Сегнетоэлектрик^(m^m^^j^^ -ji mmj^u' ^..^'•'' w^^^^^-^^ji 5*

 

О П И С А Н И Е 283344

ИЗОБРЕТЕН ИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Соаэ Советских

Социалистических

Республик

Загисимое от авт. свидетельства М

Заявлено 02.VI.1969 (№ 1333793/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 06.Х.1970. Бюллетень № 31

Дата опубликования описания 22.ХП.1970

Кл. 21с, 2/01

МПК С 04Ь 35/46

УДК 621.315.612(088.8) Комитет по делам иэобретениЯ и открытиЯ ори Совете Микистров

СССР

Авторы изобретения А. Е, Гродштейн, Н. А. Манакова, Т. А. Никитина и T. П. Свиридова

Заявитель

В(.Я й. !!: 01 q

СЕГНЕТОЭЛ ЕКТРИК

1

Изобретение относится к области,производства радиотехнических материалов.

Известны сегнетоэлектрики на основе окислов бария, марганца и двуокиси титана.

Сущность изобретения состоит в том, что в указанную шихту,введена окись алюминия, а исходные компоненты шихты взяты в следующем соотношении (в вес. % ):

ВаО 33 — 31

МпО 18 — 17

TiO2 48 — 46

А10З 1 — 6

Это позволяет .повысить термостойкость .керамики.

Исходные компоненты в виде порошков, вы,пускаемых промышленностью, взятые в следующем соотношении (в вес. %):

Углекислый барий 53

Углекислый марганец 21

Двуокись титана 26, предварительно 1просушенные до .постоянного веса, перемешиваются мокрым опособом в течение 24 час. Из высушенной до влажности

20 — 25% массы формируются кубики, и производится |предварительный обжиг материала при 1100 С. Спек сухим способом размалывается до удельной поверхности 4500—

5000 см /г, В полуфабрикат вводится окись алюминия в количестве 1 — 6% веса порошка, Введение окиси алюминия в количестве, большем 6%,,приводит к снижению величины диэлектрической 1тройтщаае трети--и-к--изменении диэлектрических свойств материала до полупроводниковых. Добавление окиси алюминия в количестве, меньшем 1, не дает увеличения термических свойств.

Оформление образцов производится методом полусухого прессования или методом горячего литья под давлением. Окончательное спекание материала проводится в атмосфере увлажненного формиргаза с точкой росы 25—

30,при 1180 — 1200=С.

Добавление окиси алюминия в количестве

1 — 6%,позволяет увеличить показатель термостойкости до 850 — 1100, сегнетоэлектрические

15 свойства материала при этом не снижаются.

Диэлектрическая проницаемость при 20 С

870 — 2500, удельное объемное сопротивление

10в — 10» ом см.

Предмет изобретения

Сегнетоэлектрик на основе окислов бария, марганца и двуокиси титана, отличающийся тем, что, с целью повышения его термостойкости, в шихту упомянутого материала введе25 на окись алюминия, а исходные компоненты шихты взяты в следующих соотношениях (в вес, %):

Окись бария 33 — 31

Окись марганца 18 — 17

ЗО Двуокись титана 48 — 46

Окись алюминия 1 — 6.