Способ изготовления матриц запоминающих устройств'всесоюзная

 

304627

ОПИСАНИ Е

ИЗОЬРЕтЕНИЯ

К АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬСТВУ

Союз Советских

Социалистических

Республик

Зависимое от авт. свидетельства №

МПК G 1lс 11/14

Заявлено 25.1Х.1969 (№ 1366317/18-24) с присоединением заявки №

Приоритет

Опубликовано 25.V,1971. Бюллетень № 17

Дата опубликования описания бЛ П.1971

Комитет по делам изобретений и открытий лри Совете Министров

СССР

УД К 681,327.66 (088,8) Авторы изобретения

В. А. Шахнов, Ю. М. Беляков и П. В. Нестеров

Заявитель

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАТРИЦ

ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ

Изобретение относится к области вычислительной техники, а именно — к технологии изготовления матриц для оперативных запоминающих устройств электронных вычислительных машин.

Известен способ изготовления матриц запоминающих устройств путем формирования двух групп токопроводящих шин определенного, профиля и размещения проволочных подложек с,магнитным локрытием между группами токопроводящих шин.

Недостатком, известного, способа является сложность технологического процесса.

Целью, изобретения является упрощение технологического процесса.

Для достижения данной цели группу верхних токопроводящих шин вытравливают на гибком фольгированном диэлектрике, пропускают через:валки, формирующие необходимый профиль, а группу нижних токопроводящих шин вытравливают .на жестком фольгированном основании.

Процесс,изготовления матрицы поясняется чертежами, где на,фиг. 1 представлена гофрированная группа .верхних токопроводящих шин; на фиг. 2 — подложки с магнитным покрытием, смонтированные на нижнем основании с группой токопроводящих шин; на фиг. 3 — запоминающая матрица в:собранном виде.

Верхняя группа токопроводящих шин 1, вытравленная:на гибком фольгированном диэлектрике 2, .пропущена через валки с зубцами трапецеидальной формы (на чертеже не

5 показаны) . В результате, получена гофрированная система, представленная на фиг. 1.

Подложки .с магнитным покрытием 8 смонтированы,на жестком основании 4, на котором вытравлена нижняя система токопроводящих

10 шин б (фиг. 2). Верхняя система токопроводящих шин накладывается на нижнтого, соогветствующие шины совмещаются, и места соприкосновения склеиваются или свариваются, например, методом ультразвуковой сварки. В ре15 зультате получается запоминающая матрица, схематически представленная на фиг. 3.

Предхгет изобретения

Способ изгото вления матриц запоминающих

20 устройств путем формирования двух групп токопроводящих шин определенного профиля ,и размещения проволочных подложек с магнитным покрытием .между группами токопро1водящих шин, от.гичаюгггиггся тем, что,,с целью

25 упрощения технологического процесса, группу,верхних токопроводящих шин:вытравли.вают на гибком фольгированном диэлектрике,,пропускают через валки, формирующие необ ходимый профиль, а группу нижних токопро30:водящих шин вытравливают ча жестком фольгированном основании.

304627

Фиг 2

Фиг. 3

Составитель А. А. Соколов

Редактор Б. С. Нанкина Техред 3. Н. Тараненко Корректор О. И. Волкова

Заказ !838/14 Изд. № 765 Тираж 473 Подписное

ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР

Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 475

Типография, п р. Сапунова, 2