процессами при выращивании кристаллов сапфира из расплава методом Киропулоса.

Установка для выращивания монокристаллов сапфира методом киропулоса // 2555481
Изобретение относится к электронной промышленности, а конкретно к производству кристаллов сапфира, применяемых в электронике и оптической промышленности.

Способ выращивания кристалла методом киропулоса // 2494176
Изобретение относится к выращиванию крупных кристаллов, предназначенных для использования в приборах квантовой электроники.

Способ выращивания монокристалла сапфира на затравочном кристалле, остающемся в расплаве, в автоматическом режиме // 2423559
Изобретение относится к области автоматического выращивания высокотемпературных монокристаллов и может быть использовано для управления процессом выращивания в ростовых установках с весовым методом контроля.

Способ выращивания монокристалла сапфира на затравочном кристалле, остающемся в расплаве в процессе выращивания // 2417277
Изобретение относится к технологии высокотемпературной кристаллизации диэлектрических материалов из расплава, например лейкосапфира.

Способ выращивания тугоплавких монокристаллов // 2404298
Изобретение относится к технологии выращивания тугоплавких монокристаллов из расплава с использованием затравочного кристалла, в частности кристаллов лейкосапфира, рубина.

Установка для выращивания монокристаллов, например, сапфиров // 2404297
Изобретение относится к устройствам для выращивания объемных монокристаллов из расплавов, например, сапфира методом Чохральского, Киропулоса, и может быть использовано в электронной и полупроводниковой промышленности.

Способ получения монокристаллов молибдата цинка // 2363776
Изобретение относится к выращиванию высокотемпературных неорганических монокристаллов и может быть использовано в квантовой электронике и физике элементарных частиц, в частности, для создания детекторов процесса двойного безнейтринного бета-распада.

Устройство для выращивания тугоплавких монокристаллов // 2361020
Изобретение относится к технологии выращивания тугоплавких монокристаллов, в частности сапфира, рубина, из расплава с использованием затравочного кристалла.
Способ выращивания монокристаллов сапфира из расплава // 2350699
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов и может быть использовано на предприятиях химической и электронной промышленности для выращивания монокристаллов сапфира 1-6 категории качества методом Киропулоса из расплавов на затравочный кристалл.

Сцинтиляционное вещество (варианты) // 2242545
Изобретение относится к сцинтилляционным материалам и может быть использовано в ядерной физике, медицине и нефтяной промышленности для регистрации и измерения рентгеновского, гамма- и альфа-излучений; неразрушающего контроля структуры твердых тел; трехмерной позитрон-электронной и рентгеновской компьютерной томографии и флюорографии.

Устройство для выращивания монокристаллов сапфира // 2232832
Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов и может быть использовано для создания устройств для выращивания монокристаллов сапфира.

Устройство для выращивания монокристаллов сапфира // 2227822
Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов объемных монокристаллов сапфира и направлено на повышение срока службы элементов конструкции.

Устройство для выращивания монокристаллов сапфира // 2227820
Изобретение относится к технологии выращивания из расплавов монокристаллов сапфира методом кристаллизации из расплава.

Устройство для выращивания монокристаллов из расплава // 2222645
Изобретение относится к устройствам выращивания крупногабаритных объемных профилированных монокристаллов из расплавов, например, сапфира по методам Чохральского, Киропулоса.

Устройство для выращивания монокристаллов из расплава // 2222644
Изобретение относится к устройствам выращивания профилированных монокристаллов из расплавов на затравочном кристалле, например, сапфира, по методам Чохральского, Киропулоса.

Способ и устройство для выращивания монокристалла высокого качества // 2209860
Изобретение относится к способу и устройству для выращивания монокристалла высокого качества. .

Способ выращивания монокристаллов литиевой феррошпинели life5o8 // 2072004
Изобретение относится к технологии выращивания монокристаллов из растворов-расплавов и может найти применение при получении монокристаллов литиевой феррошпинели LiFe5O8 для устройств на основе магнитных возбуждений.

Способ выращивания монокристаллов арсенида галлия для изготовления подложек интегральных схем // 2054495
Изобретение относится к области получения полупроводниковых материалов. .
Способ изготовления сцинтиллятора на основе фторида лития, легированного титаном // 2014373
Изобретение относится к технологии изготовления неорганических сцинтилляторов для детекторов ионизирующих излучений, преимущественно "тепловых" нейтронов, мягких гамма-квантов и короткопробежных заряженных частиц.

Способ выращивания кристаллов иодистого цезия // 1647045
Изобретение относится к области выращивания кристаллов, конкретно щелочногалоидных кристаллов йодистого цезия, и позволяет уменьшить пластичность кристаллов .

Устройство для контроля параметров поверхности раздела кристалла и жидкой фазы // 1576598
Изобретение относится к устройствам получения информации о состоянии поверхности раздела твердой и жидкой фаз системы кристалл-расплав (раствор) в процессе кристаллизации, предназначено для автоматизации процесса получения монокристаллов кремния, германия, сапфира и т.д.

Способ выращивания активированных щелочно-галоидных монокристаллов // 1538557
Изобретение относится к квантовой электронике и позволяет повысить качество щелочно-галоидных монокристаллов.

Способ выращивания монокристаллов иодистого цезия // 1412383
Изобретение относится к получению кристаллов для инфракрасной техники используемых в качестве оптических элементов о Обеспечивает увеличение предела текучести кристаллов при сохранении оптических свойств,.
Способ выращивания кристаллов на основе фторида лития // 1264604
Изобретение относится к области квантовой электроники, а именно к технологии получения материала лазерного элемента (ЛЭ), и может быть использовано при создании перестраиваемых по частоте квантовых генераторов, квантовых усилителей, пассивных лазерных затворов и других элементов управления лазерным излучением.

Способ изготовления оптических элементов для лазеров // 1028100
Изобретение относится к области квантовой электроники, к способам изготовления оптических элементов лазеров (пассивных модуляторов добротности резонаторов лазеров и активных элементов) на основе щелочно-галоидных кристаллов (ЩКГ) с центрами окраски, и может быть использовано при создании плавно перестраиваемых по частоте оптических квантовых генераторов и усилителей, работающих при комнатной температуре в ближней инфракрасной области спектра.
 
.
Наверх