Резистивная композиция

Авторы патента:

H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

Союз Соввтскик

Социалистических

Республик

3; ш.снмое от авт. свидетельства №

Кл. 21с, 55/01

Заявлено 24Х1.1969 (№ 1340475/26-9) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 06.Х.1970. Бюллетень ¹ 31

Дата опубликования описания 22.XII.1970

МПК Н Olc 17/00

УДК 621.396.692(088.8) Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров

СССР

Авторы изобретения

Б. С. Гальперин, Л. П. Солдатова и И. Е. цр цйВ4т." 11т 1 .0..т1

I су е т юд т " з т

; с- ;1 :.з. .Й "т

Заявитель

6М à7rEQ7E A

РЕЗИСТИВНАЯ КОМПОЗИЦИЯ

Предмет изобретения

Изобретение относится к непроволочным резисторам на основе лакосажевых композиций.

Минимальное сопротивление известных пленочных лакосажевых композиций, используемых в современных непроволочных резисторах, составляет 50 — 100 ои на квадрат поверхности.

Для получения более низкоомных композиций увеличивают ооъем сажи, но при этом ухудшается механическая .прочность:пленок, их адгезия к подложке, стабильность к нагреву и действию защитных покрытий.

Критический объем мелкодисперных саж, используемых в производстве резисторов, не превышает 15 — 20% вследствие высокой степени их структурирования. Применение же неструктурирующихся саж (или графита) ухудшает электрические характеристики резисторов из-за более грубой дисперсности этих саж.

С целью получения низкоомных композиций при устранении указанных недостатков, предлагается использовать в качестве токопроводящего компонента деструктированную частично окисленную высокодисперсную сажу, составляющую от 6 до 40 oo, %. Такая сажа может быть получена, например, вибропомолом обычной высокодисперсной сажи в течение 2 — 3 час. Выбором сажи с определенной степенью деструктирования значительно понижают сопротивление (от 15 до 5 с,я на квадрат) композиции и улучшают ее стабильность к защитным покрытиям без ухудшения других

5 характеристик.

Поверхностные окислы, образующиеся на саже в процессе вибропомола, препятствуют ее структурированию и:сохраняются в деструктированном виде длительное время.

10 Использование деструктпрованной сажи целесообразно и для высокоомных композиций, так как при этом повышается содержание сажи при данной проводимости, что способствует однородности композиций и улучшению

15 ее электрических характеристик.

Резистивная ком позиция на основе связу20 ющей смолы с равномерно раопределенными в ней частицами токопроводящего вещества в виде сажи, отличающаяся тем, что, с целью расширения пределов величин сопротивления и улучшения их характеристик, в качестве то25 копроводящего компонента применена деструктированная частично окисленная высокоднсперсная сажа в количестве от 6 до 40 об. %.

Резистивная композиция 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх