А. в. перевезенцев,л. г. власов, н. е. просвирника и п. и. королева


H01C7 - Нерегулируемые резисторы, имеющие один или несколько слоев или покрытий; нерегулируемые резисторы из порошкообразного токопроводящего или порошкообразного полупроводникового материала с диэлектриком или без него (состоящие из свободного, т.е.незакрепленного, порошкообразного или зернистого материала H01C 8/00; резисторы с потенциальным или поверхностным барьером, например резисторы с полевым эффектом H01L 29/00; полупроводниковые приборы, чувствительные к электромагнитному или корпускулярному излучению, например фоторезисторы H01L 31/00; приборы, в которых используется сверхпроводимость H01L 39/00; приборы, в которых используется гальваномагнитный или подобные магнитные эффекты, например резисторы, управляемые магнитным полем H01L 43/00; приборы на твердом теле для выпрямления, усиления, генерирования или переключения без потенциального или

 

О П И С А Н И Е 294181

ИЗОБРЕТЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

Заявлено 08.Х11.1969 (№ 1382791/26-9) с присоединением заявки ¹

Приоритет

Опубликовано 26.1.1971. Бюллетень № 6

Дата опубликования описания 12.111.1971,ЧПК Н Olc 7/00

Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Мииистров

СССР

Ъ ДК 621.316.86(088,8) Авторы изобретения Г. В. Самсонов, В. Г. Гребенкина, Ю. П. Юсов, А. В. Перевезенцев, Л. Г. Власов, Н. Е. Просвирнина и П. И. Королева

Заявитель Ордена Трудового Красного Знамени институт проблем материаловедения АН Украинской ССР

РЕЗИСТОР ОБЪЕМНОГО ТИПА

Изобретение относится к области радиодеталестроения и может быть использовано в ,качестве резисторов общего назначения.

Известны резисторы объемного типа, содержащие токопроводящую фазу на основе сложного силицида.,Цель изобретения — расширение номинальных значений сопротивления и улучшение электрических характеристик.

Для этого исходные компоненты токопроводящей фазы введены в следующих количественных соотношениях (вес. %): вольфрам

32,62 — 33,62, кремний 21,2 — 22,2 и молибден остальное до 100% от общего веса компонентов.

Предмет изобретения

Резистор объемного типа, содержащий токопроводящую фазу на основе сложного силицида, отлича ощийся тем, что, с целью расширения номиHàльных значений сопротивления и улучшения электрических характеристик, исходные компоненты токопроводящей фазы введены в следующих количественных соотношениях (вес. % ): вольфрам 32,62—

33,62, кремний 21,2 — 22,2 и молибден — остальное до 100% от общего веса компонентов.

А. в. перевезенцев,л. г. власов, н. е. просвирника и п. и. королева 

 

Похожие патенты:

Изобретение относится к конструированию и изготовлению резисторных чувствительных элементов для термоанемометрических датчиков измерения скорости или расхода потока воздуха, газообразных и жидких сред
Изобретение относится к технологии производства радиоэлектронной аппаратуры и может использоваться для изготовления резистивных материалов для резистивных элементов на керамических, металлодиэлектрических и диэлектрических основаниях, преимущественно для изготовления резистивных элементов толстопленочных интегральных элементов

Изобретение относится к электротехнике и решает задачу повышения надежности варистора путем нанесения на его поверхность покрытия с пониженным значением ТКЛР

Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано при производстве резистивных элементов

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в производстве тонкопленочных терморезисторов - датчиков температуры

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству постоянных прецизионных тонкопленочных чип-резисторов

Изобретение относится к электротехнике и предназначено для защиты изоляции оборудования станций и подстанций и линий электропередачи переменного и постоянного тока от атмосферных и коммутационных перенапряжений
Наверх